Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Транзистор IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon | Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
на замовлення 74 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF2807STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 483 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 700 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF4905PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm |
на замовлення 106 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF4905STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF5210STRLPBF | Infineon | MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF5305SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF5305STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm |
на замовлення 600 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF9540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W; |
на замовлення 38 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF9540NSTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; |
на замовлення 733 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFB23N20DPBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET® |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFB260NPBF | Infineon | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB |
на замовлення 61 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFB4019PBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® |
на замовлення 83 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFP260NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm |
на замовлення 62 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFP9240PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W |
на замовлення 36 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR024NTRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR3411PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR3412PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm |
на замовлення 81 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR3806TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm |
на замовлення 788 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR3910TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm |
на замовлення 224 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR5305TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFR5410TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFS4410ZTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFU5505PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm |
на замовлення 76 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRL3705NSTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level |
на замовлення 207 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRL540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate |
на замовлення 46 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLR2705TRPBF | Infineon | Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A |
на замовлення 75 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLR2908TRLPBF | Infineon | Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLR3114ZTRPBF | Infineon | Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLR3636TRPBF | Infineon | Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор PTFA080551E | Infineon | Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BF1005E6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BF998E6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BSP318SH6327 | Infineon | MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V |
на замовлення 492 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BSP613PH6327 | Infineon | SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V |
на замовлення 184 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BSS138NH6327 | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V |
на замовлення 4762 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount |
на замовлення 138 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7105TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7316PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
на замовлення 331 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7319PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7341PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V |
на замовлення 93 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7342TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
на замовлення 2664 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7343TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7350PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm |
на замовлення 126 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7503TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 |
на замовлення 3406 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF7855TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRF8714TRPBF | Infineon | SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFHM8330TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRFL9110TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm |
на замовлення 2133 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLL024NTRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLL2705PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm |
на замовлення 17 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML0100TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm |
на замовлення 98 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML2402TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm |
на замовлення 4784 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML2502TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm |
на замовлення 11505 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML2803TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm |
на замовлення 47 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML5103TR | Infineon | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm |
на замовлення 422 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
Транзистор IRLML5203TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
Транзистор IPD25N06S4L30ATMA2 |
Виробник: Infineon
Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
Транзистор польовий TO-252-3 N-MOSFET Vds=60V, Id=25A, Rds=0,03hm, Pd=29W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 145.25 грн |
10+ | 87.40 грн |
100+ | 66.90 грн |
Транзистор IPP040N06N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C
на замовлення 74 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
10+ | 97.11 грн |
100+ | 86.32 грн |
Транзистор IRF2807STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.34 грн |
10+ | 70.14 грн |
100+ | 64.74 грн |
Транзистор IRF3205PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 145.25 грн |
10+ | 84.16 грн |
100+ | 73.37 грн |
Транзистор IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 700 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.28 грн |
10+ | 118.69 грн |
100+ | 106.82 грн |
Транзистор IRF4905PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 106 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
10+ | 105.20 грн |
100+ | 99.81 грн |
Транзистор IRF4905STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.75 грн |
10+ | 101.43 грн |
100+ | 92.25 грн |
Транзистор IRF5210STRLPBF |
Виробник: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.40 грн |
10+ | 188.82 грн |
100+ | 161.85 грн |
Транзистор IRF5305SPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 145.25 грн |
10+ | 44.78 грн |
100+ | 40.46 грн |
Транзистор IRF5305STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
10+ | 75.53 грн |
100+ | 70.14 грн |
Транзистор IRF540NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 48.80 грн |
10+ | 39.92 грн |
100+ | 36.15 грн |
Транзистор IRF9540NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W;
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=140W;
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
Транзистор IRF9540NSTRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
на замовлення 733 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.68 грн |
10+ | 118.69 грн |
100+ | 107.90 грн |
Транзистор IRFB23N20DPBF |
Виробник: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.58 грн |
10+ | 91.72 грн |
Транзистор IRFB260NPBF |
Виробник: Infineon
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.82 грн |
10+ | 107.90 грн |
100+ | 97.11 грн |
Транзистор IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.24 грн |
10+ | 73.37 грн |
Транзистор IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.82 грн |
10+ | 107.90 грн |
100+ | 97.11 грн |
Транзистор IRFP9240PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W
Транз. Пол. БМ TO247-3 P-канальный MOSFET Vdss=200V, Id=12A, Pdmax=150W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.58 грн |
10+ | 89.02 грн |
100+ | 80.92 грн |
Транзистор IRFR024NTRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 58.10 грн |
10+ | 45.86 грн |
100+ | 35.61 грн |
Транзистор IRFR3411PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 168.49 грн |
10+ | 142.97 грн |
100+ | 129.48 грн |
Транзистор IRFR3412PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=48 A; Pdmax=140 W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.96 грн |
10+ | 75.53 грн |
100+ | 57.73 грн |
Транзистор IRFR3806TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm
на замовлення 788 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
10+ | 70.14 грн |
100+ | 59.34 грн |
Транзистор IRFR3910TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=16 A; Pdmax=79 W; Rds=0,115 Ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
10+ | 72.83 грн |
100+ | 67.44 грн |
Транзистор IRFR5305TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 72.62 грн |
10+ | 53.95 грн |
100+ | 43.16 грн |
Транзистор IRFR5410TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
10+ | 97.11 грн |
100+ | 67.44 грн |
Транзистор IRFS4410ZTRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.30 грн |
Транзистор IRFU5505PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm
Транз. Пол. БМ P-MOSFET IPAK (TO-251AA) Udss=-55V; Id=-18A; Pdmax=57W; Rds=0,11 Ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
Транзистор IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
на замовлення 207 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.92 грн |
Транзистор IRL540NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.58 грн |
Транзистор IRLR2705TRPBF |
Виробник: Infineon
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.34 грн |
10+ | 64.74 грн |
Транзистор IRLR2908TRLPBF |
Виробник: Infineon
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 80В, 39A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.16 грн |
10+ | 178.04 грн |
Транзистор IRLR3114ZTRPBF |
Виробник: Infineon
Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)
Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
10+ | 70.14 грн |
Транзистор IRLR3636TRPBF |
Виробник: Infineon
Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W
Транзистор польовий DPAK-3 (TO-252-3) N-MOSFET Vds=60V, Ig=99A, Rdson=6,8 mOhm, Pd= 143W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 41.83 грн |
Транзистор PTFA080551E |
Виробник: Infineon
Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4996.60 грн |
Транзистор BF1005E6327 |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
Транз. Пол. ММ RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двухзатворный, Gp=19 dB
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 13.94 грн |
23+ | 11.87 грн |
100+ | 10.79 грн |
Транзистор BF998E6327 |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двухзатворный Idss=(2…18)mA
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.62 грн |
28+ | 9.71 грн |
100+ | 8.63 грн |
Транзистор BSP318SH6327 |
Виробник: Infineon
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.59 грн |
17+ | 16.18 грн |
100+ | 14.03 грн |
Транзистор BSP613PH6327 |
Виробник: Infineon
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
SOT-223 MOSFET Transistor, P Channel, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 58.10 грн |
10+ | 46.94 грн |
100+ | 35.07 грн |
Транзистор BSS138NH6327 |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V
Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=60V; Id=0,23A; Pdmax=0,36W; RdsOn=3,5 Ohm@230mA, 10V
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
84+ | 3.49 грн |
100+ | 2.70 грн |
125+ | 2.16 грн |
Транзистор BSS84PH6327XTSA2 |
Виробник: Infineon
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount
Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount
на замовлення 138 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 17.26 грн |
Транзистор IRF7105TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.48 грн |
10+ | 37.76 грн |
100+ | 35.07 грн |
Транзистор IRF7316PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
на замовлення 331 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.21 грн |
12+ | 24.28 грн |
100+ | 21.58 грн |
Транзистор IRF7319PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.67 грн |
10+ | 33.99 грн |
100+ | 31.29 грн |
Транзистор IRF7341PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
10+ | 97.11 грн |
100+ | 86.32 грн |
Транзистор IRF7342TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 58.10 грн |
10+ | 48.56 грн |
100+ | 43.16 грн |
Транзистор IRF7343TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.86 грн |
10+ | 26.98 грн |
100+ | 24.82 грн |
Транзистор IRF7350PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET SO8 Udss=100V; Id=(2.1; 1.5)A; Pdmax=2W; Rds=0,21 Ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.20 грн |
10+ | 99.81 грн |
100+ | 91.72 грн |
Транзистор IRF7503TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.02 грн |
10+ | 29.67 грн |
100+ | 29.13 грн |
Транзистор IRF7855TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.30 грн |
10+ | 134.88 грн |
100+ | 121.39 грн |
Транзистор IRF8714TRPBF |
Виробник: Infineon
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.58 грн |
Транзистор IRFHM8330TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.93 грн |
10+ | 31.83 грн |
100+ | 29.13 грн |
Транзистор IRFL9110TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.05 грн |
12+ | 23.74 грн |
100+ | 21.58 грн |
Транзистор IRLL024NTRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
на замовлення 65 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.96 грн |
Транзистор IRLL2705PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.40 грн |
Транзистор IRLML0100TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=100V; Id=1,6A; Rds=0,22 Ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 9.30 грн |
36+ | 7.55 грн |
100+ | 7.01 грн |
Транзистор IRLML2402TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.88 грн |
34+ | 8.09 грн |
100+ | 7.55 грн |
Транзистор IRLML2502TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm
на замовлення 11505 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.52 грн |
25+ | 10.79 грн |
100+ | 9.17 грн |
Транзистор IRLML2803TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 9.30 грн |
36+ | 7.55 грн |
100+ | 7.01 грн |
Транзистор IRLML5103TR |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
на замовлення 422 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.69 грн |
21+ | 12.95 грн |
100+ | 11.87 грн |
Транзистор IRLML5203TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 72.62 грн |