Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13488) > Сторінка 217 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.45 грн
11+30.44 грн
100+18.26 грн
500+15.87 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.36 грн
20+17.46 грн
100+10.99 грн
500+7.66 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC14FTEL TC74AC14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC14F_datasheet_en_20240319.pdf?did=70724&prodName=TC74AC14F Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+19.00 грн
30+11.23 грн
100+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627M(D4-TP5,E TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627Mdatasheeten20181206.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.77 грн
10+43.74 грн
100+32.12 грн
500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627MF(TP4,E TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627Mdatasheeten20181206.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.77 грн
10+43.74 грн
100+32.12 грн
500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.50 грн
16000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.68 грн
39+8.65 грн
100+5.36 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.74 грн
8000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.63 грн
5000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.91 грн
20+17.21 грн
25+15.30 грн
100+12.39 грн
250+11.44 грн
500+10.87 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(TPR,SE TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.41 грн
15+23.45 грн
100+16.74 грн
500+12.90 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.72 грн
10+46.57 грн
100+30.34 грн
500+21.93 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719 Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.04 грн
10+82.25 грн
100+62.11 грн
500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NA,RF TCKE912NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NA Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NA,RF TCKE912NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NA Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
500+35.93 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE920NL,RF TCKE920NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE920NL Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE920NL,RF TCKE920NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE920NL Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NL,RF TCKE912NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NL Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NL,RF TCKE912NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NL Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
500+35.93 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRLA(TP,E(O TLP3412SRLA(TP,E(O Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.6VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Load Current: 400 mA
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRLA(TP,E(O TLP3412SRLA(TP,E(O Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.6VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Load Current: 400 mA
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.57 грн
10+345.95 грн
100+278.83 грн
500+239.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1F TK080N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157126&prodName=TK080N60Z1 Description: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373FT 74LCX373FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14693&prodName=74LCX373FT Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.50 грн
18+19.29 грн
25+17.16 грн
100+13.90 грн
250+12.86 грн
500+12.22 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC238FT 74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28765&prodName=74VHC238FT Description: IC DECODER 1 X 3:8 16-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.27 грн
29+11.56 грн
33+10.21 грн
100+8.18 грн
250+7.52 грн
500+7.13 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT14FTEL TC74ACT14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 1IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11.4ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HCT540AF(EL,F) TC74HCT540AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17096&prodName=TC74HCT540AF Description: IC BUFFER INVERTING 5.5V 20-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4050AFTEL TC74HC4050AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4050AFT_datasheet_en_20210107.pdf?did=69608&prodName=TC74HC4050AFT Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
17+19.96 грн
25+17.80 грн
100+14.45 грн
250+13.37 грн
500+12.72 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4050AFELF TC74HC4050AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4050AF_datasheet_en_20210107.pdf?did=70208&prodName=TC74HC4050AF Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH14FK,LJ(CT TC7WH14FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH14FK_datasheet_en_20230419.pdf?did=54535&prodName=TC7WH14FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.82 грн
39+8.73 грн
44+7.68 грн
100+6.14 грн
250+5.63 грн
500+5.31 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDA800E MG08SDA800E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: MG08 8TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24270.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDA600E Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: MG08 6TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21715.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1F TK125N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154769&prodName=TK125N60Z1 Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3545A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230526.pdf?did=60318 Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH08FU,LJ(CT TC7WH08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH08FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20117&prodName=TC7WH08FU Description: IC GATE AND 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.95 грн
39+8.57 грн
45+7.55 грн
100+6.03 грн
250+5.52 грн
500+5.22 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1941-O(Q) 2SA1941-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20422&prodName=2SA1941 Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+134.64 грн
100+92.96 грн
500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±9.68%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.00 грн
11+31.02 грн
100+21.54 грн
500+15.78 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08
CMS08(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.45 грн
11+30.44 грн
100+18.26 грн
500+15.87 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.36 грн
20+17.46 грн
100+10.99 грн
500+7.66 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC14FTEL TC74AC14F_datasheet_en_20240319.pdf?did=70724&prodName=TC74AC14F
TC74AC14FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.00 грн
30+11.23 грн
100+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627M(D4-TP5,E TLP627Mdatasheeten20181206.pdf
TLP627M(D4-TP5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.77 грн
10+43.74 грн
100+32.12 грн
500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627MF(TP4,E TLP627Mdatasheeten20181206.pdf
TLP627MF(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 4-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.77 грн
10+43.74 грн
100+32.12 грн
500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.50 грн
16000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
39+8.65 грн
100+5.36 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.41 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.74 грн
8000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.63 грн
5000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HC04D docget.jsp?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.91 грн
20+17.21 грн
25+15.30 грн
100+12.39 грн
250+11.44 грн
500+10.87 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.41 грн
15+23.45 грн
100+16.74 грн
500+12.90 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.72 грн
10+46.57 грн
100+30.34 грн
500+21.93 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP4,E docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.04 грн
10+82.25 грн
100+62.11 грн
500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NA
TCKE912NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NA,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NA
TCKE912NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
500+35.93 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE920NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE920NL
TCKE920NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE920NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE920NL
TCKE920NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NL
TCKE912NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE912NL,RF docget.jsp?did=157593&prodName=TCKE912NL
TCKE912NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.86 грн
10+53.56 грн
25+48.37 грн
100+40.03 грн
250+37.47 грн
500+35.93 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRLA(TP,E(O docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA
TLP3412SRLA(TP,E(O
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.6VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Load Current: 400 mA
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3412SRLA(TP,E(O docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA
TLP3412SRLA(TP,E(O
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.6VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Load Current: 400 mA
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 1.5 Ohms
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.57 грн
10+345.95 грн
100+278.83 грн
500+239.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1F docget.jsp?did=157126&prodName=TK080N60Z1
TK080N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX373FT docget.jsp?did=14693&prodName=74LCX373FT
74LCX373FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.50 грн
18+19.29 грн
25+17.16 грн
100+13.90 грн
250+12.86 грн
500+12.22 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC238FT docget.jsp?did=28765&prodName=74VHC238FT
74VHC238FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.27 грн
29+11.56 грн
33+10.21 грн
100+8.18 грн
250+7.52 грн
500+7.13 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT14FTEL
TC74ACT14FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 1IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11.4ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HCT540AF(EL,F) docget.jsp?did=17096&prodName=TC74HCT540AF
TC74HCT540AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERTING 5.5V 20-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4050AFTEL TC74HC4050AFT_datasheet_en_20210107.pdf?did=69608&prodName=TC74HC4050AFT
TC74HC4050AFTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
17+19.96 грн
25+17.80 грн
100+14.45 грн
250+13.37 грн
500+12.72 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4050AFELF TC74HC4050AF_datasheet_en_20210107.pdf?did=70208&prodName=TC74HC4050AF
TC74HC4050AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH14FK,LJ(CT TC7WH14FK_datasheet_en_20230419.pdf?did=54535&prodName=TC7WH14FK
TC7WH14FK,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.82 грн
39+8.73 грн
44+7.68 грн
100+6.14 грн
250+5.63 грн
500+5.31 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDA800E eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
MG08SDA800E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MG08 8TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24270.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDA600E eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MG08 6TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21715.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1F docget.jsp?did=154769&prodName=TK125N60Z1
TK125N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3545A(LF1,F datasheet_en_20230526.pdf?did=60318
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 0-40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 4 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 60 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH08FU,LJ(CT TC7WH08FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20117&prodName=TC7WH08FU
TC7WH08FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 28267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.95 грн
39+8.57 грн
45+7.55 грн
100+6.03 грн
250+5.52 грн
500+5.22 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1941-O(Q) docget.jsp?did=20422&prodName=2SA1941
2SA1941-O(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.90 грн
10+134.64 грн
100+92.96 грн
500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]