Результат пошуку "stgb" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 277
Мінімальне замовлення: 168
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 148
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446 |
 Транзистори > IGBTКорпус: D²PAK Vces: 410 V Vce: 1,2 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А |
у наявності: 83 шт
|
|
|||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM |
на замовлення 48 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N Ch 10A 600V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-channel MOSFET |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors PowerMESH" IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N Ch 600V 19A |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB20H60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB20N40LZ | STMicroelectronics |
IGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
на замовлення 952 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
STGB30H60DFB | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 975 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB30V60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast |
на замовлення 3536 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB40H65FB | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB40V60F | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB40V60F | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STGB6M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
 IGBT Transistors PowerMESH TM IGBT |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB7H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STGB7H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STGB7H60DF | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 14 Amp |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB10N60LT4 | STM | 07+ TO-263 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
| STGB10H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.3 грн |
| 10+ | 107.22 грн |
| 100+ | 75.25 грн |
| 250+ | 73.25 грн |
| 500+ | 63.2 грн |
| 1000+ | 53.41 грн |
| 2000+ | 50.74 грн |
| STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM |
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 90.6 грн |
| STGB10NB37LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 179.29 грн |
| 5+ | 149.84 грн |
| 8+ | 114.46 грн |
| 20+ | 108.21 грн |
| STGB10NB37LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 521 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.15 грн |
| 5+ | 186.72 грн |
| 8+ | 137.35 грн |
| 20+ | 129.86 грн |
| STGB10NB37LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.32 грн |
| 10+ | 169.25 грн |
| 100+ | 113.87 грн |
| 250+ | 111.21 грн |
| 500+ | 97.23 грн |
| 1000+ | 59.73 грн |
| 2000+ | 56.74 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.06 грн |
| 5+ | 90.87 грн |
| 12+ | 70.76 грн |
| 32+ | 67.29 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 134.47 грн |
| 5+ | 113.24 грн |
| 12+ | 84.91 грн |
| 32+ | 80.74 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 138+ | 85.1 грн |
| 151+ | 77.64 грн |
| 152+ | 77.24 грн |
| 171+ | 65.92 грн |
| 250+ | 50.84 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 10A 600V
IGBT Transistors N Ch 10A 600V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.21 грн |
| 10+ | 94.96 грн |
| 100+ | 66.59 грн |
| 250+ | 65.06 грн |
| 500+ | 58.34 грн |
| 1000+ | 49.95 грн |
| 2000+ | 47.41 грн |
| STGB10NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 79.02 грн |
| 10+ | 72.1 грн |
| 25+ | 71.72 грн |
| 100+ | 61.21 грн |
| 250+ | 47.21 грн |
| STGB10NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 48.32 грн |
| 15+ | 39.15 грн |
| 16+ | 38.08 грн |
| 25+ | 36.64 грн |
| 100+ | 32.71 грн |
| 250+ | 31.35 грн |
| 500+ | 31.3 грн |
| 1000+ | 31.25 грн |
| STGB10NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-channel MOSFET
IGBT Transistors N-channel MOSFET
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.6 грн |
| 10+ | 65.78 грн |
| 100+ | 48.88 грн |
| 250+ | 48.61 грн |
| 500+ | 44.15 грн |
| 1000+ | 41.89 грн |
| STGB10NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 277+ | 42.16 грн |
| 285+ | 41.01 грн |
| 286+ | 40.92 грн |
| 296+ | 38.04 грн |
| 297+ | 35.17 грн |
| 500+ | 33.71 грн |
| 1000+ | 33.65 грн |
| STGB10NC60KT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 168+ | 69.68 грн |
| STGB10NC60KT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 64.7 грн |
| STGB14NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors PowerMESH" IGBT
IGBT Transistors PowerMESH" IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.39 грн |
| 10+ | 121.77 грн |
| 100+ | 83.91 грн |
| 250+ | 83.24 грн |
| 500+ | 71.26 грн |
| 1000+ | 60.4 грн |
| 2000+ | 57.34 грн |
| STGB15H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 72.56 грн |
| STGB15H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 77.69 грн |
| STGB15H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STGB15H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.32 грн |
| 10+ | 96.49 грн |
| 100+ | 71.92 грн |
| 250+ | 65.66 грн |
| 1000+ | 65.06 грн |
| 5000+ | 63.13 грн |
| STGB15H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 83.48 грн |
| 2000+ | 83.47 грн |
| STGB15M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STGB15M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.96 грн |
| 10+ | 111.81 грн |
| 100+ | 77.25 грн |
| 500+ | 65.66 грн |
| 1000+ | 54.14 грн |
| 2000+ | 51.41 грн |
| 5000+ | 49.81 грн |
| STGB18N40LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V
IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.92 грн |
| 10+ | 140.15 грн |
| 100+ | 97.23 грн |
| 250+ | 89.9 грн |
| 500+ | 81.24 грн |
| 1000+ | 66.59 грн |
| 2000+ | 66.26 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 92.07 грн |
| 2000+ | 87.06 грн |
| 5000+ | 83.38 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 600V 19A
IGBT Transistors N Ch 600V 19A
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.01 грн |
| 10+ | 161.59 грн |
| 25+ | 132.52 грн |
| 100+ | 113.21 грн |
| 250+ | 107.22 грн |
| 500+ | 101.22 грн |
| 1000+ | 85.91 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 90.12 грн |
| STGB19NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 98.91 грн |
| 2000+ | 93.53 грн |
| 5000+ | 89.58 грн |
| STGB19NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 438.96 грн |
| 10+ | 363 грн |
| 100+ | 255.72 грн |
| 500+ | 227.08 грн |
| 1000+ | 190.46 грн |
| 2000+ | 179.14 грн |
| STGB19NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 129.36 грн |
| 100+ | 117.69 грн |
| 122+ | 96.1 грн |
| 200+ | 86.66 грн |
| 500+ | 79.99 грн |
| STGB20H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
IGBT Transistors 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.94 грн |
| 10+ | 127.89 грн |
| 100+ | 89.24 грн |
| 250+ | 83.91 грн |
| 500+ | 73.92 грн |
| 1000+ | 61.93 грн |
| 2000+ | 59.27 грн |
| STGB20M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.17 грн |
| 10+ | 122.53 грн |
| 100+ | 84.57 грн |
| 250+ | 77.91 грн |
| 500+ | 71.26 грн |
| 1000+ | 60.6 грн |
| 2000+ | 57.6 грн |
| STGB20N40LZ |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
IGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
на замовлення 952 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.8 грн |
| 1000+ | 87.3 грн |
| STGB20N45LZAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1433000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 96.32 грн |
| 2000+ | 92.05 грн |
| 5000+ | 88.98 грн |
| 10000+ | 85.53 грн |
| STGB20N45LZAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1433000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 89.44 грн |
| 2000+ | 85.48 грн |
| 5000+ | 82.62 грн |
| 10000+ | 79.42 грн |
| STGB20N45LZAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1433000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STGB30H60DFB |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 975 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.54 грн |
| 10+ | 179.97 грн |
| 25+ | 147.17 грн |
| 100+ | 126.53 грн |
| 250+ | 119.2 грн |
| 500+ | 112.54 грн |
| 1000+ | 95.89 грн |
| STGB30H60DLLFBAG |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.67 грн |
| 10+ | 165.42 грн |
| 25+ | 135.85 грн |
| 100+ | 115.87 грн |
| 250+ | 109.88 грн |
| 500+ | 103.22 грн |
| 1000+ | 87.9 грн |
| STGB30H65DFB2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.6 грн |
| 10+ | 133.25 грн |
| 100+ | 93.23 грн |
| 250+ | 89.24 грн |
| 500+ | 77.25 грн |
| 1000+ | 63.8 грн |
| 2000+ | 60.67 грн |
| STGB30M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 104.41 грн |
| 2000+ | 97.98 грн |
| 5000+ | 94.44 грн |
| STGB30M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 202.78 грн |
| 10+ | 167.72 грн |
| 25+ | 141.84 грн |
| 100+ | 118.54 грн |
| 250+ | 114.54 грн |
| 500+ | 104.55 грн |
| 1000+ | 89.9 грн |
| STGB30M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 112.44 грн |
| 2000+ | 105.51 грн |
| 5000+ | 101.7 грн |
| STGB30V60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.32 грн |
| 10+ | 180.73 грн |
| 100+ | 127.19 грн |
| 500+ | 113.21 грн |
| 1000+ | 96.56 грн |
| STGB35N35LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 73.32 грн |
| STGB35N35LZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 148+ | 78.96 грн |
| STGB3NC120HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
IGBT Transistors IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.48 грн |
| 10+ | 142.44 грн |
| 100+ | 99.89 грн |
| 500+ | 84.57 грн |
| 1000+ | 72.59 грн |
| STGB40H65FB |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.93 грн |
| 10+ | 219.03 грн |
| 25+ | 180.47 грн |
| 100+ | 154.5 грн |
| 250+ | 145.84 грн |
| 500+ | 137.18 грн |
| 1000+ | 117.2 грн |
| STGB40V60F |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 108.81 грн |
| STGB40V60F |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 117.18 грн |
| STGB40V60F |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.32 грн |
| 10+ | 175.37 грн |
| 25+ | 143.84 грн |
| 100+ | 123.2 грн |
| 250+ | 116.54 грн |
| 500+ | 109.88 грн |
| 1000+ | 93.23 грн |
| STGB6M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.55 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 100+ | 59.8 грн |
| 500+ | 50.68 грн |
| 1000+ | 41.22 грн |
| 2000+ | 38.82 грн |
| 5000+ | 36.96 грн |
| STGB6NC60HDT4 | |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors PowerMESH TM IGBT
IGBT Transistors PowerMESH TM IGBT
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.78 грн |
| 10+ | 37.76 грн |
| STGB7H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STGB7H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 39.22 грн |
| 16+ | 36.91 грн |
| 25+ | 34.54 грн |
| 50+ | 32.97 грн |
| 100+ | 24.24 грн |
| STGB7H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.6 грн |
| 10+ | 62.57 грн |
| 100+ | 44.55 грн |
| 1000+ | 34.1 грн |
| STGB7H60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STGB7NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 14 Amp
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 14 Amp
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.15 грн |
| 10+ | 134.02 грн |
| 100+ | 93.23 грн |
| 250+ | 85.24 грн |
| 500+ | 77.91 грн |
| 1000+ | 66.26 грн |
| 2000+ | 62.53 грн |
| STGB8NC60KDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
IGBT Transistors N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.65 грн |
| 10+ | 98.03 грн |
| 100+ | 67.93 грн |
| 250+ | 63.2 грн |
| 500+ | 57 грн |
| 1000+ | 48.81 грн |
| 2000+ | 46.35 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]