Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126524) > Сторінка 2073 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2068 2069 2070 2071 2072 2073 2074 2075 2076 2077 2078 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R065P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 201W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R070C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R130C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R195C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1 IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R210CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R230C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R310E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1 IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R340CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1 IPL65R420E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R420E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1 IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R660E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R045C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R065C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1 IPB65R150CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R150CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 195.3W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R280E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+555.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
10+44.45 грн
100+28.93 грн
200+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFSL4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 48MHz; LQFP48; 64kBFLASH; ARM
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Clock frequency: 48MHz
Case: LQFP48
Memory: 64kB FLASH
Number of inputs/outputs: 36
Number of PWM channels: 5
Number of 16bit timers: 16
Mounting: SMD
Interface: I2C; IrDA; LIN; SPI; UART; USART
Integrated circuit features: internal clock oscillator; PoR; PWM
Kind of architecture: Cortex M0+
Family: ARM
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Peripherial: POR; watchdog
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
250+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1 IGCM04F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM04F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+548.22 грн
3+480.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
49+8.72 грн
70+6.06 грн
100+5.17 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3354NPBF PVA3354NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PVA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 150mA
Manufacturer series: PVA
On-state resistance: 24Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Leads: for PCB
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+540.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Current gain: 110
Frequency: 40GHz
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327 BFP520H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP520.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 BFP520H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP520.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
21+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21814S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-2edl23-final-rev2.9-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 BCP55H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP55H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.06 грн
16+26.33 грн
50+19.96 грн
100+17.95 грн
250+15.85 грн
500+14.42 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N18K DZ600N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Semiconductor structure: single diode
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+23287.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipt030n12n3-g-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 237A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 237A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC313N10N3RX1SA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPC313N10N3R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287a4906625ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252
Power dissipation: 41W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB110N20N3LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD10G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 105W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW20G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5XKSA1 IDW20G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW20G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4aad88f21b5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 87A
Leakage current: 4.1µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD20G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 169W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFN030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1343.90 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGB02N120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42799e03c76 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.65 грн
3+384.94 грн
10+316.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF IRF7379TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7379pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG-2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TCA505BG-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB06N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 201W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7-DTE.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7-DTE.pdf
IPL65R130C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7-DTE.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1 IPL65R210CFD-DTE.pdf
IPL65R210CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7-DTE.pdf
IPL65R230C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6-DTE.pdf
IPL65R310E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1 IPL65R340CFD-DTE.pdf
IPL65R340CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1 IPL65R420E6-DTE.pdf
IPL65R420E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFD-DTE.pdf
IPL65R460CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1 IPL65R660E6-DTE.pdf
IPL65R660E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7-DTE.pdf
IPB65R045C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7-DTE.pdf
IPB65R065C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1 IPB65R150CFD-DTE.pdf
IPB65R150CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 195.3W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1 IPB65R280E6-DTE.pdf
IPB65R280E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+555.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
10+44.45 грн
100+28.93 грн
200+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF.pdf
IRFSL4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 48MHz; LQFP48; 64kBFLASH; ARM
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Clock frequency: 48MHz
Case: LQFP48
Memory: 64kB FLASH
Number of inputs/outputs: 36
Number of PWM channels: 5
Number of 16bit timers: 16
Mounting: SMD
Interface: I2C; IrDA; LIN; SPI; UART; USART
Integrated circuit features: internal clock oscillator; PoR; PWM
Kind of architecture: Cortex M0+
Family: ARM
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Peripherial: POR; watchdog
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1 IGCM04F60GA.pdf
IGCM04F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.22 грн
3+480.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
49+8.72 грн
70+6.06 грн
100+5.17 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3354NPBF IRSDS10619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVA3354NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PVA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 150mA
Manufacturer series: PVA
On-state resistance: 24Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Leads: for PCB
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+540.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Current gain: 110
Frequency: 40GHz
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327 BFP520.pdf
BFP520H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 BFP520.pdf
BFP520H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.71 грн
21+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21814S06JXUMA1 infineon-2edl23-final-rev2.9-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 BCP55H6327XTSA1.pdf
BCP55H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1.pdf
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.06 грн
16+26.33 грн
50+19.96 грн
100+17.95 грн
250+15.85 грн
500+14.42 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM3911TRPBF irfhm3911pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ff23f1f2b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N18K DZ600N18K.pdf
DZ600N18K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Semiconductor structure: single diode
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23287.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1 infineon-ipt030n12n3-g-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 237A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 237A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC313N10N3RX1SA2 Infineon-IPC313N10N3R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287a4906625ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252
Power dissipation: 41W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF IPB110N20N3LF.pdf
IPB110N20N3LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 105W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5B.pdf
IDW20G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5XKSA1 IDW20G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4aad88f21b5
IDW20G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 87A
Leakage current: 4.1µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 169W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSG-DTE.pdf
BSC016N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFN030 Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1343.90 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGB02N120ATMA1 SGB02N120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42799e03c76
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+87.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
IRF150P221AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+441.65 грн
3+384.94 грн
10+316.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF irf7379pbf.pdf
IRF7379TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG-2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TCA505BG-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 IKB06N60T.pdf
IKB06N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2068 2069 2070 2071 2072 2073 2074 2075 2076 2077 2078 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]