Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 217 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.96 грн
10+97.17 грн
100+77.33 грн
500+61.41 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
13+24.83 грн
25+22.41 грн
100+14.53 грн
250+12.23 грн
500+9.94 грн
1000+7.52 грн
2500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.09 грн
10+59.31 грн
100+39.26 грн
500+28.78 грн
1000+26.17 грн
2000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.07 грн
10+164.46 грн
100+114.64 грн
500+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.80 грн
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+65.98 грн
100+43.82 грн
500+32.21 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.44 грн
6000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
10+36.02 грн
25+33.84 грн
100+25.93 грн
250+24.08 грн
500+20.50 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
25+12.41 грн
100+6.30 грн
500+4.82 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
25+12.41 грн
100+6.30 грн
500+4.82 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
17+18.78 грн
100+11.23 грн
500+9.76 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.80 грн
8000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.93 грн
100+9.05 грн
500+7.53 грн
1000+5.86 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911 Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
15+20.84 грн
100+10.54 грн
500+8.07 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18911 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
12+25.90 грн
100+15.51 грн
500+13.47 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
12+26.44 грн
100+15.89 грн
500+13.80 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
12+26.52 грн
100+15.91 грн
500+13.83 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
10+33.49 грн
100+23.26 грн
500+17.04 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
12+26.21 грн
100+15.73 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F TLP240J(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.77 грн
10+97.63 грн
100+70.39 грн
500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F TLP240J(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.59 грн
10+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.89 грн
10+131.50 грн
100+90.76 грн
500+68.83 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
29+10.58 грн
100+5.19 грн
500+4.06 грн
1000+2.82 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU Description: TVS DIODE USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
23+13.72 грн
100+6.71 грн
500+5.25 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B MKZ24V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B MKZ24V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.95 грн
10+67.90 грн
100+52.85 грн
500+42.04 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
11+28.51 грн
100+19.83 грн
500+14.53 грн
1000+11.81 грн
2000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+33.57 грн
100+21.73 грн
500+15.54 грн
1000+13.39 грн
2000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20131101.pdf?did=2155 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
17+18.16 грн
100+9.14 грн
500+7.60 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+288.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.94 грн
10+405.93 грн
100+335.43 грн
500+275.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.94 грн
50+405.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.96 грн
10+97.17 грн
100+77.33 грн
500+61.41 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM25,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
13+24.83 грн
25+22.41 грн
100+14.53 грн
250+12.23 грн
500+9.94 грн
1000+7.52 грн
2500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R805PL,L1Q TPN2R805PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53831&prodName=TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+59.31 грн
100+39.26 грн
500+28.78 грн
1000+26.17 грн
2000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q docget.jsp?did=59527&prodName=TPW3R70APL
TPW3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.07 грн
10+164.46 грн
100+114.64 грн
500+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.80 грн
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22424&prodName=TJ15S06M3L
TJ15S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.23 грн
10+65.98 грн
100+43.82 грн
500+32.21 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.44 грн
6000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
10+36.02 грн
25+33.84 грн
100+25.93 грн
250+24.08 грн
500+20.50 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
25+12.41 грн
100+6.30 грн
500+4.82 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-Y,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
25+12.41 грн
100+6.30 грн
500+4.82 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
RN1911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
17+18.78 грн
100+11.23 грн
500+9.76 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.80 грн
8000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LXHF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
18+17.93 грн
100+9.05 грн
500+7.53 грн
1000+5.86 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.57 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911,LXHF(CT RN4911_datasheet_en_20210824.pdf?did=18970&prodName=RN4911
RN4911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
15+20.84 грн
100+10.54 грн
500+8.07 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.57 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LXHF(CT datasheet_en_20211223.pdf?did=18911
RN2910,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I40A(TE12L,QM CMS20I40A_datasheet_en_20140408.pdf?did=15141&prodName=CMS20I40A
CMS20I40A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30B(TE85L,QM CRS20I30B_datasheet_en_20140221.pdf?did=14944&prodName=CRS20I30B
CRS20I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
12+25.90 грн
100+15.51 грн
500+13.47 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40B(TE85L,QM CRS20I40B_datasheet_en_20190909.pdf?did=15106&prodName=CRS20I40B
CRS20I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+26.44 грн
100+15.89 грн
500+13.80 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I30A(TE85L,QM CRS20I30A_datasheet_en_20110506.pdf?did=2134&prodName=CRS20I30A
CRS20I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
12+26.52 грн
100+15.91 грн
500+13.83 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS20I30A(TE12L,QM
CMS20I30A(TE12L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
10+33.49 грн
100+23.26 грн
500+17.04 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRS20I40A(TE85L,QM CRS20I40A_datasheet_en_20140328.pdf?did=15096&prodName=CRS20I40A
CRS20I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
12+26.21 грн
100+15.73 грн
500+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(TP1,F
TLP240J(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.77 грн
10+97.63 грн
100+70.39 грн
500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240J(LF1,F
TLP240J(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQ TJ90S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58174&prodName=TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.89 грн
10+131.50 грн
100+90.76 грн
500+68.83 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV
DF3A6.8FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FV,L3F DF3A6.8FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=22238&prodName=DF3A6.8FV
DF3A6.8FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
29+10.58 грн
100+5.19 грн
500+4.06 грн
1000+2.82 грн
2000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU
DF3A6.8FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FU,LF DF3A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3406&prodName=DF3A6.8FU
DF3A6.8FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.72 грн
100+6.71 грн
500+5.25 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B
MKZ24V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ24V,LM(B
MKZ24V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 24V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 19V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3484(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-400V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-LDFN
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 180 mA
Supplier Device Package: S-VSON4T (3.4x2.1)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ TJ80S04M3L.pdf
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.95 грн
10+67.90 грн
100+52.85 грн
500+42.04 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22921G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22921G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
11+28.51 грн
100+19.83 грн
500+14.53 грн
1000+11.81 грн
2000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22951G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22951G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 740mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+33.57 грн
100+21.73 грн
500+15.54 грн
1000+13.39 грн
2000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRS10I30A(TE85L,QM datasheet_en_20131101.pdf?did=2155
CRS10I30A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
17+18.16 грн
100+9.14 грн
500+7.60 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+288.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(TP5,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.94 грн
10+405.93 грн
100+335.43 грн
500+275.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(LF1,F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.94 грн
50+405.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3825F(F TLP3825_datasheet_en_20200323.pdf?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825F(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 224  [ Наступна Сторінка >> ]