Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 27 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TA48M025F(T6L1,SNQ TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48MxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M0345F(6L1,SNQ TA48M0345F(6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48MxxF.pdf Description: IC REG LIN 3.45V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M03F(T6L1,SNQ) TA48M03F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48MxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 3V 500MA PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.4 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MOLD
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M04F(T6L1,SNQ) TA48M04F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48MxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 4V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M05F(T6L1,SNQ) TA48M05F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48MxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S00AF(T6L1,Q) TA48S00AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S00AF.pdf Description: IC REG LDO ADJ 1A 5HSIP
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S015AF(T6L1,Q) TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S(AF).pdf Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 5HSIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.7 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-HSIP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 67dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.9V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 20 mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S018AF(T6L1,Q) TA48S018AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 1.8V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S025AF(T6L1,Q) TA48S025AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 2.5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S033AF(T6L1,Q) TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 3.3V 1A 5HSIP
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S09AF(T6L1,Q) TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S(AF).pdf Description: IC REG LINEAR 9V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S00AF(T6L1,Q) TA48S00AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S00AF.pdf Description: IC REG LDO ADJ 1A 5HSIP
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S018AF(T6L1,Q) TA48S018AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 1.8V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S025AF(T6L1,Q) TA48S025AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 2.5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S033AF(T6L1,Q) TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF Description: IC REG LDO 3.3V 1A 5HSIP
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281 Description: DIODE VCO V/UHF 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.0
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.84 грн
8000+5.17 грн
12000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4N36(SHORT,F) 4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35,36,37%20Short.pdf Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 40% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMF04(TE12L,Q,M) CMF04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE STANDARD 800V 500MA MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMF05(TE12L,Q,M) CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05_2-17-10.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 500MA MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+8.73 грн
9000+8.64 грн
15000+8.07 грн
21000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMH05A(TE12L,Q,M) CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=685&prodName=CMH05A Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CMH08A(TE12L,Q,M) CMH08A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE STANDARD 400V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY75(TE85L,Q,M) CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRY62 Description: DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRY82(TE85L,Q,M) CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3175&prodName=CRY82 Description: DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L) SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K106TU Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3) SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15CT Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LF SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F) SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K303T Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE(TE85L,F SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE_datasheet_en_20220203.pdf?did=7258&prodName=SSM6K202FE Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.29 грн
8000+11.97 грн
12000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L033F(TE12L,F) TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2939HQ TB2939HQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC AMP BTL AUDIO 45W 4CH HZIP25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2955HQ(O) TB2955HQ(O) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC AMP BTL AUDIO 45W 4CH HZIP25
Packaging: Tube
Package / Case: 25-SIP Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 25-HZIP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62217AFG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB62217AFG_DS.pdf Description: IC MOTOR DRIVER SER 64HQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100F04K3(TE24L,Q TK100F04K3(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100F04K3 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M) TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M) TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22751&prodName=TK3A60DA Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(STA4,Q,M) TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q) TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q) TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1376&prodName=TK50P04M1 Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M) TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22758&prodName=TK5A65D Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP166J(V4,C,F) TLP166J(V4,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2095(F) TLP2095(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2098(F) TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2105(F) TLP2105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105_datasheet_en_20191119.pdf?did=12361&prodName=TLP2105 Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2108(F) TLP2108(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12344&prodName=TLP2108 Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2116(F) TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2166A(F) TLP2166A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A_datasheet_en_20190603.pdf?did=12349&prodName=TLP2166A Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP227G(F) TLP227G(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 350 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP285(TP,F) TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358(F) TLP358(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER 6A 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(F) TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 6-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP591B(C,F) TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 2.5KV 1CH PHVOLT 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 24µA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Supplier Device Package: 6-DIP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 3ms
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
50+117.02 грн
100+109.49 грн
500+90.17 грн
1000+86.08 грн
2000+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8001-H(TE12LQM TPCC8001-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8002-H(TE12L,Q TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8002-H(TE12LQM TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8003-H(TE12LQM TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M025F(T6L1,SNQ TA48MxxF.pdf
TA48M025F(T6L1,SNQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M0345F(6L1,SNQ TA48MxxF.pdf
TA48M0345F(6L1,SNQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LIN 3.45V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M03F(T6L1,SNQ) TA48MxxF.pdf
TA48M03F(T6L1,SNQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 500MA PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.4 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MOLD
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M04F(T6L1,SNQ) TA48MxxF.pdf
TA48M04F(T6L1,SNQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48M05F(T6L1,SNQ) TA48MxxF.pdf
TA48M05F(T6L1,SNQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 500MA PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S00AF(T6L1,Q) TA48S00AF.pdf
TA48S00AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO ADJ 1A 5HSIP
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S015AF(T6L1,Q) TA48S(AF).pdf
TA48S015AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 5HSIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.7 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-HSIP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 67dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.9V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 20 mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S018AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S018AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S025AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S025AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S033AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S033AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.3V 1A 5HSIP
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S09AF(T6L1,Q) TA48S(AF).pdf
TA48S09AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 9V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S00AF(T6L1,Q) TA48S00AF.pdf
TA48S00AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO ADJ 1A 5HSIP
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S018AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S018AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S025AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S025AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S033AF(T6L1,Q) docget.jsp?did=7152&prodName=TA48S015AF
TA48S033AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.3V 1A 5HSIP
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281
1SV281(TPH3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VCO V/UHF 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.0
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.84 грн
8000+5.17 грн
12000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
4N36(SHORT,F) 4N35,36,37%20Short.pdf
4N36(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 40% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMF04(TE12L,Q,M)
CMF04(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 800V 500MA MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMF05(TE12L,Q,M) CMF05_2-17-10.pdf
CMF05(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 1000V 500MA MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.67 грн
6000+8.73 грн
9000+8.64 грн
15000+8.07 грн
21000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMH05A(TE12L,Q,M) docget.jsp?did=685&prodName=CMH05A
CMH05A(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CMH08A(TE12L,Q,M)
CMH08A(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 400V 2A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY75(TE85L,Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRY62
CRY75(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRY82(TE85L,Q,M) docget.jsp?did=3175&prodName=CRY82
CRY82(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 8.2V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K106TU
SSM3K106TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15CT
SSM3K15CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15FS,LF Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K15FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K303T
SSM3K303T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K35MFV(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE(TE85L,F SSM6J206FE.pdf
SSM6J206FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6J207FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K202FE,LF SSM6K202FE_datasheet_en_20220203.pdf?did=7258&prodName=SSM6K202FE
SSM6K202FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.29 грн
8000+11.97 грн
12000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L033F(TE12L,F)
TA48L033F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2939HQ
TB2939HQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AMP BTL AUDIO 45W 4CH HZIP25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2955HQ(O)
TB2955HQ(O)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AMP BTL AUDIO 45W 4CH HZIP25
Packaging: Tube
Package / Case: 25-SIP Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 25-HZIP
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62217AFG(O) TB62217AFG_DS.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER SER 64HQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK100F04K3(TE24L,Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100F04K3
TK100F04K3(TE24L,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK13A65U(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK13A65U(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(Q,M) docget.jsp?did=22751&prodName=TK3A60DA
TK3A60DA(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60D(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK4A60D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q) TK50P04M1_datasheet_en_20160217.pdf?did=1376&prodName=TK50P04M1
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M) TK5A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22758&prodName=TK5A65D
TK5A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D
TK8A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP166J(V4,C,F)
TLP166J(V4,C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRIAC 1CH 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Approval Agency: UR, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2095(F)
TLP2095(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2098(F)
TLP2098(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: AC, DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2105(F) TLP2105_datasheet_en_20191119.pdf?did=12361&prodName=TLP2105
TLP2105(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2108(F) docget.jsp?did=12344&prodName=TLP2108
TLP2108(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2116(F)
TLP2116(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2166A(F) TLP2166A_datasheet_en_20190603.pdf?did=12349&prodName=TLP2166A
TLP2166A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 2/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 2
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP227G(F)
TLP227G(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 350 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP285(TP,F)
TLP285(TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP358(F)
TLP358(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER 6A 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(F)
TLP512(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 6-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP591B(C,F)
TLP591B(C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV 1CH PHVOLT 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 24µA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Supplier Device Package: 6-DIP, 5 Lead
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 3ms
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.43 грн
50+117.02 грн
100+109.49 грн
500+90.17 грн
1000+86.08 грн
2000+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8001-H(TE12LQM TPCC8001-H.pdf
TPCC8001-H(TE12LQM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8002-H(TE12L,Q TPCC8002-H.pdf
TPCC8002-H(TE12L,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8002-H(TE12LQM TPCC8002-H.pdf
TPCC8002-H(TE12LQM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8003-H(TE12LQM TPCC8003-H.pdf
TPCC8003-H(TE12LQM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]