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FF600R12KE4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R12KE4PBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R12IP4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 3.35kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.35kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R12KE4EBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRG4PC30UDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 DC-Kollektorstrom: 23 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BSP135IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSP135IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSP135H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm |
на замовлення 15482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSP135H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm |
на замовлення 15482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - Verlustleistung: 288W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHW20N120R3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 310 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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CY8C5868LTI-LP039 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C5868LTI-LP039 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 BittariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 67MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 5 RAM-Speichergröße: 64KB MCU-Baureihe: CY8C58xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s) Anzahl der Pins: 68Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S29AL016J70TFI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S29AL016J70TFI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Zugriffszeit: 70ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S29AL016J70TFI023 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI023 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF8915TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF8734TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS442E2BKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS442E2BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 6V, 95A, TO-220-5Durchlasswiderstand: 0.015 Überhitzungsschutz: Ja Strombegrenzung: 95 Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 6 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220 Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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BCR133E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 13814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP15R12KE3GBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP15R12KE3GBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 105 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: EconoPIM 2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF6645TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF5803D2TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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FS150R12KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 700W Verlustleistung: 700W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2125SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2125SPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 16 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3.3A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.6A Versorgungsspannung, min.: 0V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 170ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYBLE-212023-10 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5VtariffCode: 85176200 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1 isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Zertifikate: - Empfängerempfindlichkeit: -87dBm Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: PROC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2S Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRG4PH50KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77 DC-Kollektorstrom: 45 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PF50WPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PH50SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 57 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PF50WDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PH40UPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 DC-Kollektorstrom: 41 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PSC71UDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 DC-Kollektorstrom: 85 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-274AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PC30KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 28 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PH50UPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRG4PH20KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17 DC-Kollektorstrom: 11 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SHIELDBTF3050TETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELDBTF3050TETOBO1 - Evaluationsboard, BTF3050TE Low-Side-Leistungsschalter-Shield, für ArduinotariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Eval Board BTF3050TE Prozessorhersteller: Infineon Zur Verwendung mit: Arduino-Entwicklungsboards hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: BTF3050TE Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2GOCURSENSETLI4970TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - S2GOCURSENSETLI4970TOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Strommessplatine, TLI4970, Arduino-Bibliothek enthaltentariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Demoboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4970-D050T4 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Magnetischer Stromsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4970-D050T4 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITAURIXTC275ARDSBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITAURIXTC275ARDSBTOBO1 - Evaluationsboard, TC275, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCoretariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: - usEccn: 3A991.a.2 Prozessorfamilie: AURIX euEccn: NLR Prozessorkern: TC275 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: TriCore SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITA2GTC375LITETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITA2GTC375LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC375, 32 Bit, Produktfamilie AURIX, TriCoretariffCode: 84733020 Prozessorkern: TC375 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: TriCore Prozessorfamilie: AURIX Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TC375 euEccn: NLR isCanonical: Y Prozessorserie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITAURIXTC275LITETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITAURIXTC275LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC275, AURIX, 32 Bit, TriCoretariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: - usEccn: 3A991.a.2 Prozessorfamilie: AURIX euEccn: NLR Prozessorkern: TC275 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: TriCore SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITAURIXTC297TFTTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITAURIXTC297TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC297, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCoretariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC297 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: - usEccn: 3A991.a.2 Prozessorfamilie: AURIX euEccn: NLR Prozessorkern: TC297 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: TriCore SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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48VBSGINVERTERTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 48VBSGINVERTERTOBO1 - Evaluationsboard, IAUS240N08S5N019, 3-Phasen-Motor, Power-ManagementtariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IAUS240N08S5N019 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: IAUS240N08S5N019 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 - Entwicklungsboard, TLE9241QU, Arduino-BoardstariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE9241QU productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: XMC4700 Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9241QU euEccn: NLR Prozessorserie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Arduino-Boards usEccn: EAR99 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FZ400R17KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FZ400R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 125 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 2.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 620A Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 620A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PVD1352NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVD1352NPBF - MOSFET-Relais, Photovoltaik, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (4 Pins verwendet)tariffCode: 85364900 euEccn: NLR Art der Last: DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: - Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Lastspannung, max.: 100V Relaismontage: Durchsteckmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 550mA Produktpalette: HEXFET PVD13 Series productTraceability: No I/O-Kapazität: 1pF usEccn: EAR99 Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet) Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRS21084SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS21084SPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, SOIC-14Sinkstrom: 600 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 290 Spitzenausgangsstrom: - Bauform - Treiber: NSOIC Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 220 Ausgabeverzögerung: 200 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRS2108SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX42E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BCX42E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BAV170E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAV170E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, SOT-23, 3 Pins, 2 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 80V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.25V Diodenkapazität: 2pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAV17 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Widerstand bei If: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP40R12KT3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP40R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 40A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 210W euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP40R12KT3GBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP40R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, ModuletariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 55A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 210W euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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T640N16TOFXPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - T640N16TOFXPSA1 - THYRISTORMODUL, 1.6KV, 1.45KAtariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 920A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1.45kA Zündspannung, max.: 2.2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: SCR einfach Anzahl der Pins: - Produktpalette: - Zündstrom, max.: 250mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR4615TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BB844E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Sperrspannung: 18V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Durchlassstrom, max.: 50mA Anzahl der Pins: 3 Pins Kapazität: 45pF Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IR2011SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FF600R12KE4BOSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11068.93 грн |
| FF600R12KE4PBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11342.76 грн |
| FF600R12IP4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12IP4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.35kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.35kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31518.62 грн |
| FF600R12KE4EBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15423.82 грн |
| 5+ | 13495.53 грн |
| IRG4PC30UDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
DC-Kollektorstrom: 23
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| BSP135IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.11 грн |
| 22+ | 37.41 грн |
| 50+ | 30.59 грн |
| 200+ | 21.99 грн |
| 500+ | 16.21 грн |
| BSP135IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.59 грн |
| 200+ | 21.99 грн |
| 500+ | 16.21 грн |
| BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 117.59 грн |
| 12+ | 74.34 грн |
| 50+ | 62.00 грн |
| 200+ | 46.04 грн |
| 500+ | 34.82 грн |
| BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.00 грн |
| 200+ | 46.04 грн |
| 500+ | 34.82 грн |
| IHW20N65R5XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.60 грн |
| 10+ | 116.77 грн |
| IHW20N135R5XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 285.34 грн |
| 10+ | 160.35 грн |
| 100+ | 145.55 грн |
| IHW20N120R3FKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| CY8C5868LTI-LP039 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5868LTI-LP039 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C5868LTI-LP039 - ARM-MCU, Baureihe PSoC 5, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 67MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 48I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2001.47 грн |
| 5+ | 1807.41 грн |
| 10+ | 1613.35 грн |
| 25+ | 1408.01 грн |
| 50+ | 1273.62 грн |
| S29AL016J70TFI020 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 407.86 грн |
| 10+ | 262.31 грн |
| 25+ | 245.87 грн |
| S29AL016J70TFI010 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.22 грн |
| 10+ | 228.60 грн |
| 25+ | 222.02 грн |
| 50+ | 197.00 грн |
| 100+ | 177.62 грн |
| 250+ | 170.57 грн |
| 500+ | 167.04 грн |
| S29AL016J70TFI023 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI023 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29AL016J70TFI023 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 237.64 грн |
| 10+ | 222.02 грн |
| 25+ | 215.44 грн |
| 50+ | 195.47 грн |
| 100+ | 176.91 грн |
| 250+ | 170.57 грн |
| IRF8915TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 56.49 грн |
| 19+ | 45.06 грн |
| 100+ | 35.28 грн |
| 500+ | 27.87 грн |
| IRF8734TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 89.63 грн |
| 50+ | 57.23 грн |
| 250+ | 37.66 грн |
| 1000+ | 27.64 грн |
| BTS442E2BKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS442E2BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 6V, 95A, TO-220-5
Durchlasswiderstand: 0.015
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 95
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BTS442E2BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 6V, 95A, TO-220-5
Durchlasswiderstand: 0.015
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 95
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| BCR133E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 31.66 грн |
| 63+ | 13.24 грн |
| 250+ | 11.35 грн |
| 1000+ | 9.09 грн |
| FP15R12KE3GBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8895.60 грн |
| FP15R12KE3GBOSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 105
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM 2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FP15R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 105
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPIM 2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5594.08 грн |
| IRF6645TRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 74.91 грн |
| 50+ | 56.16 грн |
| 250+ | 47.36 грн |
| 1000+ | 37.49 грн |
| 2000+ | 33.90 грн |
| IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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од. на суму грн.
| FS150R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 700W
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 700W
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11165.96 грн |
| 5+ | 10248.28 грн |
| 10+ | 9329.78 грн |
| IR2125SPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125SPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2125SPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 305.89 грн |
| 10+ | 231.89 грн |
| 25+ | 202.28 грн |
| 50+ | 181.73 грн |
| 100+ | 162.11 грн |
| 250+ | 150.83 грн |
| 500+ | 149.42 грн |
| 1000+ | 147.31 грн |
| CYBLE-212023-10 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Zertifikate: -
Empfängerempfindlichkeit: -87dBm
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2S
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYBLE-212023-10 - PROC™-Modul, Bluetooth® v4.1 Low Energy (BLE)-Wireless-Lösung, 1MB/s, 1.8V bis 5.5V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Zertifikate: -
Empfängerempfindlichkeit: -87dBm
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: PROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2S
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 650.44 грн |
| 5+ | 600.28 грн |
| 10+ | 558.34 грн |
| 50+ | 483.33 грн |
| 100+ | 413.03 грн |
| IRG4PH50KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77
DC-Kollektorstrom: 45
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77
DC-Kollektorstrom: 45
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| IRG4PF50WPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| IRG4PH50SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 57
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 57
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| IRG4PF50WDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 51
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| IRG4PH40UPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43
Verlustleistung Pd: 160
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRG4
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| IRG4PSC71UDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
DC-Kollektorstrom: 85
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
DC-Kollektorstrom: 85
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRG4PC30KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 28
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 28
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRG4PH50UPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRG4PH20KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| BFP196WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 26.81 грн |
| 52+ | 15.95 грн |
| 100+ | 12.83 грн |
| 500+ | 11.30 грн |
| 1000+ | 10.01 грн |
| SHIELDBTF3050TETOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTF3050TETOBO1 - Evaluationsboard, BTF3050TE Low-Side-Leistungsschalter-Shield, für Arduino
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Eval Board BTF3050TE
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Arduino-Entwicklungsboards
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BTF3050TE
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: INFINEON - SHIELDBTF3050TETOBO1 - Evaluationsboard, BTF3050TE Low-Side-Leistungsschalter-Shield, für Arduino
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Eval Board BTF3050TE
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Arduino-Entwicklungsboards
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BTF3050TE
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1673.37 грн |
| S2GOCURSENSETLI4970TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOCURSENSETLI4970TOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Strommessplatine, TLI4970, Arduino-Bibliothek enthalten
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4970-D050T4
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetischer Stromsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4970-D050T4
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - S2GOCURSENSETLI4970TOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Strommessplatine, TLI4970, Arduino-Bibliothek enthalten
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4970-D050T4
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetischer Stromsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4970-D050T4
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1117.50 грн |
| 5+ | 1095.30 грн |
| KITAURIXTC275ARDSBTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITAURIXTC275ARDSBTOBO1 - Evaluationsboard, TC275, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC275
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITAURIXTC275ARDSBTOBO1 - Evaluationsboard, TC275, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC275
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13621.34 грн |
| KITA2GTC375LITETOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITA2GTC375LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC375, 32 Bit, Produktfamilie AURIX, TriCore
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TC375
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: TriCore
Prozessorfamilie: AURIX
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TC375
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITA2GTC375LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC375, 32 Bit, Produktfamilie AURIX, TriCore
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TC375
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: TriCore
Prozessorfamilie: AURIX
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TC375
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7980.39 грн |
| KITAURIXTC275LITETOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITAURIXTC275LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC275, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC275
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITAURIXTC275LITETOBO1 - Evaluationsboard, TC275, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC275
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC275
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5327.66 грн |
| KITAURIXTC297TFTTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITAURIXTC297TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC297, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC297
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC297
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITAURIXTC297TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC297, Produktfamilie AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC297
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC297
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22049.06 грн |
| 48VBSGINVERTERTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 48VBSGINVERTERTOBO1 - Evaluationsboard, IAUS240N08S5N019, 3-Phasen-Motor, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IAUS240N08S5N019
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: IAUS240N08S5N019
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 48VBSGINVERTERTOBO1 - Evaluationsboard, IAUS240N08S5N019, 3-Phasen-Motor, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IAUS240N08S5N019
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: IAUS240N08S5N019
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 - Entwicklungsboard, TLE9241QU, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9241QU
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9241QU
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE9241QUDEVBOARDTOBO1 - Entwicklungsboard, TLE9241QU, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9241QU
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9241QU
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6734.61 грн |
| FZ400R17KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ400R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 620A
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 620A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FZ400R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 620A
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 620A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10912.70 грн |
| 5+ | 10133.98 грн |
| 10+ | 9354.45 грн |
| PVD1352NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVD1352NPBF - MOSFET-Relais, Photovoltaik, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (4 Pins verwendet)
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 100V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVD13 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
Description: INFINEON - PVD1352NPBF - MOSFET-Relais, Photovoltaik, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (4 Pins verwendet)
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 100V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVD13 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 1.5ohm
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 724.44 грн |
| 5+ | 647.15 грн |
| 10+ | 584.65 грн |
| 20+ | 532.97 грн |
| 50+ | 482.81 грн |
| IRS21084SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21084SPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, SOIC-14
Sinkstrom: 600
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 290
Spitzenausgangsstrom: -
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 220
Ausgabeverzögerung: 200
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRS21084SPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, SOIC-14
Sinkstrom: 600
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 290
Spitzenausgangsstrom: -
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 220
Ausgabeverzögerung: 200
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 281.23 грн |
| IRS2108SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 143.90 грн |
| 10+ | 107.72 грн |
| 50+ | 97.03 грн |
| 100+ | 81.70 грн |
| 250+ | 74.71 грн |
| 500+ | 74.01 грн |
| 1000+ | 68.09 грн |
| BCX42E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX42E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAV170E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV170E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, SOT-23, 3 Pins, 2 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.25V
Diodenkapazität: 2pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAV170E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, SOT-23, 3 Pins, 2 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.25V
Diodenkapazität: 2pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 14.80 грн |
| IPP045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 138.15 грн |
| 10+ | 90.45 грн |
| 100+ | 87.16 грн |
| 500+ | 78.65 грн |
| IPP030N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 444.04 грн |
| 10+ | 194.06 грн |
| 100+ | 187.48 грн |
| FP40R12KT3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FP40R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8803.51 грн |
| FP40R12KT3GBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP40R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FP40R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10920.92 грн |
| 5+ | 10702.19 грн |
| T640N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - T640N16TOFXPSA1 - THYRISTORMODUL, 1.6KV, 1.45KA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 920A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.45kA
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - T640N16TOFXPSA1 - THYRISTORMODUL, 1.6KV, 1.45KA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 920A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.45kA
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9974.46 грн |
| 5+ | 9774.64 грн |
| IRFR4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.35 грн |
| 50+ | 111.83 грн |
| 100+ | 75.32 грн |
| 500+ | 55.59 грн |
| 1500+ | 48.28 грн |
| BB844E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 38.15 грн |
| 38+ | 21.96 грн |
| 100+ | 15.13 грн |
| 500+ | 9.70 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| 5000+ | 6.61 грн |
| IR2011SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.41 грн |
| 10+ | 92.10 грн |
| 50+ | 79.43 грн |
| 100+ | 70.40 грн |
| 250+ | 63.93 грн |
| 500+ | 61.39 грн |
| 1000+ | 61.11 грн |
| 2500+ | 60.83 грн |










































