Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119476) > Сторінка 1970 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1972 1973 1974 1975 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2132JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES irfb31n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF IRFP4332PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4332pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.07 грн
5+92.49 грн
10+85.00 грн
50+70.00 грн
75+66.66 грн
150+60.00 грн
450+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ir2183-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50SXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+663.17 грн
50+554.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB035N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.95 грн
10+303.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.41 грн
5+320.81 грн
10+292.48 грн
30+264.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.36 грн
5+372.48 грн
10+357.48 грн
30+323.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP40R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2 BTS740S2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS740S2.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5÷8.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5...8.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20-W
On-state resistance: 15mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+599.45 грн
10+398.31 грн
100+329.15 грн
250+304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-G FM24C16B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-GTR FM24C16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327 BAS7007E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007WH6327XTSA1 BAS7007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Case: SOT343
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB065N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDM02G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 1.2µA
Load current: 2A
Power dissipation: 98W
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 31A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G INFINEON TECHNOLOGIES BTS640S2G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+452.28 грн
10+309.15 грн
100+249.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.96 грн
10+109.99 грн
50+90.83 грн
100+85.83 грн
250+79.16 грн
500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
на замовлення 9310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.46 грн
17+25.25 грн
50+18.58 грн
100+16.50 грн
250+14.08 грн
500+12.42 грн
1000+10.67 грн
1300+10.08 грн
2500+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.61 грн
16+26.58 грн
100+16.83 грн
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.92 грн
22+19.83 грн
24+17.42 грн
100+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts6342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.72 грн
22+19.83 грн
25+16.83 грн
50+14.83 грн
100+13.33 грн
500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.07 грн
13+32.83 грн
15+28.83 грн
50+20.33 грн
100+17.42 грн
500+12.50 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.00 грн
18+23.83 грн
100+14.75 грн
250+12.42 грн
500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.04 грн
5+115.83 грн
10+102.49 грн
50+76.66 грн
100+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.32 грн
10+190.82 грн
20+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.65 грн
10+173.32 грн
20+156.66 грн
50+139.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB054N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB034N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA1 2EDS8165HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDF7xx5F_K_H.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16
Output current: -2...1A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.5V; 4.5...20V
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 89W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 22µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 84A
Power dissipation: 165W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar66series.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; SOT23; double series; Ifsm: 12A
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.15 грн
34+12.50 грн
39+10.83 грн
46+9.08 грн
100+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SOD323; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.87 грн
63+6.67 грн
73+5.75 грн
85+4.92 грн
100+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64-04.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.08 грн
63+6.67 грн
69+6.08 грн
81+5.17 грн
100+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.61 грн
50+8.67 грн
100+7.92 грн
500+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.67 грн
47+9.00 грн
54+7.83 грн
66+6.40 грн
100+4.32 грн
250+3.33 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.54 грн
34+12.50 грн
100+7.50 грн
250+6.08 грн
650+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SC79
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Capacitance: 0.5pF
Leakage current: 20nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; Ufmax: 1.1V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.1A; Ufmax: 1.2V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.1A; Ufmax: 1.2V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common anode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR67-02V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcc0e8f30749 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD
Mounting: SMD
Type of diode: switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP irfb31n20dpbf.pdf
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF description irfp4332pbf.pdf
IRFP4332PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF.pdf
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+148.07 грн
5+92.49 грн
10+85.00 грн
50+70.00 грн
75+66.66 грн
150+60.00 грн
450+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF infineon-ir2183-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50SXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+663.17 грн
50+554.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3G-DTE.pdf
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.95 грн
10+303.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.41 грн
5+320.81 грн
10+292.48 грн
30+264.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+425.36 грн
5+372.48 грн
10+357.48 грн
30+323.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2 description BTS740S2.pdf
BTS740S2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5÷8.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5...8.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20-W
On-state resistance: 15mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.45 грн
10+398.31 грн
100+329.15 грн
250+304.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-G Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C16B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-GTR Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7007E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6433HTMA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007WH6327XTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Case: SOT343
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3G-DTE.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5-DTE.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 1.2µA
Load current: 2A
Power dissipation: 98W
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 31A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G.pdf
BTS640S2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.28 грн
10+309.15 грн
100+249.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.96 грн
10+109.99 грн
50+90.83 грн
100+85.83 грн
250+79.16 грн
500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2W
на замовлення 9310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.46 грн
17+25.25 грн
50+18.58 грн
100+16.50 грн
250+14.08 грн
500+12.42 грн
1000+10.67 грн
1300+10.08 грн
2500+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF irlts2242pbf.pdf
IRLTS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.61 грн
16+26.58 грн
100+16.83 грн
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF irfts8342pbf.pdf
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.92 грн
22+19.83 грн
24+17.42 грн
100+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.72 грн
22+19.83 грн
25+16.83 грн
50+14.83 грн
100+13.33 грн
500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.07 грн
13+32.83 грн
15+28.83 грн
50+20.33 грн
100+17.42 грн
500+12.50 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.00 грн
18+23.83 грн
100+14.75 грн
250+12.42 грн
500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3G-DTE.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.04 грн
5+115.83 грн
10+102.49 грн
50+76.66 грн
100+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.32 грн
10+190.82 грн
20+175.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
IPP014N06NF2SAKMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.65 грн
10+173.32 грн
20+156.66 грн
50+139.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS-DTE.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3G-DTE.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NS-DTE.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3G-DTE.pdf
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA1 2EDF7xx5F_K_H.pdf
2EDS8165HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16
Output current: -2...1A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.5V; 4.5...20V
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 89W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 22µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 84A
Power dissipation: 165W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 bar66series.pdf
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; SOT23; double series; Ifsm: 12A
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.15 грн
34+12.50 грн
39+10.83 грн
46+9.08 грн
100+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SOD323; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.87 грн
63+6.67 грн
73+5.75 грн
85+4.92 грн
100+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR64-04.pdf
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.08 грн
63+6.67 грн
69+6.08 грн
81+5.17 грн
100+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.61 грн
50+8.67 грн
100+7.92 грн
500+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.67 грн
47+9.00 грн
54+7.83 грн
66+6.40 грн
100+4.32 грн
250+3.33 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.54 грн
34+12.50 грн
100+7.50 грн
250+6.08 грн
650+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Case: SC79
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Capacitance: 0.5pF
Leakage current: 20nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; Ufmax: 1.1V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.1A; Ufmax: 1.2V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.1A; Ufmax: 1.2V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common anode
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 Infineon-BAR67-02V-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcc0e8f30749
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD
Mounting: SMD
Type of diode: switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1972 1973 1974 1975 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]