Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25032) > Сторінка 412 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZH120R040M1TXKSA1 AIMZH120R040M1TXKSA1 INFINEON 4127458.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 INFINEON 4127456.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3DPLAY2GOKITTOBO1 3DPLAY2GOKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - 3DPLAY2GOKITTOBO1 - Evaluationsboard, TLI493D-W2BW, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 3D PLAY2GO-Evaluationsboard TLI493D-W2BW
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Shield2Go-Board mit 3D-Magnetsensor TLI493D-W2BW von Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
Art des Zubehörs: Joystick
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLI493D-W2BW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BBTS500101LUA1TOBO1 BBTS500101LUA1TOBO1 INFINEON infineon-evaluation-board-enabling-capacitive-load-charging-with-power-profet-family-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - BBTS500101LUA1TOBO1 - Evaluationsboard, BTH50015-1LUA, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTH50015-1LUA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BTS50010-1LUA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
REFISOPLCSSR24VTOBO1 REFISOPLCSSR24VTOBO1 INFINEON 4417799.pdf Description: INFINEON - REFISOPLCSSR24VTOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ITS6035S, 4DIR2400H, SMPS/SNT, digitaler Isolator & High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ITS6035S, 4DIR2400H
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Isolator & High-Side-Schalter
Prozessorfamilie: ProFE
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Prozessorkern: ITS6035S, 4DIR2400H
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD157B1W01005E6327XTSA1 ESD157B1W01005E6327XTSA1 INFINEON infineon-esd157-b1-w01005-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ESD157B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, WLL, 2 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD157B1W01005E6327XTSA1 ESD157B1W01005E6327XTSA1 INFINEON infineon-esd157-b1-w01005-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ESD157B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, WLL, 2 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 INFINEON 3542794.pdf Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 INFINEON 4768064.pdf Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 IPD60R360P7SE8228AUMA1 INFINEON 4768080.pdf Description: INFINEON - IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 INFINEON 2059761.pdf Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 INFINEON 2059761.pdf Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1 IPD60R280P7SE8228AUMA1 INFINEON 4768079.pdf Description: INFINEON - IPD60R280P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 INFINEON 3737949.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD60G120C5XKSA1 IDWD60G120C5XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD60G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01954735328f1ab7 Description: INFINEON - IDWD60G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 280 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 280nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479 Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R110D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b55d7047c Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b5edf047f Description: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSTRPBF IR2114SSTRPBF INFINEON infineon-ir2x14ss-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IR2114SSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 11.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 440ns
Ausgabeverzögerung: 440ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSTRPBF IR2114SSTRPBF INFINEON infineon-ir2x14ss-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IR2114SSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON 4520238.pdf Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 52068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 INFINEON 4148567.pdf Description: INFINEON - IPT129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 INFINEON 4148567.pdf Description: INFINEON - IPT129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA406MN10E6327XTSA1 BGSA406MN10E6327XTSA1 INFINEON 4520234.pdf Description: INFINEON - BGSA406MN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T, 7.125GHz, 1.2V, 1.8V, äußerst hohe Spannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPST
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: -
usEccn: EAR99
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX24M2U16E6327XTSA1 BGSX24M2U16E6327XTSA1 INFINEON 4502707.pdf Description: INFINEON - BGSX24M2U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, 400MHz bis 7.125GHz, DP4T, 1.65-1.95V Versorgung, -40-85°C, ULGA-EP-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: DP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA-EP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.43dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA406MN10E6327XTSA1 BGSA406MN10E6327XTSA1 INFINEON 4520234.pdf Description: INFINEON - BGSA406MN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T, 7.125GHz, 1.2V, 1.8V, äußerst hohe Spannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPST
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX24M2U16E6327XTSA1 BGSX24M2U16E6327XTSA1 INFINEON 4502707.pdf Description: INFINEON - BGSX24M2U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, 400MHz bis 7.125GHz, DP4T, 1.65-1.95V Versorgung, -40-85°C, ULGA-EP-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: DP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA-EP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.43dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-TTBRIDGE INFINEON Description: INFINEON - CY3295-TTBRIDGE - Multitouch-Development Kit, PSoC-Familie, Entwickeln, Programmieren und Testen von Touchscreens
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Brückenplatine, Dongle-Board, Batterie, USB-Kabel, CD mit PSOC-Programmierer/Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: PSoC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb3006-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb4127-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB4127PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 BSZ0703LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98932QKW62SXUMA1 TLE98932QKW62SXUMA1 INFINEON 4117213.pdf Description: INFINEON - TLE98932QKW62SXUMA1 - ARM-MCU, BLDC, MOTIX TLE989x Family Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 60 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10Bit, 12Bit, 14Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 60MHz
MCU-Familie: MOTIX TLE989x
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: MOTIX TLE989x Family Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: CANFD, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9891QTA61XUMA1 INFINEON infineon-tle988x-9x-datasheet-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701882e60aa3a4f50 Description: INFINEON - TLE9891QTA61XUMA1 - ARM-MCU, TLE989x Family TLE9891QT Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 60 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10Bit, 12Bit, 14Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 60MHz
MCU-Familie: TLE989x
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: TLE9891QT
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TLE989x Family TLE9891QT Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: CANFD, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON 81051.pdf Description: INFINEON - IR2233JPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout Spitze, 70Rout, LCC-44
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PLCC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142NHUMA1 ITS4142NHUMA1 INFINEON 85603.pdf Description: INFINEON - ITS4142NHUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 45V, 2.2A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 2.2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Industrial PROFET family
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 21374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRB37BPSA1 DDB6U180N16RRB37BPSA1 INFINEON Infineon-DDB6U180N16RR_B37-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d82a2255c53c2 Description: INFINEON - DDB6U180N16RRB37BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.2 V, Brücke, Modul, 29 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 INFINEON 4633755.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 INFINEON 4633755.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.61nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 23723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B0HTSA1 TLE493DW3B6B0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B0HTSA1 TLE493DW3B6B0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 - H COOLSIC TRENCH MOSFET
tariffCode: 85044095
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD103B102ELSE6327XTSA1 ESD103B102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000149038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD103B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 48 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 48V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfp3006-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7268GXTMA1 2EDF7268GXTMA1 INFINEON 4748048.pdf Description: INFINEON - 2EDF7268GXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1.5kVrms, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SON-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65223-24LTXI CY7C65223-24LTXI INFINEON Infineon-CY7C65223-24LTXIT-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea23ff72fe Description: INFINEON - CY7C65223-24LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.3
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5403WE6327HTSA1 BAT5403WE6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5403WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R040M1TXKSA1 4127458.pdf
AIMZH120R040M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 4127456.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3DPLAY2GOKITTOBO1
3DPLAY2GOKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 3DPLAY2GOKITTOBO1 - Evaluationsboard, TLI493D-W2BW, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 3D PLAY2GO-Evaluationsboard TLI493D-W2BW
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Shield2Go-Board mit 3D-Magnetsensor TLI493D-W2BW von Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
Art des Zubehörs: Joystick
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLI493D-W2BW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BBTS500101LUA1TOBO1 infineon-evaluation-board-enabling-capacitive-load-charging-with-power-profet-family-usermanual-en.pdf
BBTS500101LUA1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBTS500101LUA1TOBO1 - Evaluationsboard, BTH50015-1LUA, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTH50015-1LUA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BTS50010-1LUA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
REFISOPLCSSR24VTOBO1 4417799.pdf
REFISOPLCSSR24VTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFISOPLCSSR24VTOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ITS6035S, 4DIR2400H, SMPS/SNT, digitaler Isolator & High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ITS6035S, 4DIR2400H
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Digitaler Isolator & High-Side-Schalter
Prozessorfamilie: ProFE
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Prozessorkern: ITS6035S, 4DIR2400H
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD157B1W01005E6327XTSA1 infineon-esd157-b1-w01005-datasheet-en.pdf
ESD157B1W01005E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD157B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, WLL, 2 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD157B1W01005E6327XTSA1 infineon-esd157-b1-w01005-datasheet-en.pdf
ESD157B1W01005E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD157B1W01005E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, WLL, 2 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R360PFD7ATMA1 3542794.pdf
IPLK60R360PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4768064.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 4768080.pdf
IPD60R360P7SE8228AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 2059761.pdf
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 2059761.pdf
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SE8228AUMA1 4768079.pdf
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6ATMA1 3737949.pdf
IPD60R600P6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD60G120C5XKSA1 Infineon-IDWD60G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01954735328f1ab7
IDWD60G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD60G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 280 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 280nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 Infineon-IGL65R110D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b55d7047c
IGL65R110D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 Infineon-IGL65R140D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b5edf047f
IGL65R140D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSTRPBF infineon-ir2x14ss-datasheet-en.pdf
IR2114SSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2114SSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 11.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 440ns
Ausgabeverzögerung: 440ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSTRPBF infineon-ir2x14ss-datasheet-en.pdf
IR2114SSTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2114SSTRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 4520238.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 4520237.pdf
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 52068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 4148567.pdf
IPT129N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 4148567.pdf
IPT129N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA406MN10E6327XTSA1 4520234.pdf
BGSA406MN10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA406MN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T, 7.125GHz, 1.2V, 1.8V, äußerst hohe Spannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPST
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: -
usEccn: EAR99
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX24M2U16E6327XTSA1 4502707.pdf
BGSX24M2U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX24M2U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, 400MHz bis 7.125GHz, DP4T, 1.65-1.95V Versorgung, -40-85°C, ULGA-EP-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: DP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA-EP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.43dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA406MN10E6327XTSA1 4520234.pdf
BGSA406MN10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA406MN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T, 7.125GHz, 1.2V, 1.8V, äußerst hohe Spannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPST
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: -
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX24M2U16E6327XTSA1 4502707.pdf
BGSX24M2U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX24M2U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, 400MHz bis 7.125GHz, DP4T, 1.65-1.95V Versorgung, -40-85°C, ULGA-EP-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: DP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA-EP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.43dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY3295-TTBRIDGE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY3295-TTBRIDGE - Multitouch-Development Kit, PSoC-Familie, Entwickeln, Programmieren und Testen von Touchscreens
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Brückenplatine, Dongle-Board, Batterie, USB-Kabel, CD mit PSOC-Programmierer/Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: PSoC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1 infineon-irfb3006-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFXKMA1 infineon-irfb4127-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4127PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e
BSZ0703LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0703LSATMA1 Infineon-BSZ0703LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a5e344f7e
BSZ0703LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE98932QKW62SXUMA1 4117213.pdf
TLE98932QKW62SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE98932QKW62SXUMA1 - ARM-MCU, BLDC, MOTIX TLE989x Family Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 60 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10Bit, 12Bit, 14Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 60MHz
MCU-Familie: MOTIX TLE989x
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: MOTIX TLE989x Family Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: CANFD, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9891QTA61XUMA1 infineon-tle988x-9x-datasheet-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701882e60aa3a4f50
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9891QTA61XUMA1 - ARM-MCU, TLE989x Family TLE9891QT Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 60 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10Bit, 12Bit, 14Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Betriebsfrequenz, max.: 60MHz
MCU-Familie: TLE989x
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: TLE9891QT
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TLE989x Family TLE9891QT Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: CANFD, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF 81051.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2233JPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout Spitze, 70Rout, LCC-44
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PLCC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142NHUMA1 85603.pdf
ITS4142NHUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4142NHUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 45V, 2.2A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.15ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 2.2A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Industrial PROFET family
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 21374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRB37BPSA1 Infineon-DDB6U180N16RR_B37-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d82a2255c53c2
DDB6U180N16RRB37BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U180N16RRB37BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.2 V, Brücke, Modul, 29 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 4633755.pdf
IGLT65R110B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 4633755.pdf
IGLT65R110B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.61nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 23723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 12819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B0HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B0HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 - H COOLSIC TRENCH MOSFET
tariffCode: 85044095
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD103B102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0000149038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD103B102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD103B102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 48 V, TSLP-2-20, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-20
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 48V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 infineon-irfp3006-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7268GXTMA1 4748048.pdf
2EDF7268GXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7268GXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1.5kVrms, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SON-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65223-24LTXI Infineon-CY7C65223-24LTXIT-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea23ff72fe
CY7C65223-24LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65223-24LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 1.71 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.3
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5403WE6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5403WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418  [ Наступна Сторінка >> ]