Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 29 з 217
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TLP285(TP,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Transistor Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 110°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V Input Type: DC Current - Output / Channel: 50mA Voltage - Isolation: 3750Vrms Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA Vce Saturation (Max): 400mV Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA Supplier Device Package: 4-SOP Voltage - Output (Max): 80V Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs Part Status: Obsolete Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
товар відсутній |
||
TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
TPCC8103(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
TPCC8A01-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
TPCP8103-H(TE85LFM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
CMH05A(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT |
на замовлення 8411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
CMH08A(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
CRY68(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT |
на замовлення 5456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
CRY75(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT |
на замовлення 4441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SSM3K106TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM |
товар відсутній |
||
SSM3K15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 |
товар відсутній |
||
SSM3K303T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM |
товар відсутній |
||
SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 2A ES6 |
на замовлення 7491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 |
на замовлення 7641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
TB62217AFG(O) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC MOTOR DRIVER SER 64HQFP |
товар відсутній |
||
TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
товар відсутній |
||
TPCC8103(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
1SS314TPH3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE VHF SW BAND USC |
товар відсутній |
||
1SS419(TPL3,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SESC |
товар відсутній |
||
1SV290B(TH3,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE VAR 30V CATV 2ESD ESC |
товар відсутній |
||
2SA1362-GR(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI |
товар відсутній |
||
CUS06(TE85L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A USFLAT |
товар відсутній |
||
DF2S24FS(TH3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 19VWM 22.8VC FSC |
товар відсутній |
||
DF2S6.8CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 5VWM CST2 |
товар відсутній |
||
DF2S6.8FS(TH3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 5VWM 9VC FSC |
товар відсутній |
||
JDV2S25FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE VAR 10V VHF FSC |
товар відсутній |
||
JDV2S25SC(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE VAR 10V UHF SC2 |
товар відсутній |
||
RN1101MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1102T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
товар відсутній |
||
RN1103MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1104T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
товар відсутній |
||
RN1106T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN1108MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1109MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1111MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1112MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1113MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1114MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1115MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1116MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1117MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1132MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN1301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
товар відсутній |
||
RN1304TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN1307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN1308,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN1309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN1311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
TLP285(TP,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
TPCC8001-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8002-H(TE12L,Q |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8002-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8003-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
товар відсутній
TPCC8005-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
товар відсутній
TPCC8006-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8008(TE12L,QM) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TPCC8103(TE12L,QM) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TPCC8A01-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
товар відсутній
TPCP8004(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V
товар відсутній
TPCP8103-H(TE85LFM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8 (2.9x2.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товар відсутній
CMH05A(TE12L,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
на замовлення 8411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CMH08A(TE12L,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CRY68(TE85L,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
на замовлення 5456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)CRY75(TE85L,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT
Description: DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SSM3K106TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товар відсутній
SSM3K15CT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товар відсутній
SSM3K303T(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товар відсутній
SSM6J206FE(TE85L,F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Description: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 7491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SSM6J207FE,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
на замовлення 7641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TB62217AFG(O) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER SER 64HQFP
Description: IC MOTOR DRIVER SER 64HQFP
товар відсутній
TPCC8001-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8003-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
товар відсутній
TPCC8006-H(TE12LQM |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
товар відсутній
TPCC8103(TE12L,QM) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
Description: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)1SS314TPH3F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VHF SW BAND USC
Description: DIODE VHF SW BAND USC
товар відсутній
1SS419(TPL3,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SESC
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SESC
товар відсутній
1SV290B(TH3,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VAR 30V CATV 2ESD ESC
Description: DIODE VAR 30V CATV 2ESD ESC
товар відсутній
2SA1362-GR(T5L,F,T |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
товар відсутній
CUS06(TE85L,Q) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A USFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A USFLAT
товар відсутній
DF2S24FS(TH3,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22.8VC FSC
Description: TVS DIODE 19VWM 22.8VC FSC
товар відсутній
DF2S6.8CT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST2
Description: TVS DIODE 5VWM CST2
товар відсутній
DF2S6.8FS(TH3,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC FSC
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC FSC
товар відсутній
JDV2S25FS(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VAR 10V VHF FSC
Description: DIODE VAR 10V VHF FSC
товар відсутній
JDV2S25SC(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VAR 10V UHF SC2
Description: DIODE VAR 10V UHF SC2
товар відсутній
RN1101MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1102T5LFT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN1103MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1104T5LFT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1106T5LFT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM
Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1108MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1109MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1111MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1112MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1113MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1114MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1115MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1116MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1117MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1118MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1119MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1132MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товар відсутній
RN1301,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
RN1304TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товар відсутній
RN1307(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товар відсутній
RN1308,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1309(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товар відсутній
RN1311(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товар відсутній
RN1312(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)