Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (12996) > Сторінка 26 з 217

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 42 63 84 105 126 147 168 189 210 217  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
товар відсутній
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товар відсутній
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22637&prodName=SSM6J409TU Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.15 грн
8000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.59 грн
8000+ 4.23 грн
12000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE_datasheet_en_20141114.pdf?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.15 грн
8000+ 4.74 грн
12000+ 4.1 грн
28000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11223&prodName=SSM6N35FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
товар відсутній
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.89 грн
8000+ 4.5 грн
12000+ 3.9 грн
28000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
SSM6P35FE(TE85L,F) SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11258&prodName=SSM6P35FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=584&prodName=SSM6P41FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.11 грн
8000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM3J114TU(T5L,T) SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J120TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товар відсутній
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 123927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.25 грн
12+ 23.98 грн
100+ 16.66 грн
500+ 12.21 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J307T(TE85L,F) SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12316&prodName=SSM3J307T Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
товар відсутній
SSM3J321T(TE85L,F) SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12315&prodName=SSM3J321T Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=10012&prodName=SSM3K123TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.96 грн
11+ 27.14 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
товар відсутній
SSM4K27CT(TPL3) SSM4K27CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товар відсутній
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22637&prodName=SSM6J409TU Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.54 грн
11+ 25.35 грн
100+ 15.21 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 8.98 грн
2000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.65 грн
1000+ 4.93 грн
2000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE_datasheet_en_20141114.pdf?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 101076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.54 грн
15+ 19.31 грн
100+ 9.74 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.53 грн
2000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11223&prodName=SSM6N35FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 92917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.11 грн
15+ 18.35 грн
100+ 9.25 грн
500+ 7.08 грн
1000+ 5.26 грн
2000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6N7002BFE(T5L,F SSM6N7002BFE(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
товар відсутній
SSM6N7002BFU(T5L,F SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
14+ 20.48 грн
100+ 10.31 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6P35FE(TE85L,F) SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11258&prodName=SSM6P35FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P41FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=584&prodName=SSM6P41FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
13+ 22.47 грн
100+ 13.48 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 7.96 грн
2000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J120TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товар відсутній
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
RN1403T5LFT RN1403T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товар відсутній
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU.pdf
SSM3K7002BSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
товар відсутній
SSM4K27CTTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT
SSM4K27CTTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товар відсутній
SSM6J409TU(TE85L,F docget.jsp?did=22637&prodName=SSM6J409TU
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+9.15 грн
8000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.59 грн
8000+ 4.23 грн
12000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE_datasheet_en_20141114.pdf?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.15 грн
8000+ 4.74 грн
12000+ 4.1 грн
28000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6N35FE,LM docget.jsp?did=11223&prodName=SSM6N35FE
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
товар відсутній
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE
SSM6N42FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.89 грн
8000+ 4.5 грн
12000+ 3.9 грн
28000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
SSM6P35FE(TE85L,F) docget.jsp?did=11258&prodName=SSM6P35FE
SSM6P35FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=584&prodName=SSM6P41FE
SSM6P41FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+8.11 грн
8000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM3J114TU(T5L,T) docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU
SSM3J114TU(T5L,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J120TU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J120TU
SSM3J120TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товар відсутній
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU
SSM3J130TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 123927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.25 грн
12+ 23.98 грн
100+ 16.66 грн
500+ 12.21 грн
1000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J307T(TE85L,F) docget.jsp?did=12316&prodName=SSM3J307T
SSM3J307T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
товар відсутній
SSM3J321T(TE85L,F) docget.jsp?did=12315&prodName=SSM3J321T
SSM3J321T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3J46CTB(TPL3) docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB
SSM3J46CTB(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=10012&prodName=SSM3K123TU
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.96 грн
11+ 27.14 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU.pdf
SSM3K7002BSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
товар відсутній
SSM4K27CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT
SSM4K27CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товар відсутній
SSM6J409TU(TE85L,F docget.jsp?did=22637&prodName=SSM6J409TU
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.54 грн
11+ 25.35 грн
100+ 15.21 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 8.98 грн
2000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.69 грн
16+ 17.25 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.65 грн
1000+ 4.93 грн
2000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE_datasheet_en_20141114.pdf?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 101076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.54 грн
15+ 19.31 грн
100+ 9.74 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.53 грн
2000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6N35FE,LM docget.jsp?did=11223&prodName=SSM6N35FE
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE
SSM6N42FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 92917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.11 грн
15+ 18.35 грн
100+ 9.25 грн
500+ 7.08 грн
1000+ 5.26 грн
2000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6N7002BFE(T5L,F docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE(T5L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
товар відсутній
SSM6N7002BFU(T5L,F SSM6N7002BFU.pdf
SSM6N7002BFU(T5L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.97 грн
14+ 20.48 грн
100+ 10.31 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6P35FE(TE85L,F) docget.jsp?did=11258&prodName=SSM6P35FE
SSM6P35FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=584&prodName=SSM6P41FE
SSM6P41FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.68 грн
13+ 22.47 грн
100+ 13.48 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 7.96 грн
2000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J120TU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J120TU
SSM3J120TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товар відсутній
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товар відсутній
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товар відсутній
SSM4K27CTTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT
SSM4K27CTTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товар відсутній
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
товар відсутній
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товар відсутній
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товар відсутній
SSM6N42FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N42FE
SSM6N42FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
товар відсутній
RN1403T5LFT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401
RN1403T5LFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 42 63 84 105 126 147 168 189 210 217  Наступна Сторінка >> ]