Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (12996) > Сторінка 30 з 217
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RN1311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN1313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
товар відсутній |
||
RN1314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN1315(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN1405T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
RN1407T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
RN2101MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2103MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2105MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2107MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2108MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2109MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2110MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2111MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2112MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2113MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2114MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2115MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2116MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2117MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
товар відсутній |
||
RN2119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
товар відсутній |
||
RN2130MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2131MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2132MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM |
товар відсутній |
||
RN2301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
товар відсутній |
||
RN2302(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM |
товар відсутній |
||
RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||
RN2307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||
RN2308(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||
RN2309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
товар відсутній |
||
RN2310(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN2317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
товар відсутній |
||
RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
товар відсутній |
||
RN2401(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
RN2403(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
RN2407(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
товар відсутній |
||
RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
товар відсутній |
||
RN2422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
товар відсутній |
||
SSM3J108TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
SSM3J112TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM |
товар відсутній |
||
SSM3J117TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM |
товар відсутній |
||
TA31273FNG(EL) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP |
товар відсутній |
||
TA31275FNG(O,EL) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP |
товар відсутній |
||
TA75W01FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT SM8 |
товар відсутній |
||
TB6572AFG(O,EL) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP |
товар відсутній |
||
TB6585FG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP |
товар відсутній |
||
TC75S51FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: IC OPAMP GP ESV |
товар відсутній |
||
TC75S51F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 60µA Slew Rate: 0.5V/µs Current - Input Bias: 1 pA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: SMV Part Status: Active Number of Circuits: 1 Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V Voltage - Supply Span (Max): 7 V |
товар відсутній |
RN1311(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товар відсутній
RN1312(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1313(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
товар відсутній
RN1314(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1315(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товар відсутній
RN1316,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товар відсутній
RN1317(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товар відсутній
RN1318(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товар відсутній
RN1405T5LFT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товар відсутній
RN1407T5LFT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товар відсутній
RN2101MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2103MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2105MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2107MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2108MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2109MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2110MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2111MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2112MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2113MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2114MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2115MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2116MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2117MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2118MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
товар відсутній
RN2119MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
товар відсутній
RN2130MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2131MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2132MFV(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
товар відсутній
RN2301,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN2302(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 100MW USM
товар відсутній
RN2304(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2307(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2308(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2309(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
RN2310(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2311(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2312(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2313(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2314(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2315TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2316(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2317(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN2318(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2401(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товар відсутній
RN2403(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товар відсутній
RN2407(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товар відсутній
RN2412TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
товар відсутній
RN2413TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
товар відсутній
RN2422TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товар відсутній
SSM3J108TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM3J112TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
товар відсутній
SSM3J117TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
Description: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
товар відсутній
TA31273FNG(EL) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 20SSOP
товар відсутній
TA31275FNG(O,EL) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
Description: IC RF DETECT 240-450MHZ 24SSOP
товар відсутній
TA75W01FU,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT SM8
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT SM8
товар відсутній
TB6572AFG(O,EL) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
Description: IC MOTOR CONTROLLER PAR 52QFP
товар відсутній
TB6585FG,EL |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 36HSOP
товар відсутній
TC75S51FETE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP ESV
Description: IC OPAMP GP ESV
товар відсутній
TC75S51F,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 60µA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товар відсутній