Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTT500N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 500A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2IXYSMOSFET Trench T2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50N30IXYSMOSFETs 50 Amps 300V 0.065 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P085IXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10IXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+680.08 грн
3+558.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10IXYSMOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PIXYSMOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10IXYSMOSFETs 60 Amps 100 V 0.033 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25PIXYSMOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.06 грн
30+932.16 грн
120+842.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 245ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1509.18 грн
5+1214.36 грн
10+1117.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 568W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT69N30PIXYSMOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT69N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.38 грн
30+493.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120IXYSMOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT6N120 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20IXYSMOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 74A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10IXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.02 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1091.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 75A DPAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N20L2IXYSMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Linear Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
30+458.88 грн
120+407.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Power dissipation: 600W
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 88A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1041.34 грн
5+826.91 грн
10+774.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.23 грн
30+655.53 грн
120+564.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50IXYSMOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 0.250 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1202.37 грн
30+713.95 грн
120+616.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.24 грн
30+445.47 грн
120+398.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20P-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTT96N20P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.60 грн
10+118.13 грн
50+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N80IXYSMOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 100MA TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
70+90.75 грн
140+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU05N100IXYSMOSFETs 0.5 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU05N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU12N06TIXYSMOSFET 12 Amps 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU12N06TIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU44N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO251
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N60PIXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2IXYSMOSFETs TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.99 грн
5+140.89 грн
25+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV02N250SIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV03N400SIXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV110N25TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.