Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13491) > Сторінка 205 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.27 грн
12+28.77 грн
25+26.35 грн
100+18.39 грн
250+16.67 грн
500+13.80 грн
1000+10.18 грн
2500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.77 грн
19+18.13 грн
100+8.85 грн
500+6.93 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.85 грн
10+158.51 грн
100+117.52 грн
500+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-LF4,E TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270 Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.13 грн
10+116.43 грн
100+82.95 грн
500+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231 Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231 Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
10+289.24 грн
100+223.75 грн
500+185.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
17+20.62 грн
100+10.40 грн
500+8.65 грн
1000+6.73 грн
2000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16.9dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 26.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Supplier Device Package: USQ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16.9dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 26.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Supplier Device Package: USQ
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.50 грн
10+39.25 грн
25+36.99 грн
100+31.78 грн
250+30.01 грн
500+28.76 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.81 грн
10+113.93 грн
100+77.57 грн
500+58.19 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+49.23 грн
11+31.85 грн
100+21.71 грн
500+16.02 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.75 грн
50+324.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.45 грн
10+132.31 грн
100+90.96 грн
500+68.76 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.00 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.84 грн
10+339.38 грн
25+294.03 грн
100+227.77 грн
250+204.13 грн
500+189.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.43 грн
10+392.94 грн
25+341.66 грн
100+266.25 грн
250+239.55 грн
500+227.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.95 грн
14+24.95 грн
25+22.85 грн
100+15.98 грн
250+14.48 грн
500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.09 грн
4000+20.48 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.81 грн
10+54.06 грн
100+35.59 грн
500+25.94 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.86 грн
10+39.34 грн
25+35.36 грн
100+29.09 грн
250+27.14 грн
500+25.96 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.90 грн
10+123.16 грн
100+94.80 грн
500+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.90 грн
10+123.16 грн
100+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.77 грн
19+17.96 грн
100+8.77 грн
500+6.86 грн
1000+4.77 грн
2000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+83.00 грн
100+58.51 грн
500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA Toshiba Semiconductor and Storage TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24971.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29484.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.63 грн
10+111.44 грн
100+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13109.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+36.34 грн
100+23.40 грн
500+16.74 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG12A,LF TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A
TCR3UG12A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.857V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.27 грн
12+28.77 грн
25+26.35 грн
100+18.39 грн
250+16.67 грн
500+13.80 грн
1000+10.18 грн
2500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V
MUZ30V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ30V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ30V
MUZ30V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.77 грн
19+18.13 грн
100+8.85 грн
500+6.93 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-TP4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.85 грн
10+158.51 грн
100+117.52 грн
500+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2270(D4-LF4,E TLP2270_datasheet_en_20191126.pdf?did=54624&prodName=TLP2270
TLP2270(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER; HI-SPEED; LOW INPU
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH
TPH1500CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH,L1Q TPH1500CNH_datasheet_en_20191017.pdf?did=14471&prodName=TPH1500CNH
TPH1500CNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.13 грн
10+116.43 грн
100+82.95 грн
500+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231
TLP5231(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(TP,E docget.jsp?did=68855&prodName=TLP5231
TLP5231(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21.5V ~ 30V
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.67 грн
10+289.24 грн
100+223.75 грн
500+185.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE
RN4984FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE
RN4984FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
17+20.62 грн
100+10.40 грн
500+8.65 грн
1000+6.73 грн
2000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U
MT4S300U(TE85L,O,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16.9dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 26.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Supplier Device Package: USQ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MT4S300U(TE85L,O,F docget.jsp?did=14087&prodName=MT4S300U
MT4S300U(TE85L,O,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 4V 26.5GHZ USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16.9dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 26.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
Supplier Device Package: USQ
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.50 грн
10+39.25 грн
25+36.99 грн
100+31.78 грн
250+30.01 грн
500+28.76 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D
TK7P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D
TK7P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.81 грн
10+113.93 грн
100+77.57 грн
500+58.19 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.23 грн
11+31.85 грн
100+21.71 грн
500+16.02 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.75 грн
50+324.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.45 грн
10+132.31 грн
100+90.96 грн
500+68.76 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.00 грн
10+34.18 грн
100+22.00 грн
500+15.74 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+208.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.84 грн
10+339.38 грн
25+294.03 грн
100+227.77 грн
250+204.13 грн
500+189.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+252.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.43 грн
10+392.94 грн
25+341.66 грн
100+266.25 грн
250+239.55 грн
500+227.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.95 грн
14+24.95 грн
25+22.85 грн
100+15.98 грн
250+14.48 грн
500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.09 грн
4000+20.48 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.81 грн
10+54.06 грн
100+35.59 грн
500+25.94 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.86 грн
10+39.34 грн
25+35.36 грн
100+29.09 грн
250+27.14 грн
500+25.96 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.90 грн
10+123.16 грн
100+94.80 грн
500+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.90 грн
10+123.16 грн
100+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.77 грн
19+17.96 грн
100+8.77 грн
500+6.86 грн
1000+4.77 грн
2000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.59 грн
10+83.00 грн
100+58.51 грн
500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24971.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+29484.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.63 грн
10+111.44 грн
100+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13109.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+36.34 грн
100+23.40 грн
500+16.74 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]