Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13582) > Сторінка 217 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
21+14.63 грн
100+9.17 грн
500+6.39 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.88 грн
37+8.10 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
6000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.51 грн
26+11.74 грн
100+7.88 грн
500+5.69 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+96.41 грн
25+92.10 грн
50+83.48 грн
100+80.61 грн
250+76.98 грн
500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.51 грн
25+12.11 грн
100+8.13 грн
500+5.86 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) TC74AC540FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
13+23.10 грн
25+20.65 грн
100+16.85 грн
250+15.64 грн
500+14.91 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F TLP223J(F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.05 грн
11+28.08 грн
100+17.97 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC OR 2-CIR 2-IN 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC OR 2-CIR 2-IN 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.34 грн
36+8.32 грн
41+7.34 грн
100+5.87 грн
250+5.38 грн
500+5.08 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.14 грн
10+160.29 грн
25+147.04 грн
100+124.27 грн
250+117.73 грн
500+113.79 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ XPQR8308QB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ XPQR8308QB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.99 грн
10+292.05 грн
50+230.77 грн
100+198.06 грн
500+184.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F TLP171A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F TLP171A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.58 грн
10+110.97 грн
25+105.98 грн
50+96.07 грн
100+92.78 грн
250+88.59 грн
500+84.15 грн
1000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU Description: IC BUFF 2V/5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU Description: IC BUFF 2V/5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
35+8.54 грн
40+7.49 грн
100+5.99 грн
250+5.49 грн
500+5.19 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.55 грн
10+405.69 грн
25+376.04 грн
100+322.31 грн
250+314.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFU,H3F DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU_datasheet_en_20180118.pdf?did=55588&prodName=DF2B7AFU Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
9000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFU,H3F DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU_datasheet_en_20180118.pdf?did=55588&prodName=DF2B7AFU Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 20990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.66 грн
35+8.62 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55583&prodName=DF2B7AE Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55583&prodName=DF2B7AE Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.66 грн
35+8.62 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20H120H,S1Q TRS20H120H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158273&prodName=TRS20H120H Description: DIODE SIL CARB 1200V 61A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.51 грн
30+659.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LXHF(CT RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19027&prodName=RN4906FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LXHF(CT RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19027&prodName=RN4906FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.54 грн
18+17.16 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.70 грн
2000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.70 грн
100+7.95 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
2000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU
SSM5N16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
21+14.63 грн
100+9.17 грн
500+6.39 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302
RN2302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.88 грн
37+8.10 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.46 грн
6000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.51 грн
26+11.74 грн
100+7.88 грн
500+5.69 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
24+12.85 грн
100+8.64 грн
500+6.24 грн
1000+5.62 грн
2000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A
TLP241A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
10+96.41 грн
25+92.10 грн
50+83.48 грн
100+80.61 грн
250+76.98 грн
500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.51 грн
25+12.11 грн
100+8.13 грн
500+5.86 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT
TC74AC540FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
13+23.10 грн
25+20.65 грн
100+16.85 грн
250+15.64 грн
500+14.91 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.05 грн
11+28.08 грн
100+17.97 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OR 2-CIR 2-IN 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OR 2-CIR 2-IN 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.34 грн
36+8.32 грн
41+7.34 грн
100+5.87 грн
250+5.38 грн
500+5.08 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.14 грн
10+160.29 грн
25+147.04 грн
100+124.27 грн
250+117.73 грн
500+113.79 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB
XPQR8308QB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB
XPQR8308QB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.99 грн
10+292.05 грн
50+230.77 грн
100+198.06 грн
500+184.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A
TLP171A(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A
TLP171A(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.58 грн
10+110.97 грн
25+105.98 грн
50+96.07 грн
100+92.78 грн
250+88.59 грн
500+84.15 грн
1000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU
TC7WH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU
TC7WH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
35+8.54 грн
40+7.49 грн
100+5.99 грн
250+5.49 грн
500+5.19 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG
TB9083FTG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG
TB9083FTG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+544.55 грн
10+405.69 грн
25+376.04 грн
100+322.31 грн
250+314.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFU,H3F DF2B7AFU_datasheet_en_20180118.pdf?did=55588&prodName=DF2B7AFU
DF2B7AFU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.95 грн
9000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFU,H3F DF2B7AFU_datasheet_en_20180118.pdf?did=55588&prodName=DF2B7AFU
DF2B7AFU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 20990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.66 грн
35+8.62 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F docget.jsp?did=55583&prodName=DF2B7AE
DF2B7AE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,L3F docget.jsp?did=55583&prodName=DF2B7AE
DF2B7AE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.66 грн
35+8.62 грн
50+6.16 грн
100+5.03 грн
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20H120H,S1Q docget.jsp?did=158273&prodName=TRS20H120H
TRS20H120H,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 1200V 61A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+868.51 грн
30+659.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LXHF(CT RN4906FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19027&prodName=RN4906FE
RN4906FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906FE,LXHF(CT RN4906FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19027&prodName=RN4906FE
RN4906FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.54 грн
18+17.16 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.70 грн
2000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV
SSM3J66MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.70 грн
100+7.95 грн
500+5.52 грн
1000+4.89 грн
2000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.