Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2074 з 2080
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPDD60R190G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 76W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 18nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPC045N10L3X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 31190 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPI045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSC0702LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BAW101E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
CY8C20324-12LQXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH Mounting: SMD Case: QFN24 Interface: I2C; SPI; UART Supply voltage: 2.4...5.25V DC Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Integrated circuit features: CapSense Clock frequency: 12MHz Kind of core: 8-bit Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Technology: NovalithIC™ Case: PG-TO263-7 Output current: -27...30A Number of channels: 1 Mounting: SMD On-state resistance: 14.2mΩ Operating temperature: -40...150°C Application: DC motors Operating voltage: 5.5...40V DC Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3806PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 704 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 951 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4020PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 40A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Turn-off time: 0.5µs |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS42008SBDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36 Case: PG-DSO-36 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Power dissipation: 3.3W Operating temperature: -40...125°C Technology: Industrial PROFET Turn-on time: 150µs Turn-off time: 0.1ms Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 8 On-state resistance: 0.2Ω Supply voltage: 11...45V DC Output current: 0.7A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ITS4200SSJDXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Operating temperature: -40...125°C Technology: Industrial PROFET Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 1 On-state resistance: 0.15Ω Supply voltage: 6...52V DC Output current: 1.2A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BTS71202EPGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TLE7233EMXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TLE7233GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2ED300C17SROHSBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV Topology: IGBT half-bridge Mounting: PCB Supply voltage: 14...16V DC Output current: 30A Kind of output: IGBT driver Type of semiconductor module: gate driver board Operating temperature: -25...85°C Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter Technology: EiceDRIVER™; SiC Application: for medium and high power application Voltage class: 1.7kV Case: AG-EICE Frequency: 60kHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2ED300C17STROHSBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV Topology: IGBT half-bridge Mounting: PCB Supply voltage: 14...16V DC Output current: 30A Kind of output: IGBT driver Type of semiconductor module: gate driver board Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter Technology: EiceDRIVER™ Application: for medium and high power application Voltage class: 1.7kV Case: AG-EICE Frequency: 60kHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCV61BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCV61BE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
FM24CL04B-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 4b FRAM Interface: I2C Memory organisation: 512x8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FM24CL16B-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1620 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FM24CL16B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 50A Topology: NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4B16BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; 280W; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 50A Topology: NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4GB15BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 50A Topology: NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO3-3 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4GBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 50A Topology: NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO3-3 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4PB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FP50R12KT4PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TLD1211SJFUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IR2233PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Output current: -420...200mA Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 1.2kV Turn-on time: 750ns Power: 1.5W Kind of package: tube Case: DIP28-W Turn-off time: 700ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IR2233SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Output current: -420...200mA Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 1.2kV Turn-on time: 750ns Power: 1.6W Kind of package: tube Case: SO28-W Turn-off time: 700ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IR2233JTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IR2233STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRGP4066DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 454W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AUIRGP4066D1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 90A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 225nC Technology: Trench Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 115ns Turn-off time: 320ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP76E6433HUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Output current: 1.4A Kind of output: N-Channel Technology: HITFET® Output voltage: 42V Case: PG-SOT223-4 Kind of integrated circuit: low-side Number of channels: 1 |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCX5616H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCX5310H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCX5316H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCX5316H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRSM836-035MB | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| D6001N50TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modules Description: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPI21N50C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP21N50C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
CY8C24223A-24PVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART Clock frequency: 24MHz Kind of core: 8-bit Memory: 250B SRAM; 4kB FLASH Case: SSOP20 Mounting: SMD Number of inputs/outputs: 16 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CY8C4146LQI-S422 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN32; 8kBSRAM,64kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: QFN32 Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Mounting: SMD Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART Number of inputs/outputs: 27 Supply voltage: 1.71...5.5V DC Integrated circuit features: CapSense Kind of core: 32-bit Clock frequency: 48MHz Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRL2910STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPW17N80C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPA17N80C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPB17N80C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP17N80C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPDD60R190G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPC045N10L3X1SA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 31190 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPI045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC0702LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAW101E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C20324-12LQXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Mounting: SMD
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Mounting: SMD
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTN8962TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 357.16 грн |
| 4+ | 293.51 грн |
| 10+ | 261.17 грн |
| 25+ | 239.62 грн |
| IRFB3806PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 67.86 грн |
| 10+ | 42.87 грн |
| 50+ | 35.82 грн |
| 100+ | 33.16 грн |
| 250+ | 29.68 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 108.04 грн |
| 6+ | 79.60 грн |
| 10+ | 67.16 грн |
| 25+ | 52.57 грн |
| 50+ | 44.52 грн |
| 100+ | 43.03 грн |
| 250+ | 40.88 грн |
| IRFB4610PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.92 грн |
| 10+ | 131.00 грн |
| 20+ | 125.20 грн |
| 50+ | 116.08 грн |
| 100+ | 109.44 грн |
| 200+ | 102.81 грн |
| 500+ | 94.52 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 183.94 грн |
| 10+ | 96.18 грн |
| 20+ | 89.54 грн |
| 50+ | 82.08 грн |
| 100+ | 76.28 грн |
| 200+ | 71.30 грн |
| 500+ | 63.84 грн |
| IRFB4020PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IHW40N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 0.5µs
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 0.5µs
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.98 грн |
| 10+ | 213.91 грн |
| 20+ | 189.87 грн |
| 30+ | 175.77 грн |
| 60+ | 174.94 грн |
| ITS42008SBDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Output current: 0.7A
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Output current: 0.7A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS4200SSJDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.2A
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.2A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTS71202EPGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE7233EMXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE7233GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2ED300C17SROHSBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2ED300C17STROHSBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCV61BE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV61BE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM24CL04B-GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM24CL16B-DG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1620 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM24CL16B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP11N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4B16BOSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; 280W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; 280W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4GB15BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4GBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-ECONO3-3; Inverter; 280W
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 50A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 280W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KT4PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC009NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLD1211SJFUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2233PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 1.5W
Kind of package: tube
Case: DIP28-W
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 1.5W
Kind of package: tube
Case: DIP28-W
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IR2233SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
Kind of package: tube
Case: SO28-W
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
Kind of package: tube
Case: SO28-W
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IR2233JTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2233STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRGP4066DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRGP4066D1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSP76E6433HUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Output current: 1.4A
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Output current: 1.4A
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.86 грн |
| 10+ | 63.01 грн |
| 25+ | 57.21 грн |
| 50+ | 54.72 грн |
| BCX5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5310H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5316H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5316H6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRSM836-035MB |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| D6001N50TXPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPI21N50C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP21N50C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C24223A-24PVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 250B SRAM; 4kB FLASH
Case: SSOP20
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 16
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 250B SRAM; 4kB FLASH
Case: SSOP20
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 16
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1650 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4146LQI-S422 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN32; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN32
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 27
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 32-bit
Clock frequency: 48MHz
Operating temperature: -40...85°C
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN32; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN32
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 27
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 32-bit
Clock frequency: 48MHz
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRL2910STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX42E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW17N80C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA17N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPB17N80C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP17N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.























