Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 216 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.20 грн
23+13.39 грн
100+6.55 грн
500+5.13 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM MKZ24V,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ24V Description: TVS DIODE 19VWM 36.5VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM MKZ24V,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ24V Description: TVS DIODE 19VWM 36.5VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.41 грн
100+4.56 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E TLP3484(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3484_datasheet_en_20230526.pdf?did=70720&prodName=TLP3484 Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.92 грн
10+66.30 грн
100+51.61 грн
500+41.05 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
11+27.84 грн
100+19.36 грн
500+14.19 грн
1000+11.53 грн
2000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.39 грн
10+32.77 грн
100+21.21 грн
500+15.17 грн
1000+13.08 грн
2000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
6000+4.20 грн
9000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.87 грн
20+14.97 грн
100+8.96 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+281.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.24 грн
10+396.35 грн
100+327.52 грн
500+269.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.24 грн
50+396.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC540AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09 Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
37+8.23 грн
46+6.64 грн
100+4.56 грн
250+3.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.16 грн
8000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.65 грн
25+12.35 грн
100+6.02 грн
500+4.71 грн
1000+3.27 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B XCUZ15V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B XCUZ15V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
31+9.80 грн
100+4.81 грн
500+3.77 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.74 грн
12+25.14 грн
100+16.04 грн
500+11.36 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1724&prodName=2SK3798 Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 17 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.75 грн
18+16.99 грн
100+10.74 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.41 грн
13+23.87 грн
100+15.21 грн
500+10.78 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.86 грн
14+21.62 грн
100+10.90 грн
500+9.07 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.86 грн
13+24.02 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.64 грн
13+24.32 грн
100+14.58 грн
500+12.67 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.30 грн
11+27.39 грн
100+16.43 грн
500+14.28 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU
DF3A6.8FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.20 грн
23+13.39 грн
100+6.55 грн
500+5.13 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ24V
MKZ24V,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 36.5VC SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM docget.jsp?did=155143&prodName=MKZ24V
MKZ24V,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 36.5VC SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.43 грн
41+7.41 грн
100+4.56 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E TLP3484_datasheet_en_20230526.pdf?did=70720&prodName=TLP3484
TLP3484(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.92 грн
10+66.30 грн
100+51.61 грн
500+41.05 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.41 грн
11+27.84 грн
100+19.36 грн
500+14.19 грн
1000+11.53 грн
2000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.39 грн
10+32.77 грн
100+21.21 грн
500+15.17 грн
1000+13.08 грн
2000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.98 грн
6000+4.20 грн
9000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.87 грн
20+14.97 грн
100+8.96 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+281.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.24 грн
10+396.35 грн
100+327.52 грн
500+269.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.24 грн
50+396.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825F(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC540AF(EL,F) TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09
CRG09(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.76 грн
37+8.23 грн
46+6.64 грн
100+4.56 грн
250+3.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.16 грн
8000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.65 грн
25+12.35 грн
100+6.02 грн
500+4.71 грн
1000+3.27 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V
XCUZ15V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V
XCUZ15V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.54 грн
31+9.80 грн
100+4.81 грн
500+3.77 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A
CRS15I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I40A(TE85L,QM CRS15I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15094&prodName=CRS15I40A
CRS15I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.74 грн
12+25.14 грн
100+16.04 грн
500+11.36 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(STA4,Q,M) docget.jsp?did=1724&prodName=2SK3798
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
CRS14(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ24(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ24(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 24V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 17 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.75 грн
18+16.99 грн
100+10.74 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.41 грн
13+23.87 грн
100+15.21 грн
500+10.78 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
14+21.62 грн
100+10.90 грн
500+9.07 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
13+24.02 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.64 грн
13+24.32 грн
100+14.58 грн
500+12.67 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
11+27.91 грн
100+19.38 грн
500+14.20 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08
CMS08(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.30 грн
11+27.39 грн
100+16.43 грн
500+14.28 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 226  [ Наступна Сторінка >> ]