Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTY08N100P-TRLIXYSDescription: IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N120PIXYSMOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+158.66 грн
100+138.53 грн
500+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 21542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.02 грн
10+144.49 грн
70+107.00 грн
560+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.46 грн
70+135.59 грн
140+123.41 грн
560+98.12 грн
1050+91.90 грн
2030+86.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.02 грн
10+196.09 грн
100+120.12 грн
500+100.79 грн
2500+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.82 грн
5000+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.46 грн
10+183.45 грн
100+129.06 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.63 грн
10+219.11 грн
70+137.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TIXYSMOSFETs 12 Amps 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.53 грн
10+246.80 грн
25+216.88 грн
70+212.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSMOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.70 грн
10+350.11 грн
70+187.77 грн
560+144.28 грн
1050+143.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.12 грн
10+227.93 грн
100+206.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.75 грн
70+191.47 грн
140+175.57 грн
560+141.69 грн
1050+138.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15N20TIXYSMOSFETs 15 Amps 200V 180 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.80 грн
70+218.04 грн
140+186.89 грн
560+155.90 грн
1050+133.49 грн
2030+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 116ns
On-state resistance: 0.24Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15TIXYSMOSFET TrenchP Power MOSFET
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.80 грн
10+247.69 грн
25+202.96 грн
70+173.28 грн
280+163.61 грн
560+156.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 150V; 15A; 150W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Gate-source voltage: -15...15V
On-state resistance: 0.24Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10TIXYSMOSFETs -100V -18A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+317.56 грн
70+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.40 грн
70+158.33 грн
140+144.66 грн
560+115.89 грн
1050+109.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.11 грн
10+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 18A; 83W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 0.12Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100PIXYSMOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 15Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.35 грн
5+153.73 грн
25+135.45 грн
70+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80IXYSMOSFETs 1 Amps 800 V 11 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO252; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 14Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80PIXYSMOSFETs POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1N80P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.35 грн
10+201.65 грн
70+160.85 грн
560+158.09 грн
1050+146.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHVIXYSMOSFETs TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+231.82 грн
70+201.58 грн
100+136.69 грн
1000+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60P TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.35 грн
70+147.19 грн
140+135.54 грн
560+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+241.23 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.44 грн
140+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1R6N100D2 TRL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
2+264.98 грн
10+219.91 грн
25+180.18 грн
100+154.64 грн
250+145.66 грн
500+137.38 грн
1000+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
70+141.97 грн
140+131.15 грн
560+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+431.30 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 2.3Ω
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.10 грн
10+199.43 грн
25+167.02 грн
30+160.38 грн
50+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+268.34 грн
70+133.24 грн
560+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.11 грн
10+155.44 грн
100+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.55 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+120.81 грн
1000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+211.42 грн
100+149.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.27 грн
10+273.03 грн
25+237.59 грн
50+187.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 10233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.40 грн
10+338.99 грн
25+263.02 грн
70+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY26P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 26 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchP Series
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTY26P10T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
70+123.41 грн
140+120.05 грн
560+103.20 грн
1050+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.06 грн
10+256.43 грн
70+165.68 грн
560+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY2N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
70+96.32 грн
140+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.3nC
Reverse recovery time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PALittelfuseMOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 780 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
2+303.63 грн
10+251.66 грн
25+206.41 грн
70+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PAIXYSMOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.24 грн
10+250.87 грн
70+130.47 грн
560+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PAIXYSDescription: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]