Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 218 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC74HC540AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09 Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
37+8.43 грн
46+6.81 грн
100+4.67 грн
250+3.85 грн
500+3.33 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
25+12.64 грн
100+6.16 грн
500+4.82 грн
1000+3.35 грн
2000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B XCUZ15V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B XCUZ15V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
31+10.04 грн
100+4.93 грн
500+3.86 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
12+25.75 грн
100+16.42 грн
500+11.63 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1724&prodName=2SK3798 Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 17 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
16+19.69 грн
100+9.95 грн
500+8.28 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.57 грн
12+26.29 грн
100+16.78 грн
500+11.90 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+22.15 грн
100+11.17 грн
500+9.29 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+24.60 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
13+24.91 грн
100+14.94 грн
500+12.98 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
11+28.05 грн
100+16.83 грн
500+14.62 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
20+16.09 грн
100+10.12 грн
500+7.06 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC14FTEL TC74AC14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC14F_datasheet_en_20240319.pdf?did=70724&prodName=TC74AC14F Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
30+10.35 грн
100+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627M(D4-TP5,E TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+41.77 грн
100+30.68 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627MF(TP4,E TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.30 грн
16000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.94 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
6000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
19+16.94 грн
25+15.08 грн
100+12.18 грн
250+11.26 грн
500+10.70 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(TPR,SE TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+23.07 грн
100+16.48 грн
500+12.70 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+42.91 грн
100+27.96 грн
500+20.21 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC540AF(EL,F) TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09
CRG09(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
37+8.43 грн
46+6.81 грн
100+4.67 грн
250+3.85 грн
500+3.33 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
25+12.64 грн
100+6.16 грн
500+4.82 грн
1000+3.35 грн
2000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V
XCUZ15V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V
XCUZ15V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
31+10.04 грн
100+4.93 грн
500+3.86 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A
CRS15I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A
CRS15I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+25.75 грн
100+16.42 грн
500+11.63 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M) docget.jsp?did=1724&prodName=2SK3798
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
CRS14(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ24(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 17 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
16+19.69 грн
100+9.95 грн
500+8.28 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
12+26.29 грн
100+16.78 грн
500+11.90 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
14+22.15 грн
100+11.17 грн
500+9.29 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+24.60 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+24.91 грн
100+14.94 грн
500+12.98 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.58 грн
100+19.85 грн
500+14.54 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08
CMS08(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
11+28.05 грн
100+16.83 грн
500+14.62 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
20+16.09 грн
100+10.12 грн
500+7.06 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC14FTEL TC74AC14F_datasheet_en_20240319.pdf?did=70724&prodName=TC74AC14F
TC74AC14FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
30+10.35 грн
100+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627M(D4-TP5,E TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M
TLP627M(D4-TP5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
10+41.77 грн
100+30.68 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627MF(TP4,E TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M
TLP627MF(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.30 грн
16000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.94 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.99 грн
6000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
19+16.94 грн
25+15.08 грн
100+12.18 грн
250+11.26 грн
500+10.70 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+23.07 грн
100+16.48 грн
500+12.70 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+42.91 грн
100+27.96 грн
500+20.21 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224  [ Наступна Сторінка >> ]