Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 208 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP632(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.44 грн
100+58.88 грн
500+43.76 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.87 грн
15+293.83 грн
30+265.50 грн
105+230.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.38 грн
15+335.67 грн
30+304.08 грн
105+272.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
11+29.17 грн
100+19.43 грн
500+15.18 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.90 грн
10+217.82 грн
25+193.57 грн
50+172.56 грн
100+163.49 грн
250+145.32 грн
500+134.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
14+23.20 грн
100+14.73 грн
500+10.39 грн
1000+9.28 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.72 грн
10+87.99 грн
100+65.13 грн
500+56.16 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
15+22.10 грн
100+14.41 грн
500+10.15 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
15+21.62 грн
100+14.06 грн
500+9.90 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.52 грн
10+123.30 грн
100+98.09 грн
500+77.89 грн
1000+66.09 грн
2000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.04 грн
10+104.03 грн
100+70.66 грн
500+52.92 грн
1000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
18+17.54 грн
100+11.06 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
2000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.02 грн
10+78.79 грн
100+52.75 грн
500+39.04 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
6000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
15+21.39 грн
100+10.82 грн
500+8.28 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
11+29.33 грн
100+20.37 грн
500+14.92 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
26+12.50 грн
100+5.89 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(TP1,F TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073 Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(TP1,F TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073 Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.44 грн
10+92.71 грн
100+66.39 грн
500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GR,F,W) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GRL,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FTG,EL TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG Description: STEPPER MOTOR DRIVER IC, 18V/1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FNG,C,EL TC78S600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG Description: IC MTR DRV BIPLR 2.7-5.5V 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M4SL,L3F DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL_datasheet_en_20180328.pdf?did=60606&prodName=DF2B12M4SL Description: TVS DIODE 11VWM 22VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 22W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M4SL,L3F DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL_datasheet_en_20180328.pdf?did=60606&prodName=DF2B12M4SL Description: TVS DIODE 11VWM 22VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 22W
Power Line Protection: No
на замовлення 19925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.73 грн
100+3.84 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
2000+3.11 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3544(TP1,F) TLP3544(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3544_datasheet_en_20200311.pdf?did=12661&prodName=TLP3544 Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3.5 A
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3544(TP1,F) TLP3544(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3544_datasheet_en_20200311.pdf?did=12661&prodName=TLP3544 Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3.5 A
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.62 грн
10+261.78 грн
100+214.39 грн
500+169.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.43 грн
8000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CT RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19096&prodName=RN2911FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.43 грн
8000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CT RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19096&prodName=RN2911FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
LB4X2X8F LB4X2X8F Toshiba Semiconductor and Storage 31ampartsabds.pdf Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial Cylinder, Radial Bend
Size / Dimension: 0.236" Dia x 0.472" L (6.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 8A (Typ)
Number of Lines: 1
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.55 грн
10+106.16 грн
25+97.92 грн
50+86.42 грн
100+81.29 грн
250+74.98 грн
500+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LB 2.8X4.5U LB 2.8X4.5U Toshiba Semiconductor and Storage Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial, Kinked Radial Bend
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 5A (Typ)
Number of Lines: 1
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
11+30.59 грн
25+28.21 грн
50+24.90 грн
100+23.42 грн
250+21.60 грн
500+19.98 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LB 2.8X4.5U LB 2.8X4.5U Toshiba Semiconductor and Storage Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial, Kinked Radial Bend
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 5A (Typ)
Number of Lines: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,C8,EL TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG_datasheet_en_20120312.pdf?did=13039&prodName=TB62218AFTG Description: IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GRL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+87.44 грн
100+58.88 грн
500+43.76 грн
1000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.87 грн
15+293.83 грн
30+265.50 грн
105+230.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.38 грн
15+335.67 грн
30+304.08 грн
105+272.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.36 грн
11+29.17 грн
100+19.43 грн
500+15.18 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.90 грн
10+217.82 грн
25+193.57 грн
50+172.56 грн
100+163.49 грн
250+145.32 грн
500+134.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
14+23.20 грн
100+14.73 грн
500+10.39 грн
1000+9.28 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.72 грн
10+87.99 грн
100+65.13 грн
500+56.16 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
15+22.10 грн
100+14.41 грн
500+10.15 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
15+21.62 грн
100+14.06 грн
500+9.90 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.52 грн
10+123.30 грн
100+98.09 грн
500+77.89 грн
1000+66.09 грн
2000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf
TK5P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.04 грн
10+104.03 грн
100+70.66 грн
500+52.92 грн
1000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A
TLP2766A(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.42 грн
10+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
18+17.54 грн
100+11.06 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
2000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.02 грн
10+78.79 грн
100+52.75 грн
500+39.04 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
HN1D02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.72 грн
6000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
HN1D02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
15+21.39 грн
100+10.82 грн
500+8.28 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ16(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ16(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.93 грн
11+29.33 грн
100+20.37 грн
500+14.92 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
CUS10F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
CUS10F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
26+12.50 грн
100+5.89 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(TP1,F TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073
TLP3073(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(TP1,F TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073
TLP3073(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+92.71 грн
100+66.39 грн
500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUN,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GR,F,W) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-YH,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 75% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GRL,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-GRL,F,W TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FTG,EL TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG
TC78S600FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER IC, 18V/1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FNG,C,EL TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG
TC78S600FNG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRV BIPLR 2.7-5.5V 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M4SL,L3F DF2B12M4SL_datasheet_en_20180328.pdf?did=60606&prodName=DF2B12M4SL
DF2B12M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 11VWM 22VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 22W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M4SL,L3F DF2B12M4SL_datasheet_en_20180328.pdf?did=60606&prodName=DF2B12M4SL
DF2B12M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 11VWM 22VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 22W
Power Line Protection: No
на замовлення 19925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.73 грн
100+3.84 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
2000+3.11 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3544(TP1,F) TLP3544_datasheet_en_20200311.pdf?did=12661&prodName=TLP3544
TLP3544(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3.5 A
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3544(TP1,F) TLP3544_datasheet_en_20200311.pdf?did=12661&prodName=TLP3544
TLP3544(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3.5 A
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.62 грн
10+261.78 грн
100+214.39 грн
500+169.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE
RN4911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.43 грн
8000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE
RN4911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CT RN2911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19096&prodName=RN2911FE
RN2911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.43 грн
8000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE,LXHF(CT RN2911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19096&prodName=RN2911FE
RN2911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
LB4X2X8F 31ampartsabds.pdf
LB4X2X8F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial Cylinder, Radial Bend
Size / Dimension: 0.236" Dia x 0.472" L (6.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 8A (Typ)
Number of Lines: 1
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.55 грн
10+106.16 грн
25+97.92 грн
50+86.42 грн
100+81.29 грн
250+74.98 грн
500+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LB 2.8X4.5U
LB 2.8X4.5U
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial, Kinked Radial Bend
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 5A (Typ)
Number of Lines: 1
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
11+30.59 грн
25+28.21 грн
50+24.90 грн
100+23.42 грн
250+21.60 грн
500+19.98 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LB 2.8X4.5U
LB 2.8X4.5U
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FERRITE BEAD AXIAL 1LN
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial, Kinked Radial Bend
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Max): 5A (Typ)
Number of Lines: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,C8,EL TB62218AFTG_datasheet_en_20120312.pdf?did=13039&prodName=TB62218AFTG
TB62218AFTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]