Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 25 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J307T(TE85L,F) SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.20 грн
9000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5965&prodName=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
8000+4.57 грн
12000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N42FE(TE85L,F) SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.15 грн
8000+4.49 грн
12000+4.25 грн
20000+3.73 грн
28000+3.58 грн
40000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.77 грн
12000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.45 грн
8000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
13+23.69 грн
100+16.09 грн
500+11.82 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 14918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
11+28.97 грн
50+21.15 грн
100+17.45 грн
500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CT(TPL3) SSM4K27CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.11 грн
13+24.73 грн
100+16.54 грн
500+12.69 грн
1000+10.38 грн
2000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.77 грн
16+18.64 грн
100+9.39 грн
500+7.19 грн
1000+5.33 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.22 грн
20+15.37 грн
100+9.66 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+14.93 грн
100+9.37 грн
500+6.53 грн
1000+5.79 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE(T5L,F SSM6N7002BFE(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU(T5L,F SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 34620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
14+21.76 грн
50+15.72 грн
100+12.92 грн
500+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 11392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
13+24.07 грн
100+15.34 грн
500+10.86 грн
1000+9.72 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403T5LFT RN1403T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA48015BF(T6L1,NQ) TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48025BF(T6L1,NQ) TA48025BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8515&prodName=TA48025BF Description: IC REG LINEAR 2.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J307T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J321T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB
SSM3J46CTB(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.20 грн
9000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU.pdf
SSM3K7002BSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5965&prodName=SSM4K27CT
SSM4K27CTTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.96 грн
8000+4.57 грн
12000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N42FE(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N42FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.15 грн
8000+4.49 грн
12000+4.25 грн
20000+3.73 грн
28000+3.58 грн
40000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.77 грн
12000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6P35FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE
SSM6P41FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.45 грн
8000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU
SSM3J114TU(T5L,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU
SSM3J120TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU
SSM3J130TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
13+23.69 грн
100+16.09 грн
500+11.82 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J321T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB
SSM3J46CTB(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 14918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.59 грн
11+28.97 грн
50+21.15 грн
100+17.45 грн
500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT
SSM4K27CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.11 грн
13+24.73 грн
100+16.54 грн
500+12.69 грн
1000+10.38 грн
2000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.77 грн
16+18.64 грн
100+9.39 грн
500+7.19 грн
1000+5.33 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.22 грн
20+15.37 грн
100+9.66 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+14.93 грн
100+9.37 грн
500+6.53 грн
1000+5.79 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE(T5L,F docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE(T5L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU(T5L,F SSM6N7002BFU.pdf
SSM6N7002BFU(T5L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 34620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+21.76 грн
50+15.72 грн
100+12.92 грн
500+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6P35FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE
SSM6P41FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 11392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.88 грн
13+24.07 грн
100+15.34 грн
500+10.86 грн
1000+9.72 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403T5LFT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401
RN1403T5LFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA48015BF(T6L1,NQ) docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF
TA48015BF(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48025BF(T6L1,NQ) docget.jsp?did=8515&prodName=TA48025BF
TA48025BF(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.