Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 217 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.97 грн
10+65.82 грн
100+43.71 грн
500+32.13 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
10+35.93 грн
25+33.76 грн
100+25.86 грн
250+24.03 грн
500+20.45 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.26 грн
25+12.38 грн
100+6.28 грн
500+4.81 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.26 грн
25+12.38 грн
100+6.28 грн
500+4.81 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
17+18.73 грн
100+11.21 грн
500+9.74 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.79 грн
8000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
18+17.89 грн
100+9.03 грн
500+7.51 грн
1000+5.84 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
15+20.79 грн
100+10.52 грн
500+8.05 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+25.84 грн
100+15.47 грн
500+13.44 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
12+26.37 грн
100+15.85 грн
500+13.77 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+26.45 грн
100+15.87 грн
500+13.79 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
10+33.41 грн
100+23.20 грн
500+17.00 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+26.15 грн
100+15.69 грн
500+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.40 грн
10+97.40 грн
100+70.22 грн
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F TLP240J(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.22 грн
10+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.38 грн
10+131.19 грн
100+90.55 грн
500+68.66 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
29+10.55 грн
100+5.18 грн
500+4.05 грн
1000+2.81 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU Description: TVS DIODE USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.64 грн
23+13.68 грн
100+6.70 грн
500+5.24 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B MKZ24V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B MKZ24V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+67.73 грн
100+52.73 грн
500+41.94 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
11+28.44 грн
100+19.78 грн
500+14.50 грн
1000+11.78 грн
2000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+33.48 грн
100+21.67 грн
500+15.50 грн
1000+13.36 грн
2000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
17+18.12 грн
100+9.12 грн
500+7.58 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+287.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.54 грн
10+404.95 грн
100+334.62 грн
500+275.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.54 грн
50+404.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC540AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09 Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B MKZ12V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
37+8.41 грн
46+6.79 грн
100+4.66 грн
250+3.84 грн
500+3.32 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
25+12.61 грн
100+6.15 грн
500+4.81 грн
1000+3.34 грн
2000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B XCUZ15V,H3XHF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+65.82 грн
100+43.71 грн
500+32.13 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.40 грн
6000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
10+35.93 грн
25+33.76 грн
100+25.86 грн
250+24.03 грн
500+20.45 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
25+12.38 грн
100+6.28 грн
500+4.81 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
25+12.38 грн
100+6.28 грн
500+4.81 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
17+18.73 грн
100+11.21 грн
500+9.74 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.79 грн
8000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.89 грн
100+9.03 грн
500+7.51 грн
1000+5.84 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.56 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
15+20.79 грн
100+10.52 грн
500+8.05 грн
1000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.56 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A
CMS20I40A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+25.84 грн
100+15.47 грн
500+13.44 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
12+26.37 грн
100+15.85 грн
500+13.77 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+26.45 грн
100+15.87 грн
500+13.79 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+33.41 грн
100+23.20 грн
500+17.00 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+26.15 грн
100+15.69 грн
500+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.40 грн
10+97.40 грн
100+70.22 грн
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F
TLP240J(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.22 грн
10+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.38 грн
10+131.19 грн
100+90.55 грн
500+68.66 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV
DF3A6.8FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV
DF3A6.8FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
29+10.55 грн
100+5.18 грн
500+4.05 грн
1000+2.81 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU
DF3A6.8FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU
DF3A6.8FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
23+13.68 грн
100+6.70 грн
500+5.24 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B
MKZ24V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B
MKZ24V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+67.73 грн
100+52.73 грн
500+41.94 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+28.44 грн
100+19.78 грн
500+14.50 грн
1000+11.78 грн
2000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.57 грн
10+33.48 грн
100+21.67 грн
500+15.50 грн
1000+13.36 грн
2000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.84 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
17+18.12 грн
100+9.12 грн
500+7.58 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+287.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.54 грн
10+404.95 грн
100+334.62 грн
500+275.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.54 грн
50+404.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825F(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC540AF(EL,F) TC74HC540AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=16401&prodName=TC74HC540AF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09_datasheet_en_20131101.pdf?did=6239&prodName=CRG09
CRG09(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ12V,LM(B
MKZ12V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 44pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
37+8.41 грн
46+6.79 грн
100+4.66 грн
250+3.84 грн
500+3.32 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LXHF(CT RN2904FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2904FE
RN2904FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE,LF RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
25+12.61 грн
100+6.15 грн
500+4.81 грн
1000+3.34 грн
2000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XCUZ15V,H3XHF(B docget.jsp?did=153645&prodName=XCUZ30V
XCUZ15V,H3XHF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 15 V ZENER DIODEAEC-Q, SOD-323(U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 36pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V (Max)
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]