Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTX210P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2114.17 грн
10+1830.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX22N100LIXYSMOSFETs LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3088.70 грн
10+2996.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2854.90 грн
10+2536.02 грн
100+2165.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX240N075L2IXYSMOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2969.50 грн
10+2496.79 грн
120+1892.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX24N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1691.34 грн
5+1382.87 грн
10+1073.60 грн
50+987.19 грн
100+901.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1559.48 грн
30+1135.27 грн
120+993.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1527.84 грн
10+1413.13 грн
30+1086.60 грн
60+1067.27 грн
120+1017.56 грн
270+979.59 грн
510+873.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX3N250LIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE TO-247P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX400N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX400N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3174.88 грн
30+2100.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX400N20X4IXYSMOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2020.74 грн
10+1606.84 грн
100+1222.59 грн
500+1152.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1521.40 грн
10+1231.33 грн
30+1031.37 грн
60+1007.21 грн
120+983.74 грн
270+938.17 грн
510+898.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1285.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.40 грн
30+1167.87 грн
120+1094.87 грн
510+876.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, PLUS247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1718.72 грн
5+1569.72 грн
10+1418.31 грн
25+1178.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3001.69 грн
30+2223.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX46N50LIXYSMOSFETs 44 Amps 500V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3088.70 грн
10+3042.99 грн
30+2227.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX4N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5219.75 грн
30+4060.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX4N300P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 300V 4A N-CH POLAR
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5044.21 грн
10+4706.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX550N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8858.28 грн
30+7298.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA PLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX5N250IXYSMOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9982.90 грн
10+9332.20 грн
30+7894.74 грн
120+7789.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2867.33 грн
30+1844.82 грн
120+1748.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2984.80 грн
10+2160.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX660N04T4IXYSDescription: DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX660N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4991.86 грн
10+4459.29 грн
30+3744.41 грн
60+3609.10 грн
120+3597.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4672.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2559.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFET
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3643.62 грн
10+3063.63 грн
120+2322.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2627.76 грн
10+2414.76 грн
25+2314.78 грн
100+1690.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Gate charge: 640nC
Reverse recovery time: 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 960W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3032.32 грн
10+2308.64 грн
120+1878.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2405.23 грн
30+1532.93 грн
120+1527.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.68 грн
30+916.71 грн
120+842.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1377.23 грн
5+1120.14 грн
10+1029.57 грн
30+1012.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1856.44 грн
10+1274.99 грн
120+1021.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
на замовлення 13714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
70+109.72 грн
140+99.61 грн
560+78.77 грн
1050+73.61 грн
2030+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.40 грн
10+86.32 грн
25+85.62 грн
50+78.60 грн
100+72.24 грн
500+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100IXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+115.11 грн
70+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.99 грн
10+174.15 грн
25+170.69 грн
50+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100 TRL
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+162.75 грн
100+108.38 грн
500+91.12 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+224.02 грн
560+194.87 грн
1050+184.88 грн
2030+173.36 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.54 грн
70+186.83 грн
140+171.02 грн
560+137.52 грн
1050+129.46 грн
2030+123.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYSMOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.40 грн
10+199.27 грн
70+158.09 грн
560+147.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+225.31 грн
560+195.99 грн
1050+185.94 грн
2030+174.35 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.25 грн
10+219.07 грн
100+187.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D TRIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+135.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100D TRL
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.50 грн
10+265.95 грн
100+165.68 грн
500+149.80 грн
1000+147.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.23 грн
10+199.53 грн
100+146.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.89 грн
10+236.79 грн
100+191.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.43 грн
10+247.02 грн
100+176.94 грн
500+150.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N80IXYSMOSFETs 0.1 Amps 800V 50 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSMOSFETs 0.2Amps 1200V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.09 грн
10+123.05 грн
70+96.65 грн
560+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 11996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
70+97.10 грн
140+87.95 грн
560+69.24 грн
1050+64.57 грн
2030+60.40 грн
5040+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY02N120P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY02N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.2A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.67 грн
25+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
70+91.10 грн
140+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+96.85 грн
560+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D_TRLIXYSMOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY03N90PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH TO252AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.67 грн
42+342.66 грн
70+306.94 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+146.58 грн
100+145.78 грн
500+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2IXYSMOSFETs 8mAmps 1000V
на замовлення 6121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.52 грн
10+241.34 грн
70+138.07 грн
560+128.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.43 грн
70+185.34 грн
140+169.66 грн
560+136.42 грн
1050+128.43 грн
2030+122.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.45 грн
10+347.93 грн
25+299.61 грн
50+233.34 грн
100+175.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.63 грн
10+161.16 грн
70+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+123.74 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]