Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTN320N10TIXYSSOT-227B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN320N10TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2773.36 грн
10+2463.18 грн
100+2103.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60PIXYSMOSFET Modules -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3925.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3087.89 грн
10+2239.94 грн
100+2089.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN400N15X4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400 A, 150 V, 2350 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 3mohm 340A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 348 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PIXYSMOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2632.01 грн
10+2252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN44N50LWL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN44N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3126.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4LittelfuseIXTN500N20X4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3620.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4LittelfuseIXTN500N20X4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3620.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41500 pF @ 25 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.79 грн
10+2571.17 грн
50+2256.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; 200V; 500A; SOT227B; 1.15kW; 250ns; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.99mΩ
Power dissipation: 1.15kW
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN5N250IXYSDiscrete Semiconductor Modules 2500V 5A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2885.19 грн
10+2072.42 грн
50+1771.88 грн
100+1645.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3991.12 грн
10+3224.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYSMOSFET Modules 60 Amps 500V
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LIXYSMOSFET Modules 62 Amps 500V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50L
Код товару: 29989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.91 грн
10+1856.88 грн
100+1624.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4IXYSMOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4. - MOSFET, N-CH, 40V, 660A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYSMOSFET Modules 79 Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 485ns
Gate charge: 660nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 7.5A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2809.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LIXYSMOSFET Modules 8 Amps 1500V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3997.33 грн
10+2930.60 грн
50+2634.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2IXYSMOSFET Modules 90 Amps 250V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSMOSFET Modules -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2910.05 грн
10+2093.73 грн
50+1792.30 грн
100+1671.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+864.95 грн
19+786.01 грн
50+509.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+598.68 грн
10+505.23 грн
50+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.98 грн
10+456.42 грн
50+366.65 грн
100+316.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+359.89 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+663.21 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP01N100D. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P
Код товару: 161462
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSMOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.31 грн
82+173.45 грн
100+167.56 грн
250+156.67 грн
500+141.12 грн
1000+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
On-state resistance: 75Ω
Reverse recovery time: 1.6µs
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
10+183.08 грн
50+141.71 грн
100+120.49 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.18 грн
86+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DN-Channel, Depletion Mode, 500V, 200mA, 30 Ohm, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP03N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100IXYSMOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.88 грн
10+196.76 грн
50+153.07 грн
100+130.45 грн
500+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.97 грн
10+256.89 грн
50+202.03 грн
100+173.01 грн
500+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100MIXYSMOSFETs 0.5 Amps 1000V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100PIXYSMOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.