Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 214 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TB67H481FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: BRUSHED MOTOR DRIVERS, 2-CH, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.07 грн
10+137.75 грн
25+118.44 грн
100+90.68 грн
250+80.72 грн
500+74.64 грн
1000+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S569FTG(O,R,EL TB67S569FTG(O,R,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S569FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153337&prodName=TB67S569FTG&returnFlg=false Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 40V, 2A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 34V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S569FTG(O,R,EL TB67S569FTG(O,R,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S569FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153337&prodName=TB67S569FTG&returnFlg=false Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 40V, 2A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 34V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+107.90 грн
25+98.50 грн
100+82.70 грн
250+78.06 грн
500+75.27 грн
1000+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S589FTG(O,R,EL TB67S589FTG(O,R,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S589FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153431&prodName=TB67S589FTG&returnFlg=false Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 50V, 3A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S589FTG(O,R,EL TB67S589FTG(O,R,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S589FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153431&prodName=TB67S589FTG&returnFlg=false Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 50V, 3A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
10+116.11 грн
25+106.08 грн
100+89.17 грн
250+84.22 грн
500+81.24 грн
1000+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(TP4,F TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30348&prodName=TLP3083F Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.42 грн
2000+50.84 грн
3000+49.54 грн
5000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(TP4,F TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30348&prodName=TLP3083F Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.54 грн
10+86.19 грн
100+65.50 грн
500+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG07(TE85L,Q,M) CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG07(TE85L,Q,M) CRG07(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
16+18.80 грн
100+9.49 грн
500+7.90 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541B01(T,E DCL541B01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL541B01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL541B01 Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541B01(T,E DCL541B01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL541B01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL541B01 Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.00 грн
10+306.84 грн
100+251.32 грн
500+198.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541A01(T,E DCL541A01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230427.pdf?did=140763 Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541A01(T,E DCL541A01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230427.pdf?did=140763 Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.00 грн
10+306.84 грн
100+251.32 грн
500+198.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(LF4,F TLP3083F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F_datasheet_en_20200217.pdf?did=30348&prodName=TLP3083F Description: PHOTOTRIAC; ZVC; WIDE CREEPAGE;
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SMD
Current - Hold (Ih): 600µA
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.13 грн
50+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.03 грн
100+15.32 грн
500+10.85 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1103GFG(8Z,AA2) TCD1103GFG(8Z,AA2) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG.pdf Description: IMAGE SENSOR CCD 16SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 16-GLCC Module
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3V ~ 4V
Pixel Size: 5.5µm x 64µm
Supplier Device Package: 16-GLCC (15.2x6)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.30 грн
5+928.28 грн
10+894.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
13+23.36 грн
100+14.87 грн
500+10.54 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF TCKE903NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF TCKE903NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+53.95 грн
25+48.77 грн
100+40.41 грн
250+37.86 грн
500+36.32 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF TCKE905ANA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF TCKE905ANA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+55.22 грн
25+49.88 грн
100+41.34 грн
250+38.73 грн
500+37.16 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF 7UL3G17FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF 7UL3G17FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
14+22.16 грн
25+18.18 грн
100+12.84 грн
250+10.77 грн
500+9.49 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
12+26.04 грн
25+23.28 грн
100+19.03 грн
250+17.68 грн
500+16.87 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF_Series_11-15-23.pdf Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF_Series_11-15-23.pdf Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
41+7.39 грн
47+6.45 грн
100+5.15 грн
250+4.71 грн
500+4.45 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231101.pdf?did=36247 Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231101.pdf?did=36247 Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
20+15.15 грн
25+13.88 грн
100+9.70 грн
250+8.78 грн
500+7.27 грн
1000+5.36 грн
2500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.79 грн
10+94.62 грн
100+75.30 грн
500+59.80 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
13+24.18 грн
25+21.82 грн
100+14.15 грн
250+11.91 грн
500+9.68 грн
1000+7.32 грн
2500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.25 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.22 грн
10+151.11 грн
100+105.54 грн
500+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.02 грн
4000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+64.25 грн
100+42.67 грн
500+31.36 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
6000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
10+35.07 грн
25+32.95 грн
100+25.25 грн
250+23.45 грн
500+19.96 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
25+12.09 грн
100+6.13 грн
500+4.70 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
25+12.09 грн
100+6.13 грн
500+4.70 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
17+18.28 грн
100+10.94 грн
500+9.50 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.65 грн
8000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
18+17.46 грн
100+8.81 грн
500+7.33 грн
1000+5.70 грн
2000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
15+20.30 грн
100+10.27 грн
500+7.86 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.18 грн
100+15.47 грн
500+10.98 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
12+25.74 грн
100+15.47 грн
500+13.44 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED MOTOR DRIVERS, 2-CH, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.07 грн
10+137.75 грн
25+118.44 грн
100+90.68 грн
250+80.72 грн
500+74.64 грн
1000+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S569FTG(O,R,EL TB67S569FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153337&prodName=TB67S569FTG&returnFlg=false
TB67S569FTG(O,R,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 40V, 2A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 34V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S569FTG(O,R,EL TB67S569FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153337&prodName=TB67S569FTG&returnFlg=false
TB67S569FTG(O,R,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 40V, 2A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 34V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.11 грн
10+107.90 грн
25+98.50 грн
100+82.70 грн
250+78.06 грн
500+75.27 грн
1000+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S589FTG(O,R,EL TB67S589FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153431&prodName=TB67S589FTG&returnFlg=false
TB67S589FTG(O,R,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 50V, 3A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S589FTG(O,R,EL TB67S589FTG_datasheet_en_20241127.pdf?did=153431&prodName=TB67S589FTG&returnFlg=false
TB67S589FTG(O,R,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER, 50V, 3A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 50V
Supplier Device Package: 32-VQFN (5x5)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.96 грн
10+116.11 грн
25+106.08 грн
100+89.17 грн
250+84.22 грн
500+81.24 грн
1000+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(TP4,F docget.jsp?did=30348&prodName=TLP3083F
TLP3083F(TP4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+55.42 грн
2000+50.84 грн
3000+49.54 грн
5000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(TP4,F docget.jsp?did=30348&prodName=TLP3083F
TLP3083F(TP4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.54 грн
10+86.19 грн
100+65.50 грн
500+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG07(TE85L,Q,M)
CRG07(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG07(TE85L,Q,M)
CRG07(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
16+18.80 грн
100+9.49 грн
500+7.90 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541B01(T,E DCL541B01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL541B01
DCL541B01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541B01(T,E DCL541B01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL541B01
DCL541B01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.00 грн
10+306.84 грн
100+251.32 грн
500+198.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541A01(T,E datasheet_en_20230427.pdf?did=140763
DCL541A01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL541A01(T,E datasheet_en_20230427.pdf?did=140763
DCL541A01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (3:1) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 3/1
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.00 грн
10+306.84 грн
100+251.32 грн
500+198.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3083F(LF4,F TLP3083F_datasheet_en_20200217.pdf?did=30348&prodName=TLP3083F
TLP3083F(LF4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOTRIAC; ZVC; WIDE CREEPAGE;
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SMD
Current - Hold (Ih): 600µA
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing, 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.13 грн
50+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04
CMH04(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMH04(TE12L,Q,M) CMH04_datasheet_en_20171225.pdf?did=20250&prodName=CMH04
CMH04(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
13+24.03 грн
100+15.32 грн
500+10.85 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCD1103GFG(8Z,AA2) TCD1103GFG.pdf
TCD1103GFG(8Z,AA2)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IMAGE SENSOR CCD 16SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 16-GLCC Module
Type: CCD
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3V ~ 4V
Pixel Size: 5.5µm x 64µm
Supplier Device Package: 16-GLCC (15.2x6)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1059.30 грн
5+928.28 грн
10+894.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
CRS10I30C(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
CRS10I30C(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
13+23.36 грн
100+14.87 грн
500+10.54 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL
TCKE903NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE903NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE903NL
TCKE903NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC , 4A/23V FAST PROTECTIO
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 34mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+53.95 грн
25+48.77 грн
100+40.41 грн
250+37.86 грн
500+36.32 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA
TCKE905ANA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE905ANA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE905ANA
TCKE905ANA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC 4A/23V FAST PROTECTION
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+55.22 грн
25+49.88 грн
100+41.34 грн
250+38.73 грн
500+37.16 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK
7UL3G17FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL3G17FK,LF docget.jsp?did=147409&prodName=7UL3G17FK
7UL3G17FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC SOT-765(US8) VCC:0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
14+22.16 грн
25+18.18 грн
100+12.84 грн
250+10.77 грн
500+9.49 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK
TC74VHC541FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC541FK(EL,K) docget.jsp?did=18091&prodName=TC74VHC541FK
TC74VHC541FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-VSSOP
Supplier Device Package: 20-VSSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.97 грн
12+26.04 грн
25+23.28 грн
100+19.03 грн
250+17.68 грн
500+16.87 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF_Series_11-15-23.pdf
TCR3DF40,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF40,LM(CT TCR3DF_Series_11-15-23.pdf
TCR3DF40,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.22V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
41+7.39 грн
47+6.45 грн
100+5.15 грн
250+4.71 грн
500+4.45 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF datasheet_en_20231101.pdf?did=36247
TCR3DG18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG18,LF datasheet_en_20231101.pdf?did=36247
TCR3DG18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.365V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
20+15.15 грн
25+13.88 грн
100+9.70 грн
250+8.78 грн
500+7.27 грн
1000+5.36 грн
2500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.79 грн
10+94.62 грн
100+75.30 грн
500+59.80 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
13+24.18 грн
25+21.82 грн
100+14.15 грн
250+11.91 грн
500+9.68 грн
1000+7.32 грн
2500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.25 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.22 грн
10+151.11 грн
100+105.54 грн
500+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.02 грн
4000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.25 грн
100+42.67 грн
500+31.36 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.01 грн
6000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
10+35.07 грн
25+32.95 грн
100+25.25 грн
250+23.45 грн
500+19.96 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
25+12.09 грн
100+6.13 грн
500+4.70 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
25+12.09 грн
100+6.13 грн
500+4.70 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
17+18.28 грн
100+10.94 грн
500+9.50 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.65 грн
8000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
18+17.46 грн
100+8.81 грн
500+7.33 грн
1000+5.70 грн
2000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.43 грн
6000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
15+20.30 грн
100+10.27 грн
500+7.86 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.43 грн
6000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A
CMS20I40A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
13+24.18 грн
100+15.47 грн
500+10.98 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.87 грн
12+25.74 грн
100+15.47 грн
500+13.44 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]