Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 25 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP117(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP109(E TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM)_datasheet_en_20260115.pdf?did=2465&prodName=TLP109(IGM) Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 800ns, 800ns (Max)
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 8mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.64V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+66.93 грн
125+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700(F) TLP700(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Approval Agency: UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1.5A, 1.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(F) TLP715(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP718(F) TLP718(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22613&prodName=TLP718 Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6DIP GW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP108(F) TLP108(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003AFWG,O,N,E ULN2003AFWG,O,N,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7063&prodName=ULN2003APG Description: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 8 NPN Darlington
Logic Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 30V
Power - Max: 480mW
Current - Output High, Low: 268mA, 90mA
Number of Inputs: 8
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS381,L3F 1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 2mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: ESC
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62004AFG,N,EL TD62004AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVER 7/0 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 50V
Number of Drivers/Receivers: 7/0
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
6000+9.22 грн
9000+8.83 грн
15000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307T(TE85L,F) SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
6000+8.13 грн
9000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5965&prodName=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.99 грн
8000+4.59 грн
12000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N42FE(TE85L,F) SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.17 грн
8000+4.51 грн
12000+4.27 грн
20000+3.75 грн
28000+3.60 грн
40000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.54 грн
8000+6.62 грн
12000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.49 грн
8000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
13+23.80 грн
100+16.16 грн
500+11.87 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
12+24.92 грн
100+16.04 грн
500+11.74 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) SSM3K318T(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CT(TPL3) SSM4K27CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+24.85 грн
100+16.62 грн
500+12.75 грн
1000+10.42 грн
2000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
16+18.73 грн
100+9.43 грн
500+7.22 грн
1000+5.36 грн
2000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
20+15.45 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
20+15.00 грн
100+9.42 грн
500+6.56 грн
1000+5.82 грн
2000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP117(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP109(E TLP109(IGM)_datasheet_en_20260115.pdf?did=2465&prodName=TLP109(IGM)
TLP109(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH TRANS 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 800ns, 800ns (Max)
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 8mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.64V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Packaging: Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.41 грн
10+66.93 грн
125+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700(F)
TLP700(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SDIP
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Approval Agency: UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1.5A, 1.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(F)
TLP715(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP718(F) docget.jsp?did=22613&prodName=TLP718
TLP718(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6DIP GW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP108(F)
TLP108(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-MFSOP
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2003AFWG,O,N,E docget.jsp?did=7063&prodName=ULN2003APG
ULN2003AFWG,O,N,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ULN2803AFWG,C,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 8 NPN Darlington
Logic Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 30V
Power - Max: 480mW
Current - Output High, Low: 268mA, 90mA
Number of Inputs: 8
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS381,L3F
1SS381,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz
Resistance @ If, F: 900mOhm @ 2mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: ESC
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62004AFG,N,EL
TD62004AFG,N,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 7/0 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 50V
Number of Drivers/Receivers: 7/0
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU
SSM3J114TU(T5L,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU
SSM3J120TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU
SSM3J130TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.37 грн
6000+9.22 грн
9000+8.83 грн
15000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J307T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J321T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB
SSM3J46CTB(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.04 грн
6000+8.13 грн
9000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LF SSM3K7002BSU.pdf
SSM3K7002BSU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CTTPL3 SSM4K27CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5965&prodName=SSM4K27CT
SSM4K27CTTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST4 (1.2x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.99 грн
8000+4.59 грн
12000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N42FE(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N42FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.17 грн
8000+4.51 грн
12000+4.27 грн
20000+3.75 грн
28000+3.60 грн
40000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.54 грн
8000+6.62 грн
12000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6P35FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F) docget.jsp?did=584&prodName=SSM6P41FE
SSM6P41FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.49 грн
8000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T) docget.jsp?did=6714&prodName=SSM3J114TU
SSM3J114TU(T5L,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LF SSM3J120TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6719&prodName=SSM3J120TU
SSM3J120TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J129TU
SSM3J129TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF SSM3J130TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=481&prodName=SSM3J130TU
SSM3J130TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
13+23.80 грн
100+16.16 грн
500+11.87 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3J321T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3) docget.jsp?did=1707&prodName=SSM3J46CTB
SSM3J46CTB(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
12+24.92 грн
100+16.04 грн
500+11.74 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K315T
SSM3K315T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F) SSM3K316T.pdf
SSM3K316T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM4K27CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM4K27CT
SSM4K27CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V .5A CST4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5G10TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5G10TU
SSM5G10TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H12TU(TE85L,F) docget.jsp?did=12336&prodName=SSM5H12TU
SSM5H12TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,F Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6J409TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J51TUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J51TU
SSM6J51TUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 4A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J53FE(TE85L,F) SSM6J53FE.pdf
SSM6J53FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K211FE,LF SSM6K211FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=12358&prodName=SSM6K211FE
SSM6K211FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
13+24.85 грн
100+16.62 грн
500+12.75 грн
1000+10.42 грн
2000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FE,LM SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
16+18.73 грн
100+9.43 грн
500+7.22 грн
1000+5.36 грн
2000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L36FE,LM docget.jsp?did=11738&prodName=SSM6L36FE
SSM6L36FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
20+15.45 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM6N35FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3) docget.jsp?did=968&prodName=SSM6N37CTD
SSM6N37CTD(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM docget.jsp?did=366&prodName=SSM6N44FE
SSM6N44FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
20+15.00 грн
100+9.42 грн
500+6.56 грн
1000+5.82 грн
2000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 44 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]