Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128866) > Сторінка 2073 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.21 грн
10+50.01 грн
100+32.93 грн
500+25.75 грн
1000+23.44 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.19 грн
3+225.30 грн
10+207.15 грн
25+179.91 грн
50+153.50 грн
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.31 грн
5+99.03 грн
10+81.70 грн
25+74.28 грн
50+68.50 грн
100+63.55 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.06 грн
10+134.52 грн
20+119.67 грн
50+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.77 грн
19+21.79 грн
25+20.14 грн
100+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.63 грн
10+166.71 грн
20+148.55 грн
50+127.92 грн
100+113.89 грн
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.57 грн
100+22.20 грн
113+8.42 грн
309+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.77 грн
10+69.32 грн
25+61.07 грн
100+55.29 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.23A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Topology: single transistor
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.55 грн
29+14.52 грн
33+12.71 грн
39+10.65 грн
100+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Topology: flyback
Number of channels: 1
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.54 грн
7+68.50 грн
25+61.90 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF IRS25401PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Power: 1W
Turn-off time: 180ns
Voltage class: 200V
Turn-on time: 320ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 14.7mΩ
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.65 грн
5+98.21 грн
10+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.64 грн
10+120.49 грн
20+106.46 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.00 грн
70+5.94 грн
84+4.92 грн
100+4.65 грн
200+4.50 грн
500+4.23 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.11 грн
85+4.87 грн
100+4.14 грн
500+3.91 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 4.25mΩ
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: StrongIRFET™ 2
Drain current: 139A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.70 грн
64+6.49 грн
100+5.08 грн
347+2.72 грн
953+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 15.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: TEMPFET®
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Output voltage: 49V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+519.04 грн
3+433.27 грн
10+383.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.20 грн
10+84.18 грн
50+75.93 грн
100+69.32 грн
250+62.72 грн
500+57.77 грн
750+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Case: D2PAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 SPP15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1 BSS84PH7894XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.55 грн
25+17.00 грн
27+15.43 грн
50+9.71 грн
100+7.35 грн
250+5.29 грн
500+4.38 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 24.2nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.50 грн
3+309.48 грн
10+248.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.77 грн
28+15.27 грн
33+12.54 грн
100+9.41 грн
500+6.68 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 BC817K40WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817SUE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.44 грн
102+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP04N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+104.81 грн
10+94.08 грн
50+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.37 грн
6+166.71 грн
16+157.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF PVI1050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3036pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.20 грн
10+119.67 грн
20+108.11 грн
50+94.91 грн
100+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327 BFN26E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFN26.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ph20kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector current: 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.31 грн
10+75.10 грн
25+69.32 грн
50+65.20 грн
100+61.07 грн
500+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.28 грн
28+14.78 грн
100+10.58 грн
245+3.85 грн
673+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.21 грн
10+50.01 грн
100+32.93 грн
500+25.75 грн
1000+23.44 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.19 грн
3+225.30 грн
10+207.15 грн
25+179.91 грн
50+153.50 грн
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
IRS2153DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.31 грн
5+99.03 грн
10+81.70 грн
25+74.28 грн
50+68.50 грн
100+63.55 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.06 грн
10+134.52 грн
20+119.67 грн
50+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.77 грн
19+21.79 грн
25+20.14 грн
100+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.63 грн
10+166.71 грн
20+148.55 грн
50+127.92 грн
100+113.89 грн
500+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.57 грн
100+22.20 грн
113+8.42 грн
309+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.77 грн
10+69.32 грн
25+61.07 грн
100+55.29 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.23A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Topology: single transistor
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.55 грн
29+14.52 грн
33+12.71 грн
39+10.65 грн
100+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Topology: flyback
Number of channels: 1
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.54 грн
7+68.50 грн
25+61.90 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF irs25401pbf.pdf
IRS25401PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Power: 1W
Turn-off time: 180ns
Voltage class: 200V
Turn-on time: 320ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 14.7mΩ
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.65 грн
5+98.21 грн
10+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.64 грн
10+120.49 грн
20+106.46 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.00 грн
70+5.94 грн
84+4.92 грн
100+4.65 грн
200+4.50 грн
500+4.23 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.11 грн
85+4.87 грн
100+4.14 грн
500+3.91 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 4.25mΩ
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: StrongIRFET™ 2
Drain current: 139A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.70 грн
64+6.49 грн
100+5.08 грн
347+2.72 грн
953+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
IPD30N06S2L23ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 15.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: TEMPFET®
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Output voltage: 49V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.04 грн
3+433.27 грн
10+383.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
SPB20N60S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.20 грн
10+84.18 грн
50+75.93 грн
100+69.32 грн
250+62.72 грн
500+57.77 грн
750+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Case: D2PAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP-DTE.pdf
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPP15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1
BSS84PH7894XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.55 грн
25+17.00 грн
27+15.43 грн
50+9.71 грн
100+7.35 грн
250+5.29 грн
500+4.38 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 24.2nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3G-DTE.pdf
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+387.50 грн
3+309.48 грн
10+248.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF irlml2060pbf.pdf
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.77 грн
28+15.27 грн
33+12.54 грн
100+9.41 грн
500+6.68 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon-BC817KSERIES_BC818KSERIES-DS-v01_01-en-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f541639624faa
BC817K40WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 250mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5.pdf
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817SUE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817SUE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 1W; SC74
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.44 грн
102+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3.pdf
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.81 грн
10+94.08 грн
50+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+338.37 грн
6+166.71 грн
16+157.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 2.5kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF irlb3036pbf.pdf
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.20 грн
10+119.67 грн
20+108.11 грн
50+94.91 грн
100+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327 BFN26.pdf
BFN26E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF irg4ph20kdpbf.pdf
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector current: 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.31 грн
10+75.10 грн
25+69.32 грн
50+65.20 грн
100+61.07 грн
500+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.28 грн
28+14.78 грн
100+10.58 грн
245+3.85 грн
673+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.