Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 205 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRZ15(TE85L,Q,M) CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62 Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12 Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
11+28.66 грн
100+19.53 грн
500+14.42 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.55 грн
50+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.15 грн
10+119.05 грн
100+81.84 грн
500+61.87 грн
1000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180709.pdf?did=19429 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.28 грн
10+30.75 грн
100+19.80 грн
500+14.16 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.43 грн
10+305.36 грн
25+264.55 грн
100+204.94 грн
250+183.67 грн
500+170.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.14 грн
10+353.55 грн
25+307.41 грн
100+239.56 грн
250+215.54 грн
500+205.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.75 грн
14+22.45 грн
25+20.56 грн
100+14.37 грн
250+13.03 грн
500+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.34 грн
4000+19.82 грн
6000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.92 грн
10+50.73 грн
100+33.41 грн
500+24.35 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) 2SA2142(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142 Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.06 грн
10+35.84 грн
25+32.26 грн
100+26.53 грн
250+24.75 грн
500+23.67 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.07 грн
10+110.82 грн
100+85.30 грн
500+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.07 грн
10+110.82 грн
100+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.09 грн
19+16.16 грн
100+7.89 грн
500+6.17 грн
1000+4.29 грн
2000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.99 грн
10+74.68 грн
100+52.65 грн
500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA Toshiba Semiconductor and Storage TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22467.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26528.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.62 грн
10+100.27 грн
100+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11795.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.95 грн
10+119.20 грн
100+91.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.17 грн
10+32.70 грн
100+21.06 грн
500+15.06 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.20 грн
10+87.99 грн
100+62.82 грн
500+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.86 грн
10+90.84 грн
100+65.06 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.86 грн
10+90.84 грн
100+65.06 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.62 грн
10+99.59 грн
100+67.68 грн
500+50.70 грн
1000+46.57 грн
2000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
6000+5.56 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 26254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.97 грн
15+20.80 грн
100+13.38 грн
500+9.42 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
6000+4.48 грн
15000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 23313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.97 грн
16+19.90 грн
25+17.39 грн
100+10.57 грн
250+8.75 грн
500+7.00 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.53 грн
23+13.09 грн
100+8.19 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ15(TE85L,Q,M) CRY62_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY62
CRZ15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ15(TE12L,Q,M) CMZ12_datasheet_en_20150515.pdf?did=21287&prodName=CMZ12
CMZ15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
11+28.66 грн
100+19.53 грн
500+14.42 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATION AMP DIGITAL OUT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-DIP
Number of Channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.55 грн
50+291.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ TK12P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53223&prodName=TK12P50W
TK12P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.15 грн
10+119.05 грн
100+81.84 грн
500+61.87 грн
1000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS12(TE85L,Q,M) datasheet_en_20180709.pdf?did=19429
CRS12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.28 грн
10+30.75 грн
100+19.80 грн
500+14.16 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163F,LF TPD4163F_datasheet_en_20230331.pdf?did=152489&prodName=TPD4163F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.43 грн
10+305.36 грн
25+264.55 грн
100+204.94 грн
250+183.67 грн
500+170.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+226.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164F,LF TPD4164F_datasheet_en_20241023.pdf?did=152501&prodName=TPD4164F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HSSOP31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 42-SOP (0.330", 8.40mm Width), 31 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 13.5V ~ 450V
Supplier Device Package: 31-HSSOP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.14 грн
10+353.55 грн
25+307.41 грн
100+239.56 грн
250+215.54 грн
500+205.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W66FK,LF TC7W66FK_datasheet_en_20141023.pdf?did=20215&prodName=TC7W66FK
TC7W66FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BILATERAL SWITCH 1 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:1
Type: Bilateral, FET Switches
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 12V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.75 грн
14+22.45 грн
25+20.56 грн
100+14.37 грн
250+13.03 грн
500+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.34 грн
4000+19.82 грн
6000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2097(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
2SA2097(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.92 грн
10+50.73 грн
100+33.41 грн
500+24.35 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=22764&prodName=2SA2142
2SA2142(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.06 грн
10+35.84 грн
25+32.26 грн
100+26.53 грн
250+24.75 грн
500+23.67 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.07 грн
10+110.82 грн
100+85.30 грн
500+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5772H(D4-TP,E docget.jsp?did=70656&prodName=TLP5772H
TLP5772H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 56ns, 25ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Number of Channels: 1
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.07 грн
10+110.82 грн
100+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.09 грн
19+16.16 грн
100+7.89 грн
500+6.17 грн
1000+4.29 грн
2000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADP400E eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLPN137(D4-TP1,F) TLPN137_datasheet_en_20170821.pdf?did=10189&prodName=TLPN137
TLPN137(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT COUPLER;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 10MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kVµs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.99 грн
10+74.68 грн
100+52.65 грн
500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG21CXZSTA TAEC393_Toshiba_Product_Sheet_N300_LowRes.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22467.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG51CXZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 12TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26528.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC04ACA200E eHDD-MC04ACAxxE-product-overview_EOL.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT CLOUD 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04ACA200A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EA eHDD-MG04SCAxxEx-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 2TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.62 грн
10+100.27 грн
100+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11795.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.95 грн
10+119.20 грн
100+91.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.17 грн
10+32.70 грн
100+21.06 грн
500+15.06 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.20 грн
10+87.99 грн
100+62.82 грн
500+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+57.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.86 грн
10+90.84 грн
100+65.06 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.86 грн
10+90.84 грн
100+65.06 грн
500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1
TPH3R70APL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1
TPH3R70APL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.62 грн
10+99.59 грн
100+67.68 грн
500+50.70 грн
1000+46.57 грн
2000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40
CUHS20F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
6000+5.56 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40
CUHS20F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 26254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.97 грн
15+20.80 грн
100+13.38 грн
500+9.42 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU
TC7SU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.16 грн
6000+4.48 грн
15000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU
TC7SU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 23313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.97 грн
16+19.90 грн
25+17.39 грн
100+10.57 грн
250+8.75 грн
500+7.00 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.64 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411
RN2411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411
RN2411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.53 грн
23+13.09 грн
100+8.19 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415
RN2415,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]