Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 222 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 240 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.03 грн
26+31.49 грн
100+23.39 грн
500+16.61 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502LRHE6327XTSA1 BAT1502LRHE6327XTSA1 INFINEON 2820276.pdf Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.03 грн
20+40.72 грн
100+40.47 грн
500+33.82 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 BAT15099E6327HTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.66 грн
15+54.32 грн
100+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON 2820277.pdf Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.28 грн
11+74.07 грн
100+51.32 грн
500+38.33 грн
1000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.61 грн
10+110.09 грн
100+98.76 грн
500+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.99 грн
50+85.80 грн
100+60.31 грн
500+48.48 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.94 грн
50+79.49 грн
250+60.47 грн
1000+41.27 грн
2000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS46160DPBF IRGPS46160DPBF INFINEON 1868673.pdf Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP20B60PDPBF IRGP20B60PDPBF INFINEON 140476.pdf Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP INFINEON 91434.pdf Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP INFINEON 2332092.pdf Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF INFINEON 1916205.pdf Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF INFINEON INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640-EPBF IRGP4640-EPBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640PBF IRGP4640PBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP6630DPBF IRGP6630DPBF INFINEON 1868670.pdf Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4266PBF IRGP4266PBF INFINEON 1916203.pdf Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4059DPBF. IRGB4059DPBF. INFINEON 140449.pdf Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.73 грн
50+19.59 грн
100+15.70 грн
500+12.55 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.70 грн
500+12.55 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.88 грн
10+245.27 грн
50+212.89 грн
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864PBF IRS21864PBF INFINEON INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.79 грн
10+219.37 грн
25+201.56 грн
50+172.13 грн
100+143.62 грн
250+135.99 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4BPSA1 FS100R07N2E4BPSA1 INFINEON 2882449.pdf Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R06KE3BOSA1 FS100R06KE3BOSA1 INFINEON INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT3BOSA1 FS100R12KT3BOSA1 INFINEON INFNS28510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7804.97 грн
5+7597.75 грн
10+7390.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 FS100R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13648.59 грн
5+11942.21 грн
10+9895.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109EVALKITTOBO2 INFINEON Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4 Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5109, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3423.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5309EVALKITTOBO1 TLE5309EVALKITTOBO1 INFINEON 3189167.pdf Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLE5309 E1211, Winkelsensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5309, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4426.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFICL8820LED43WJTTOBO1 REFICL8820LED43WJTTOBO1 INFINEON 3437316.pdf Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3931.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.95 грн
10+102.80 грн
100+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133BKSA1 BTS133BKSA1 INFINEON 2334166.pdf Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 INFINEON 3685646.pdf Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3353.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 INFINEON 2354690.pdf Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.70 грн
36+22.50 грн
100+18.21 грн
500+16.09 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 INFINEON 2354691.pdf Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.51 грн
19+44.28 грн
100+30.92 грн
500+21.50 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98 Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.07 грн
34+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 INFINEON 2354690.pdf Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.21 грн
500+16.09 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98 Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 INFINEON 2354691.pdf Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.92 грн
500+21.50 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+131.14 грн
100+130.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0000149041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.78 грн
10+280.89 грн
100+233.13 грн
500+204.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.47 грн
50+70.91 грн
100+48.73 грн
500+39.84 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.95 грн
50+66.78 грн
250+52.21 грн
1000+34.65 грн
2000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF IRG4PC30UPBF INFINEON 34692.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.33 грн
10+93.09 грн
100+63.71 грн
500+47.35 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.70 грн
10+143.28 грн
100+114.95 грн
500+87.19 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.61 грн
10+90.66 грн
100+64.43 грн
500+45.93 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.69 грн
50+51.81 грн
100+35.54 грн
500+25.48 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.24 грн
50+40.80 грн
200+30.89 грн
500+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.61 грн
16+53.34 грн
50+45.49 грн
200+34.88 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON 2331320.pdf Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON 2718665.pdf Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.74 грн
10+171.61 грн
100+156.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.52 грн
10+83.38 грн
100+57.39 грн
500+41.87 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.59 грн
10+493.78 грн
100+277.65 грн
500+246.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R090CFD7XKSA1 IPW60R090CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.40 грн
10+327.03 грн
100+209.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF IRS10752LTRPBF INFINEON 2211669.pdf Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.38 грн
500+32.62 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1504RE6152HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.03 грн
26+31.49 грн
100+23.39 грн
500+16.61 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502LRHE6327XTSA1 2820276.pdf
BAT1502LRHE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.03 грн
20+40.72 грн
100+40.47 грн
500+33.82 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 2333741.pdf
BAT15099E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.66 грн
15+54.32 грн
100+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 2333741.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 2820277.pdf
BAT15099RE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.28 грн
11+74.07 грн
100+51.32 грн
500+38.33 грн
1000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.61 грн
10+110.09 грн
100+98.76 грн
500+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.99 грн
50+85.80 грн
100+60.31 грн
500+48.48 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.94 грн
50+79.49 грн
250+60.47 грн
1000+41.27 грн
2000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS46160DPBF 1868673.pdf
IRGPS46160DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP20B60PDPBF 140476.pdf
IRGP20B60PDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS60B120KDP 91434.pdf
IRGPS60B120KDP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP 2332092.pdf
IRGP30B120KD-EP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF 1916205.pdf
IRGP4650DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4062DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640-EPBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640-EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640PBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP6630DPBF 1868670.pdf
IRGP6630DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4266PBF 1916203.pdf
IRGP4266PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4059DPBF. 140449.pdf
IRGB4059DPBF.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.73 грн
50+19.59 грн
100+15.70 грн
500+12.55 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.70 грн
500+12.55 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.88 грн
10+245.27 грн
50+212.89 грн
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.87 грн
250+151.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864PBF INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21864PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.79 грн
10+219.37 грн
25+201.56 грн
50+172.13 грн
100+143.62 грн
250+135.99 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4BPSA1 2882449.pdf
FS100R07N2E4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R06KE3BOSA1 INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R06KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT3BOSA1 INFNS28510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7804.97 грн
5+7597.75 грн
10+7390.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13648.59 грн
5+11942.21 грн
10+9895.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109EVALKITTOBO2 Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5109, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3423.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5309EVALKITTOBO1 3189167.pdf
TLE5309EVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLE5309 E1211, Winkelsensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5309, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4426.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFICL8820LED43WJTTOBO1 3437316.pdf
REFICL8820LED43WJTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3931.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R950C6XKSA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R950C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.95 грн
10+102.80 грн
100+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133BKSA1 2334166.pdf
BTS133BKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 3685646.pdf
DF200R07W2H3B77BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3353.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 2354690.pdf
BFP720ESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.70 грн
36+22.50 грн
100+18.21 грн
500+16.09 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 2354691.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.51 грн
19+44.28 грн
100+30.92 грн
500+21.50 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98
BFP720H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.07 грн
34+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 2354690.pdf
BFP720ESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.21 грн
500+16.09 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 Infineon-BFP720-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896583f4e98
BFP720H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 2354691.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.92 грн
500+21.50 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.08 грн
10+131.14 грн
100+130.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 INFN-S-A0000149041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.78 грн
10+280.89 грн
100+233.13 грн
500+204.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.47 грн
50+70.91 грн
100+48.73 грн
500+39.84 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.95 грн
50+66.78 грн
250+52.21 грн
1000+34.65 грн
2000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF 34692.pdf
IRG4PC30UPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.33 грн
10+93.09 грн
100+63.71 грн
500+47.35 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.70 грн
10+143.28 грн
100+114.95 грн
500+87.19 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5210TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.61 грн
10+90.66 грн
100+64.43 грн
500+45.93 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF 717253.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.69 грн
50+51.81 грн
100+35.54 грн
500+25.48 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.24 грн
50+40.80 грн
200+30.89 грн
500+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.61 грн
16+53.34 грн
50+45.49 грн
200+34.88 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 2331320.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 2718665.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.74 грн
10+171.61 грн
100+156.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.52 грн
10+83.38 грн
100+57.39 грн
500+41.87 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.59 грн
10+493.78 грн
100+277.65 грн
500+246.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPW60R090CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.40 грн
10+327.03 грн
100+209.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF 2211669.pdf
IRS10752LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.38 грн
500+32.62 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 240 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]