Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5817) > Сторінка 97 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 92 93 94 95 96 97
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KBPC3510W GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf description Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150kr20a.pdf Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a150.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a060.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A200 MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a200.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR86 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2358.74 грн
2+2071.00 грн
30+2008.31 грн
120+1991.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.52 грн
3+358.55 грн
7+339.43 грн
10+334.85 грн
50+326.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3593.68 грн
3+3247.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8190.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.09 грн
3+288.98 грн
9+287.45 грн
10+275.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.19 грн
4+292.03 грн
5+291.27 грн
9+275.98 грн
100+272.16 грн
250+265.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.63 грн
3+402.12 грн
7+379.95 грн
120+365.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Max. load current: 33A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.52 грн
5+205.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.96 грн
3+439.58 грн
6+415.88 грн
30+411.29 грн
60+399.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD05MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Max. load current: 21A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+361.43 грн
3+327.20 грн
8+309.62 грн
10+297.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.02 грн
5+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.39 грн
3+614.65 грн
10+596.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3510W description kbpc3506w.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
150KR80A 150kr20a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR86 br86.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR88 br86.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR82 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20045 mbrh20060.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20060R mbrh20060.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M s70k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 fr70b05.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Case: TO247-4
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2358.74 грн
2+2071.00 грн
30+2008.31 грн
120+1991.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 63A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-4
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1080.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5006EA960C7&compId=G2R1000MT17J.pdf?ci_sign=9f1568725f74f7b947922ae5bebc5e8f409c5571
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
Case: TO263-7
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.52 грн
3+358.55 грн
7+339.43 грн
10+334.85 грн
50+326.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571ADC0C7&compId=G3R20MT12N.pdf?ci_sign=867d61cd446a78630c72e74f61a8649267248476
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3593.68 грн
3+3247.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B040C7&compId=G3R20MT17N.pdf?ci_sign=afc1eeace1efd0fdabc1ddaf96306901c2848764
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8190.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B540C7&compId=G3R350MT12J.pdf?ci_sign=bef8077c9190b9467b7b0ad2edbd6d200231deb8
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Technology: G3R™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.09 грн
3+288.98 грн
9+287.45 грн
10+275.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+367.19 грн
4+292.03 грн
5+291.27 грн
9+275.98 грн
100+272.16 грн
250+265.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 27A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.63 грн
3+402.12 грн
7+379.95 грн
120+365.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 68A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 459W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 155nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Max. off-state voltage: 3.3kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Max. load current: 33A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.52 грн
5+205.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.96 грн
3+439.58 грн
6+415.88 грн
30+411.29 грн
60+399.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 5A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tube
Max. load current: 21A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+361.43 грн
3+327.20 грн
8+309.62 грн
10+297.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.02 грн
5+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.39 грн
3+614.65 грн
10+596.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FF520C7&compId=GB01SLT06-214.pdf?ci_sign=46b721560c9c4ae69c2461509e665c72076e625f
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F0C0C7&compId=GB01SLT12-214.pdf?ci_sign=1a27e0d251e1ef15eaa527409a4d59f19d8e34a1
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793F340C7&compId=GB02SLT12-214.pdf?ci_sign=aa4195c60dcde06bd2fa2d1777fb0c659414c11e
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 92 93 94 95 96 97