Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 29 з 227
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2115MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2116MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2117MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2130MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2131MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2132MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RN2301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2302(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RN2309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2310(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RN2401(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2403(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2407(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
RN2422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SSM3J108TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SSM3J112TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SSM3J117TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TA31273FNG(EL) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 450MHz RF Type: AM Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V Supplier Device Package: 20-SSOP Current - Supply: 6.8 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TA31275FNG(O,EL) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 450MHz RF Type: AM, FM Voltage - Supply: 2.4V ~ 5.5V Supplier Device Package: 24-SSOP Current - Supply: 7.3 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TA75W01FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 700µA Gain Bandwidth Product: 300 kHz Current - Input Bias: 45 nA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 8-SSOP Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 40 mA Voltage - Supply Span (Min): 3 V Voltage - Supply Span (Max): 12 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TB6572AFG(O,EL) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TB6585FG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
 |
TC75S51FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP ESV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TC75S51F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 60µA Slew Rate: 0.5V/µs Current - Input Bias: 1 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SMV Part Status: Active Number of Circuits: 1 Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V Voltage - Supply Span (Max): 7 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg "TC75S51FU(TE85L,F)") |
TC75S51FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP USV |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
TC75S60FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP USV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TC75W51FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TC75W60FK(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 8SSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TC75W60FU(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 8SSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TC7PA34FU(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INV DUAL 6SSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
 |
TC7PG04AFE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER DUAL 1INPUT ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
TC7PG34AFE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERTER ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
TC7PH34FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TK20A60U(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TK40P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A DP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
 |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| TLP117(TPR,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads Output Type: Push-Pull, Totem Pole Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V Data Rate: 50MBd Input Type: DC Voltage - Isolation: 3750Vrms Current - DC Forward (If) (Max): 25mA Inputs - Side 1/Side 2: 1/0 Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - Output / Channel: 10 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TLP1243(C8) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS Packaging: Tube Sensing Distance: 0.197" (5mm) Operating Temperature: -30°C ~ 95°C Output Configuration: Phototransistor Response Time: 15µs Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TLP160G(U,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP Packaging: Tube Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Output Type: Triac Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UR Current - Hold (Ih): 600µA (Typ) Turn On Time: 30µs Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead Zero Crossing Circuit: No Static dV/dt (Min): 200V/µs Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA Number of Channels: 1 Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA Voltage - Off State: 400 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TLP161G(TPR,U,C,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Output Type: Triac Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UR Current - Hold (Ih): 600µA (Typ) Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead Zero Crossing Circuit: Yes Static dV/dt (Min): 200V/µs Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA Voltage - Off State: 400 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TLP168J(U,C,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: OPTOISOLATOR 2.5KV TRIAC 6MFSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
 |
TLP197GA(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V Packaging: Tube Package / Case: 6-SMD, Gull Wing Output Type: AC, DC Mounting Type: Surface Mount Voltage - Input: 1.15VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Gull Wing Load Current: 120 mA Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm) Voltage - Load: 0 V ~ 400 V On-State Resistance (Max): 35 Ohms |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
TLP197G(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V Packaging: Tube Package / Case: 6-SMD, Gull Wing Output Type: AC, DC Mounting Type: Surface Mount Voltage - Input: 1.15VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: Gull Wing Load Current: 120 mA Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm) Voltage - Load: 0 V ~ 350 V On-State Resistance (Max): 35 Ohms |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TLP2116(TP,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Push-Pull, Totem Pole Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V Data Rate: 15MBd Input Type: DC Voltage - Isolation: 2500Vrms Current - DC Forward (If) (Max): 20mA Inputs - Side 1/Side 2: 2/0 Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns Number of Channels: 2 Current - Output / Channel: 10 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2115MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2116MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2117MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2118MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2119MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2130MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2131MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2132MFV(TPL3) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2301,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2302(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2304(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2307(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2309(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2310(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2311(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2312(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2313(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2314(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2315TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2316(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2317(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2318(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2401(T5L,F,T) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2403(T5L,F,T) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2407(T5L,F,T) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2412TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2413TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2422TE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3J108TU(TE85L) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3J112TU(TE85L) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3J117TU(TE85L) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TA31273FNG(EL) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 450MHz
RF Type: AM
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Current - Supply: 6.8 mA
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 450MHz
RF Type: AM
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Current - Supply: 6.8 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TA31275FNG(O,EL) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 450MHz
RF Type: AM, FM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Current - Supply: 7.3 mA
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 450MHz
RF Type: AM, FM
Voltage - Supply: 2.4V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Current - Supply: 7.3 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TA75W01FU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 700µA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 45 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 700µA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 45 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.81 грн |
| TB6572AFG(O,EL) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TB6585FG,EL |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC75S51FETE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP ESV
Description: IC OPAMP GP ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC75S51F,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.46 грн |
| TC75S51FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP USV
Description: IC OPAMP GP USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC75S60FU(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP USV
Description: IC OPAMP GP USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC75W51FU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC75W60FK(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC75W60FU(TE12L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
Description: IC OPAMP GP 8SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7PA34FU(T5L,F,T) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INV DUAL 6SSOP
Description: IC BUFFER NON-INV DUAL 6SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7PG04AFE(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER DUAL 1INPUT ES6
Description: IC INVERTER DUAL 1INPUT ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7PG34AFE(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTER ES6
Description: IC BUFFER NON-INVERTER ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TC7PH34FE(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V ES6
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TK20A60U(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TK40P03M1(T6RSS-Q) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK40P04M1(T6RSS-Q) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 40V 40A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK4A60DA(STA4,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK8A50D(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.58 грн |
| 10+ | 96.56 грн |
| 50+ | 73.19 грн |
| TLP117(TPR,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP1243(C8) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS
Packaging: Tube
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 15µs
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS
Packaging: Tube
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 15µs
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP160G(U,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP161G(TPR,U,C,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP168J(U,C,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 2.5KV TRIAC 6MFSOP
Description: OPTOISOLATOR 2.5KV TRIAC 6MFSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLP197GA(F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLP197G(F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 350 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 350 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.40 грн |
| 75+ | 148.37 грн |
| TLP2116(TP,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.