Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 220 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 240 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.70 грн
10+114.14 грн
100+102.80 грн
500+75.02 грн
1000+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AXI-S455 CY8C4146AXI-S455 INFINEON PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf Description: INFINEON - CY8C4146AXI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.46 грн
10+277.65 грн
25+234.75 грн
50+200.69 грн
100+177.62 грн
250+173.46 грн
500+168.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.65 грн
10+190.23 грн
50+165.13 грн
100+130.04 грн
250+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP IRFS4010TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1 EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1 INFINEON 3437315.pdf Description: INFINEON - EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS CCM-Totem-Pole-PFC, 300V/440V, 8.2A, 3.3kW, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT60R090CFD7, IDDD08G65C6, BSZ440N10NS3, 2EDF7275F, 1EDN8511B, IPT60R022S7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPT60R090CFD7, IDDD08G65C6, BSZ440N10NS3, 2EDF7275F, 1EDN8511B, IPT60R022S7
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CoolMOS-CCM-Totem-Pole-PFC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35900.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.32 грн
20+41.69 грн
100+27.36 грн
500+19.47 грн
1000+16.17 грн
5000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TT215N22KOFHPSA1 TT215N22KOFHPSA1 INFINEON 2577592.pdf Description: INFINEON - TT215N22KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 215A, 2.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215A
RMS-Durchlassstrom: 410A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14118.89 грн
5+13836.39 грн
10+13553.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01TOBO1 EVALSHNBV01TOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALSHNBV01TOBO1 - Evaluationsboard, Luftdrucksensor DPS310, Bluetooth integriert
Prozessorkern: DPS310, XMC1000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHSBV01I2CTOBO1 EVALSHSBV01I2CTOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALSHSBV01I2CTOBO1 - Shuttle-Board, Luftdrucksensoren, drahtloser Sensor-Hub 2.0, I2C
Art des Zubehörs: Sensor-Shuttle-Board DPS310 mit I2C
Zur Verwendung mit: Wireless-Sensor-Hub-Evaluationsboard / -Entwicklungsboard von Infineon
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHSBV01SPITOBO1 EVALSHSBV01SPITOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALSHSBV01SPITOBO1 - Shuttle-Board, Luftdrucksensoren, drahtloser Sensor-Hub 2.0, SPI
Art des Zubehörs: Sensor-Shuttle-Board DPS310 mit SPI
Zur Verwendung mit: Wireless-Sensor-Hub-Evaluationsboard / -Entwicklungsboard von Infineon
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.85 грн
10+89.85 грн
100+59.90 грн
500+43.90 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBF IRF7342D2PBF INFINEON 2043144.pdf Description: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALICB2FL03GTOBO1 INFINEON Infineon-Lighting_ballast_controller_IC_design_54W_UV_C_disinfection_lamp_ICB2FL03G-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304331c8f8560131d28a549d0675 Description: INFINEON - EVALICB2FL03GTOBO1 - EVAL.BOARD, CONTROLLER VORSCHALTGERÄT
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICB2FL03G
Ausgangsstrom: -
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: ICB2FL03G
Eingangsspannung, max.: 270
Dimmsteuerung: -
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 180
Produktpalette: -
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9122.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBF IRF9310PBF INFINEON 610313.pdf Description: INFINEON - IRF9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1 EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1 INFINEON 3167201.pdf Description: INFINEON - EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDF5673K-B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDF5673K-B, 74AHCT1G08, 74AHCT1G04, MAX256
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: CoolGaN-Halbbrücken-Evaluationsboard 1EDF5673K-B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4476.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 INFINEON 3626601.pdf Description: INFINEON - 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI302xAS, 1EDI303xAS, Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI302xAS / 1EDI303xAS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI302xAS / 1EDI303xAS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7759.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0002363303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R190CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24.8 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 24.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 13
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5802VH6327XTSA1 BBY5802VH6327XTSA1 INFINEON infineon-bby58-02v-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BBY5802VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, AEC-Q101, 5.5 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 5.5pF
Produktpalette: BBY58
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.42 грн
50+16.19 грн
100+15.95 грн
500+13.30 грн
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999I3XALA1 TLE4999I3XALA1 INFINEON Infineon-TLE4999I3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a25bb8461599b Description: INFINEON - TLE4999I3XALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 3 Pin(s), 5.5 V, 7 V
Hall-Effekt-Typ: Linear
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Bauform - Sensor: SSO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XENSIV
Versorgungsspannung, max.: 7
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.35 грн
10+458.16 грн
25+407.17 грн
50+349.52 грн
100+276.15 грн
250+270.60 грн
500+265.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.57 грн
16+51.16 грн
50+42.34 грн
200+31.12 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.85 грн
14+57.88 грн
100+43.39 грн
500+31.64 грн
1000+25.05 грн
5000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON INFN-S-A0008993711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2010SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.75 грн
10+151.37 грн
25+144.09 грн
50+132.29 грн
100+120.03 грн
250+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON INFN-S-A0008993711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2010PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.98 грн
10+278.46 грн
25+259.03 грн
50+230.76 грн
100+203.99 грн
250+194.97 грн
500+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6347BZI-BLD53 CY8C6347BZI-BLD53 INFINEON INFN-S-A0018338424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C6347BZI-BLD53 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie PSoC 6, Reihe CY8C63XX, 32Bit, 1024kB, 78 I/O, BGA-116
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1024KB
MPU-Familie: PSoC 6
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C63xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 116Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 63
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M4F
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.28 грн
10+716.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6347BZI-BLD33 CY8C6347BZI-BLD33 INFINEON CYPR-S-A0006313859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C6347BZI-BLD33 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie PSoC 6, Reihe CY8C63XX, 32Bit, 1024kB, 78 I/O, BGA-116
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1024KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C63xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 116Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C63XX Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+768.19 грн
10+583.63 грн
25+558.54 грн
50+508.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZSXKLA1 ICE5AR4780BZSXKLA1 INFINEON INFN-S-A0004583174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ICE5AR4780BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.95 грн
10+84.19 грн
50+71.40 грн
100+62.69 грн
250+54.40 грн
500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.69 грн
50+53.99 грн
250+35.46 грн
1000+23.08 грн
2000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON 3049663.pdf Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 INFINEON 2706835.pdf Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2502.90 грн
5+2405.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 INFINEON INFNS16357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+672.68 грн
5+533.45 грн
10+394.22 грн
50+347.27 грн
100+302.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R450P7XKSA1 IPAN80R450P7XKSA1 INFINEON 2327418.pdf Description: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9 Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 INFINEON INFNS27845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 BFP196WNH6327XTSA1 INFINEON 3164788.pdf Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.95 грн
50+28.98 грн
250+18.54 грн
1000+11.58 грн
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D1XKSA1 IDW30C65D1XKSA1 INFINEON 2354566.pdf Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.32 грн
10+135.18 грн
100+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1XKSA1 INFINEON INFNS30168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDP15E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.35 V, 71 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBF IRF7855PBF INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.56 грн
10+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF INFINEON 1718465.pdf description Description: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.32 грн
10+139.23 грн
100+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.38 грн
19+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.56 грн
11+77.63 грн
100+51.81 грн
500+35.93 грн
1000+30.25 грн
5000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBF IRF7343PBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.26 грн
33+24.77 грн
100+19.99 грн
500+17.74 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.56 грн
50+118.99 грн
100+80.87 грн
500+56.75 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.76 грн
12+71.96 грн
100+71.72 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.72 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
50+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.61 грн
10+84.19 грн
100+57.39 грн
500+41.49 грн
1000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZPBF IRFR120ZPBF INFINEON 700169.pdf Description: INFINEON - IRFR120ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.09 грн
12+73.10 грн
100+52.21 грн
500+38.33 грн
1000+32.19 грн
5000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 BFP450H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 170mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 24GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.47 грн
32+25.66 грн
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON 2064151.pdf Description: INFINEON - IRS44273LTRPBF - MOSFET-Treiber, Low-Side, 20V feste Versorgungsspannung, 1.5Aout, 50ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: µHVIC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.15 грн
22+37.88 грн
100+29.79 грн
500+24.58 грн
1000+21.79 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4BOSA1 FF600R12KE4BOSA1 INFINEON 2371097.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13875.24 грн
5+13597.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4PBOSA1 FF600R12KE4PBOSA1 INFINEON 3154629.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13594.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 FF600R12IP4BOSA1 INFINEON INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31027.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1 INFINEON 2371097.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13594.35 грн
5+13322.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UDPBF IRG4PC30UDPBF INFINEON 34689.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON 3208403.pdf Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.17 грн
22+36.83 грн
50+30.11 грн
200+21.65 грн
500+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF INFN-S-A0006155718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7434PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.70 грн
10+114.14 грн
100+102.80 грн
500+75.02 грн
1000+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AXI-S455 PSoC_4100S_Plus_RevH_9-14-18.pdf
CY8C4146AXI-S455
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146AXI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.46 грн
10+277.65 грн
25+234.75 грн
50+200.69 грн
100+177.62 грн
250+173.46 грн
500+168.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.65 грн
10+190.23 грн
50+165.13 грн
100+130.04 грн
250+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP INFN-S-A0012837669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1 3437315.pdf
EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3K3WTPPFCCCTOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS CCM-Totem-Pole-PFC, 300V/440V, 8.2A, 3.3kW, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPT60R090CFD7, IDDD08G65C6, BSZ440N10NS3, 2EDF7275F, 1EDN8511B, IPT60R022S7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPT60R090CFD7, IDDD08G65C6, BSZ440N10NS3, 2EDF7275F, 1EDN8511B, IPT60R022S7
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CoolMOS-CCM-Totem-Pole-PFC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35900.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.32 грн
20+41.69 грн
100+27.36 грн
500+19.47 грн
1000+16.17 грн
5000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TT215N22KOFHPSA1 2577592.pdf
TT215N22KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT215N22KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 215A, 2.2KV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215A
RMS-Durchlassstrom: 410A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14118.89 грн
5+13836.39 грн
10+13553.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01TOBO1 INFN-S-A0004150520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVALSHNBV01TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01TOBO1 - Evaluationsboard, Luftdrucksensor DPS310, Bluetooth integriert
Prozessorkern: DPS310, XMC1000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS310
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHSBV01I2CTOBO1 INFN-S-A0004150722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVALSHSBV01I2CTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHSBV01I2CTOBO1 - Shuttle-Board, Luftdrucksensoren, drahtloser Sensor-Hub 2.0, I2C
Art des Zubehörs: Sensor-Shuttle-Board DPS310 mit I2C
Zur Verwendung mit: Wireless-Sensor-Hub-Evaluationsboard / -Entwicklungsboard von Infineon
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHSBV01SPITOBO1 INFN-S-A0004150683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVALSHSBV01SPITOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHSBV01SPITOBO1 - Shuttle-Board, Luftdrucksensoren, drahtloser Sensor-Hub 2.0, SPI
Art des Zubehörs: Sensor-Shuttle-Board DPS310 mit SPI
Zur Verwendung mit: Wireless-Sensor-Hub-Evaluationsboard / -Entwicklungsboard von Infineon
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF 2333691.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.85 грн
10+89.85 грн
100+59.90 грн
500+43.90 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBF 2043144.pdf
IRF7342D2PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALICB2FL03GTOBO1 Infineon-Lighting_ballast_controller_IC_design_54W_UV_C_disinfection_lamp_ICB2FL03G-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304331c8f8560131d28a549d0675
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALICB2FL03GTOBO1 - EVAL.BOARD, CONTROLLER VORSCHALTGERÄT
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICB2FL03G
Ausgangsstrom: -
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: ICB2FL03G
Eingangsspannung, max.: 270
Dimmsteuerung: -
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 180
Produktpalette: -
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9122.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310PBF 610313.pdf
IRF9310PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1 3167201.pdf
EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1EDFG1BHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDF5673K-B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDF5673K-B, 74AHCT1G08, 74AHCT1G04, MAX256
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: CoolGaN-Halbbrücken-Evaluationsboard 1EDF5673K-B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4476.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 3626601.pdf
1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI302xAS, 1EDI303xAS, Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI302xAS / 1EDI303xAS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI302xAS / 1EDI303xAS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7759.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 INFN-S-A0002363303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA50R190CEXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R190CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24.8 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 24.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 13
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5802VH6327XTSA1 infineon-bby58-02v-datasheet-en.pdf
BBY5802VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5802VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, AEC-Q101, 5.5 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 5.5pF
Produktpalette: BBY58
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.42 грн
50+16.19 грн
100+15.95 грн
500+13.30 грн
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4999I3XALA1 Infineon-TLE4999I3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a25bb8461599b
TLE4999I3XALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4999I3XALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 3 Pin(s), 5.5 V, 7 V
Hall-Effekt-Typ: Linear
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Bauform - Sensor: SSO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XENSIV
Versorgungsspannung, max.: 7
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.35 грн
10+458.16 грн
25+407.17 грн
50+349.52 грн
100+276.15 грн
250+270.60 грн
500+265.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 INFNS19505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.57 грн
16+51.16 грн
50+42.34 грн
200+31.12 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.85 грн
14+57.88 грн
100+43.39 грн
500+31.64 грн
1000+25.05 грн
5000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF INFN-S-A0008993711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2010SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2010SPBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.75 грн
10+151.37 грн
25+144.09 грн
50+132.29 грн
100+120.03 грн
250+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF INFN-S-A0008993711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2010PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2010PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 95ns
Ausgabeverzögerung: 65ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.98 грн
10+278.46 грн
25+259.03 грн
50+230.76 грн
100+203.99 грн
250+194.97 грн
500+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6347BZI-BLD53 INFN-S-A0018338424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C6347BZI-BLD53
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6347BZI-BLD53 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie PSoC 6, Reihe CY8C63XX, 32Bit, 1024kB, 78 I/O, BGA-116
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1024KB
MPU-Familie: PSoC 6
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C63xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 116Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 63
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M4F
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.28 грн
10+716.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6347BZI-BLD33 CYPR-S-A0006313859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C6347BZI-BLD33
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6347BZI-BLD33 - Mikrocontroller anwendungsspezifisch, Familie PSoC 6, Reihe CY8C63XX, 32Bit, 1024kB, 78 I/O, BGA-116
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1024KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C63xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 116Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C63XX Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+768.19 грн
10+583.63 грн
25+558.54 грн
50+508.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZSXKLA1 INFN-S-A0004583174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ICE5AR4780BZSXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4780BZSXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 100kHz, 15W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.95 грн
10+84.19 грн
50+71.40 грн
100+62.69 грн
250+54.40 грн
500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.69 грн
50+53.99 грн
250+35.46 грн
1000+23.08 грн
2000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 3049663.pdf
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 2706835.pdf
IPZ60R017C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2502.90 грн
5+2405.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 INFNS16357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+672.68 грн
5+533.45 грн
10+394.22 грн
50+347.27 грн
100+302.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R450P7XKSA1 2327418.pdf
IPAN80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 29
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 Infineon-BSP716N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341c1e4a10141da580f3529e9
BSP716NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP716NH6327XTSA1 INFNS27845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP716NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP716NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 2.3 A, 0.122 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 3164788.pdf
BFP196WNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.95 грн
50+28.98 грн
250+18.54 грн
1000+11.58 грн
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D1XKSA1 2354566.pdf
IDW30C65D1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.32 грн
10+135.18 грн
100+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E65D1XKSA1 INFNS30168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDP15E65D1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP15E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.35 V, 71 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.35V
Sperrverzögerungszeit: 71ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBF IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7855PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF description INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.56 грн
10+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZPBF description 1718465.pdf
IRF1010ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 94 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.32 грн
10+139.23 грн
100+99.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description INFN-S-A0002900721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.38 грн
19+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.56 грн
11+77.63 грн
100+51.81 грн
500+35.93 грн
1000+30.25 грн
5000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343PBF INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 INFNS30117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFQ19SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.26 грн
33+24.77 грн
100+19.99 грн
500+17.74 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.56 грн
50+118.99 грн
100+80.87 грн
500+56.75 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.76 грн
12+71.96 грн
100+71.72 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.72 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.90 грн
50+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.61 грн
10+84.19 грн
100+57.39 грн
500+41.49 грн
1000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZPBF 700169.pdf
IRFR120ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.09 грн
12+73.10 грн
100+52.21 грн
500+38.33 грн
1000+32.19 грн
5000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFN-S-A0009651611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP450H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 170mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 24GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.47 грн
32+25.66 грн
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF 2064151.pdf
IRS44273LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS44273LTRPBF - MOSFET-Treiber, Low-Side, 20V feste Versorgungsspannung, 1.5Aout, 50ns Verzögerung, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: µHVIC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.15 грн
22+37.88 грн
100+29.79 грн
500+24.58 грн
1000+21.79 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4BOSA1 2371097.pdf
FF600R12KE4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13875.24 грн
5+13597.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4PBOSA1 3154629.pdf
FF600R12KE4PBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13594.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4BOSA1 INFNS28415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF600R12IP4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+31027.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12KE4EBOSA1 2371097.pdf
FF600R12KE4EBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13594.35 грн
5+13322.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UDPBF 34689.pdf
IRG4PC30UDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 3208403.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.17 грн
22+36.83 грн
50+30.11 грн
200+21.65 грн
500+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 240 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]