Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119458) > Сторінка 1966 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S29GL256S10DHIV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV23 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6760.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25W256-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 20MHz
Memory organisation: 32kx8bit
Interface: SPI
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+562.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G FM24CL64B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL64B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 64kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.51 грн
10+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10ZSXI CY7C1041GN30-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+291.17 грн
10+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7465pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7465-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-GTR FM25CL64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.90 грн
45+9.79 грн
100+8.71 грн
500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+10.63 грн
100+9.38 грн
500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+223.56 грн
10+138.12 грн
25+122.21 грн
100+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.89 грн
12+34.99 грн
25+26.95 грн
50+24.19 грн
100+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.00 грн
10+192.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 180ns
Power: 625mW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.42 грн
5+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2183SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 180ns
Power: 625mW
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.39 грн
3+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.35 грн
5+120.54 грн
10+107.14 грн
25+91.24 грн
50+83.71 грн
95+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.45 грн
10+150.67 грн
25+140.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.39 грн
5+92.08 грн
10+82.03 грн
25+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+265.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF IR2112SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.91 грн
10+187.50 грн
25+159.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R950CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.22 грн
25+23.69 грн
100+20.93 грн
500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.68 грн
12+35.99 грн
25+33.32 грн
100+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR1169STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR1161LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR11688STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFIR11 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFIR11 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 256Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR11 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 512Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20234-12LKXI CY8C20234-12LKXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C20134_CY8C20234_CY8C20334_CY8C20434_CY8C20534_CY8C20634_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcc61b2e7f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN16; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0
Case: QFN16
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 13
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Integrated circuit features: CapSense
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20234-12SXI CY8C20234-12SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C20134_CY8C20234_CY8C20334_CY8C20434_CY8C20534_CY8C20634_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcc61b2e7f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; SO16; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0
Case: SO16
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 13
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Integrated circuit features: CapSense
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11DHIV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11DHIV23 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV10 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV23 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFB020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV10 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GT11FHB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GT11FHI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S70GL02GT_2-Gbit_(256-MB)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2615368d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7110TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Power dissipation: 3.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.39 грн
10+77.85 грн
50+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2.8W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.81 грн
25+39.51 грн
50+34.49 грн
100+29.80 грн
250+24.61 грн
500+21.26 грн
650+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7440TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Trade name: StrongIRFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.68 грн
6+82.87 грн
10+71.99 грн
50+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4234pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5020pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 5.1A
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5300pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5250pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5110pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Power dissipation: 3.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5025pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5250dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5007pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5302pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV20 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV23 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV010 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6760.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G.pdf
FM25W256-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Memory: 256kb FRAM
Clock frequency: 20MHz
Memory organisation: 32kx8bit
Interface: SPI
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G FM24CL64B-G.pdf
FM24CL64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 64kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.51 грн
10+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10ZSXI Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1041GN30-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.17 грн
10+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF irf7465pbf.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1 infineon-irf7465-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-GTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25CL64B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.90 грн
45+9.79 грн
100+8.71 грн
500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.63 грн
100+9.38 грн
500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+223.56 грн
10+138.12 грн
25+122.21 грн
100+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.89 грн
12+34.99 грн
25+26.95 грн
50+24.19 грн
100+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description ir2112.pdf
IR2112PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.00 грн
10+192.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 180ns
Power: 625mW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.42 грн
5+180.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF.pdf
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 180ns
Power: 625mW
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.39 грн
3+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.35 грн
5+120.54 грн
10+107.14 грн
25+91.24 грн
50+83.71 грн
95+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR21094SPBF.pdf
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.45 грн
10+150.67 грн
25+140.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.39 грн
5+92.08 грн
10+82.03 грн
25+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description ir2112.pdf
IR2112SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.91 грн
10+187.50 грн
25+159.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CE.pdf
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.22 грн
25+23.69 грн
100+20.93 грн
500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CE.pdf
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.68 грн
12+35.99 грн
25+33.32 грн
100+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF.pdf
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF.pdf
IR1161LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF.pdf
IR11688STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFIR11 infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGMFIR11 infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 256Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR11 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 512Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20234-12LKXI Infineon-CY8C20134_CY8C20234_CY8C20334_CY8C20434_CY8C20534_CY8C20634_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcc61b2e7f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY8C20234-12LKXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN16; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0
Case: QFN16
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 13
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Integrated circuit features: CapSense
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20234-12SXI Infineon-CY8C20134_CY8C20234_CY8C20334_CY8C20434_CY8C20534_CY8C20634_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcc61b2e7f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY8C20234-12SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; SO16; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0
Case: SO16
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 13
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Integrated circuit features: CapSense
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11DHIV20 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11DHIV23 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV10 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV20 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV23 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFB020 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV10 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV20 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel
Case: TSOP56
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GT11FHB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Case: BGA64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GT11FHI010 Infineon-S70GL02GT_2-Gbit_(256-MB)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2615368d7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7110TRPBF IRFH7110TRPBF.pdf
IRFH7110TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Power dissipation: 3.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.39 грн
10+77.85 грн
50+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf
IRFHM9331TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2.8W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.81 грн
25+39.51 грн
50+34.49 грн
100+29.80 грн
250+24.61 грн
500+21.26 грн
650+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF.pdf
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Trade name: StrongIRFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
6+82.87 грн
10+71.99 грн
50+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf
IRFH4234TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: FastIRFET
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF irfh5020pbf.pdf
IRFH5020TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 5.1A
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF irfh5300pbf.pdf
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250TRPBF irfh5250pbf.pdf
IRFH5250TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF irfh5110pbf.pdf
IRFH5110TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Power dissipation: 3.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF irfh5025pbf.pdf
IRFH5025TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5250DTRPBF irfh5250dpbf.pdf
IRFH5250DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF irfh5007pbf.pdf
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF irfh5302pbf.pdf
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]