Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 215 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DCL541A01(T,E DCL541A01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230427.pdf?did=140763 Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.20 грн
10+311.06 грн
100+254.77 грн
500+201.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(LF4,F TLP3083F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F_datasheet_en_20200217.pdf?did=30348&prodName=TLP3083F Description: PHOTOTRIAC; ZVC; WIDE CREEPAGE;
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SMD
Current - Hold (Ih): 600µA
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
50+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
13+24.36 грн
100+15.53 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1103GFG(8Z,AA2) TCD1103GFG(8Z,AA2) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG.pdf Description: IMAGE SENSOR CCD 16SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 16-GLCC Module
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3V ~ 4V
Pixel Size: 5.5µm x 64µm
Supplier Device Package: 16-GLCC (15.2x6)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.86 грн
5+941.04 грн
10+906.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.06 грн
13+23.68 грн
100+15.08 грн
500+10.68 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF TCKE903NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF TCKE903NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.49 грн
10+49.93 грн
25+45.09 грн
100+37.32 грн
250+34.94 грн
500+33.50 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF TCKE905ANA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF TCKE905ANA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.49 грн
10+49.93 грн
25+45.09 грн
100+37.32 грн
250+34.94 грн
500+33.50 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF 7UL3G17FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF 7UL3G17FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.28 грн
14+22.47 грн
25+18.43 грн
100+13.02 грн
250+10.92 грн
500+9.62 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
12+26.02 грн
25+23.27 грн
100+19.00 грн
250+17.66 грн
500+16.85 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF_Series_11-15-23.pdf Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF_Series_11-15-23.pdf Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
41+7.49 грн
47+6.54 грн
100+5.22 грн
250+4.78 грн
500+4.51 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231101.pdf?did=36247 Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231101.pdf?did=36247 Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.64 грн
20+15.36 грн
25+14.07 грн
100+9.83 грн
250+8.91 грн
500+7.37 грн
1000+5.44 грн
2500+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.41 грн
10+95.92 грн
100+76.33 грн
500+60.62 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
13+24.51 грн
25+22.12 грн
100+14.34 грн
250+12.07 грн
500+9.81 грн
1000+7.42 грн
2500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+55.00 грн
100+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.52 грн
10+153.18 грн
100+106.99 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.42 грн
4000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+65.13 грн
100+43.25 грн
500+31.80 грн
1000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.23 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
10+35.55 грн
25+33.41 грн
100+25.59 грн
250+23.77 грн
500+20.23 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.07 грн
25+12.25 грн
100+6.22 грн
500+4.76 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.07 грн
25+12.25 грн
100+6.22 грн
500+4.76 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.35 грн
17+18.53 грн
100+11.09 грн
500+9.63 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.73 грн
8000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
18+17.70 грн
100+8.93 грн
500+7.43 грн
1000+5.78 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
15+20.58 грн
100+10.41 грн
500+7.96 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
13+24.51 грн
100+15.68 грн
500+11.13 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.35 грн
12+26.10 грн
100+15.68 грн
500+13.62 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
12+26.17 грн
100+15.70 грн
500+13.65 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.06 грн
10+33.06 грн
100+22.96 грн
500+16.82 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
12+25.87 грн
100+15.52 грн
500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240628.pdf?did=13997 Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240628.pdf?did=13997 Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+92.89 грн
100+70.86 грн
500+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F TLP240J(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.61 грн
10+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.60 грн
10+122.09 грн
100+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541A01(T,E datasheet_en_20230427.pdf?did=140763
DCL541A01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+457.20 грн
10+311.06 грн
100+254.77 грн
500+201.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(LF4,F TLP3083F_datasheet_en_20200217.pdf?did=30348&prodName=TLP3083F
TLP3083F(LF4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOTRIAC; ZVC; WIDE CREEPAGE;
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SMD
Current - Hold (Ih): 600µA
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.11 грн
50+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04
CMH04(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04
CMH04(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
13+24.36 грн
100+15.53 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1103GFG(8Z,AA2) TCD1103GFG.pdf
TCD1103GFG(8Z,AA2)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IMAGE SENSOR CCD 16SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 16-GLCC Module
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3V ~ 4V
Pixel Size: 5.5µm x 64µm
Supplier Device Package: 16-GLCC (15.2x6)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1073.86 грн
5+941.04 грн
10+906.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
CRS10I30C(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
CRS10I30C(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.06 грн
13+23.68 грн
100+15.08 грн
500+10.68 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL
TCKE903NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL
TCKE903NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.49 грн
10+49.93 грн
25+45.09 грн
100+37.32 грн
250+34.94 грн
500+33.50 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA
TCKE905ANA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA
TCKE905ANA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.49 грн
10+49.93 грн
25+45.09 грн
100+37.32 грн
250+34.94 грн
500+33.50 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK
7UL3G17FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK
7UL3G17FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.28 грн
14+22.47 грн
25+18.43 грн
100+13.02 грн
250+10.92 грн
500+9.62 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK
TC74VHC541FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK
TC74VHC541FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
12+26.02 грн
25+23.27 грн
100+19.00 грн
250+17.66 грн
500+16.85 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF_Series_11-15-23.pdf
TCR3DF40,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF_Series_11-15-23.pdf
TCR3DF40,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.78 грн
41+7.49 грн
47+6.54 грн
100+5.22 грн
250+4.78 грн
500+4.51 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF datasheet_en_20231101.pdf?did=36247
TCR3DG18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF datasheet_en_20231101.pdf?did=36247
TCR3DG18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.64 грн
20+15.36 грн
25+14.07 грн
100+9.83 грн
250+8.91 грн
500+7.37 грн
1000+5.44 грн
2500+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.41 грн
10+95.92 грн
100+76.33 грн
500+60.62 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.78 грн
13+24.51 грн
25+22.12 грн
100+14.34 грн
250+12.07 грн
500+9.81 грн
1000+7.42 грн
2500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.12 грн
10+55.00 грн
100+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+243.52 грн
10+153.18 грн
100+106.99 грн
500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+29.42 грн
4000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.84 грн
10+65.13 грн
100+43.25 грн
500+31.80 грн
1000+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.23 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.63 грн
10+35.55 грн
25+33.41 грн
100+25.59 грн
250+23.77 грн
500+20.23 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.07 грн
25+12.25 грн
100+6.22 грн
500+4.76 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.07 грн
25+12.25 грн
100+6.22 грн
500+4.76 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.35 грн
17+18.53 грн
100+11.09 грн
500+9.63 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.73 грн
8000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
18+17.70 грн
100+8.93 грн
500+7.43 грн
1000+5.78 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.50 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
15+20.58 грн
100+10.41 грн
500+7.96 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.50 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A
CMS20I40A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.63 грн
13+24.51 грн
100+15.68 грн
500+11.13 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.35 грн
12+26.10 грн
100+15.68 грн
500+13.62 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
12+26.17 грн
100+15.70 грн
500+13.65 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.06 грн
10+33.06 грн
100+22.96 грн
500+16.82 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
12+25.87 грн
100+15.52 грн
500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F datasheet_en_20240628.pdf?did=13997
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F datasheet_en_20240628.pdf?did=13997
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.12 грн
10+92.89 грн
100+70.86 грн
500+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F
TLP240J(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.61 грн
10+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ docget.jsp?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.60 грн
10+122.09 грн
100+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV
DF3A6.8FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]