Продукція > IPU

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LAG

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

05+

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LAG

07+ 251

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03LG

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

03+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA G (транзистор)
Код товару: 47339

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

на замовлення 54300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

07+;

на замовлення 76500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	44.09 грн

Мінімальне замовлення: 625

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZNK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03LAG

на замовлення 25300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

0339+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

07+;

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

06+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LBG

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU103N80N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU12N03L

03+

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3G

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3GBKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

03+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LAG

TO251 06+

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU3004

IOR

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1973+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 1973

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 2308

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2223+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 2223

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 250540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 2597

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

MOSFETs N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 2597

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 235740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 119025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 27824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 333240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBTMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-345
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CE

Infineon technologies

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K0CEAKMA2 - IPU60R1K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1072+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 1072

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6AKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

953+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 953

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

989+	23.90 грн

Мінімальне замовлення: 989

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6BKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	32.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.94 грн
75+	25.28 грн
150+	21.74 грн
525+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.44 грн
13+	29.36 грн
100+	22.17 грн
500+	18.89 грн
1000+	18.57 грн
1500+	17.21 грн
4500+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K5CEBKMA1 - IPU60R1K5 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	28.82 грн

Мінімальне замовлення: 916

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6

MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

на замовлення 47296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1154+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 1154

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6AKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1112+	23.70 грн

Мінімальне замовлення: 1112

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

на замовлення 352500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

673+	33.65 грн

Мінімальне замовлення: 673

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6BKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 216000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

950+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 950

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CE

Infineon technologies

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 3082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.13 грн
13+	29.36 грн
100+	22.09 грн
500+	18.41 грн
1000+	16.01 грн
1500+	12.33 грн
24000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

на замовлення 4469 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.88 грн
75+	24.17 грн
150+	21.38 грн
525+	16.34 грн
1050+	14.72 грн
2025+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	68.60 грн
28+	32.86 грн
100+	28.73 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1888+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 1888

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K1CEBKMA1 - IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1819+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 1819

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R3K4CEAKMA1 - IPU60R3K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

MOSFET

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 2308

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

на замовлення 977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R950C6AKMA1 - IPU60R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 117500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

855+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 855

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU78CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CE

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 124500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	88.38 грн

Мінімальне замовлення: 253

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 28495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	77.24 грн
500+	73.95 грн
1000+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	77.24 грн
500+	73.95 грн
1000+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEAKMA1 - IPU80R1K0CE 800V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

358+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 358

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	77.24 грн
500+	73.95 грн
1000+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors

на замовлення 851 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	54.63 грн
29+	41.82 грн
79+	39.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	52.80 грн
1000+	49.87 грн

Мінімальне замовлення: 600

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

354+	63.57 грн

Мінімальне замовлення: 354

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	52.80 грн
1000+	49.87 грн

Мінімальне замовлення: 600

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEBKMA1 - IPU80R1K0 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	52.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

418+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 418

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K2P7AKMA1 - IPU80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

575+	45.88 грн

Мінімальне замовлення: 575

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

IPU80R1K2P7 THT N channel transistors

на замовлення 430 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	74.35 грн
27+	44.12 грн
75+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K4CEBKMA1 - IPU80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	32.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

на замовлення 18925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	39.64 грн

Мінімальне замовлення: 567

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7; 4A; 800V; 1,4R; 32W; N-канальный; Корпус: IPAK; INFINEON (шт)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	50.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	80.46 грн
185+	68.54 грн
217+	58.61 грн
228+	53.67 грн
500+	46.48 грн
1000+	41.91 грн
1500+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 1334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.06 грн
10+	104.94 грн
500+	76.44 грн
1000+	68.28 грн
1500+	52.35 грн
4500+	45.94 грн
10500+	45.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	108.65 грн
11+	88.98 грн
100+	68.87 грн
500+	49.19 грн
1000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	41.86 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7 THT N channel transistors

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	131.46 грн
31+	38.62 грн
85+	36.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 119009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

640+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 640

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.94 грн
10+	68.94 грн
100+	41.38 грн
500+	34.58 грн
1000+	31.78 грн
1500+	26.17 грн
4500+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

868+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 868

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	53.61 грн
24+	37.53 грн
100+	28.10 грн
500+	23.26 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CE

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

586+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 586

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K8CEAKMA1 - IPU80R2K8 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

828+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 828

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1
Код товару: 105297

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	38.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

908+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 908

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.71 грн
10+	63.24 грн
100+	36.66 грн
500+	30.74 грн
1000+	28.74 грн
1500+	23.45 грн
4500+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	43.53 грн
43+	28.22 грн
116+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	45.73 грн
324+	39.18 грн
341+	37.17 грн
500+	33.50 грн
1000+	29.14 грн
1500+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.67 грн
35+	25.77 грн
100+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.51 грн
75+	38.91 грн
150+	34.63 грн
525+	26.78 грн
1050+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

IPU80R600P7 THT N channel transistors

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	215.50 грн
8+	169.09 грн
20+	160.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.41 грн
10+	100.97 грн
100+	80.37 грн
500+	63.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R750P7AKMA1 - IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.95 грн
10+	97.14 грн
100+	75.51 грн
500+	60.06 грн
1500+	48.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

3+	131.67 грн
10+	106.78 грн
100+	71.96 грн
500+	60.99 грн
1000+	60.03 грн
1500+	49.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1-ND

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	61.48 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.08 грн
75+	52.23 грн
150+	46.80 грн
525+	36.66 грн
1050+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	92.49 грн
10+	71.20 грн
75+	58.70 грн
150+	54.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.54 грн
10+	58.54 грн
100+	45.54 грн
500+	38.10 грн
1000+	34.82 грн
1500+	32.18 грн
4500+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

на замовлення 203 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	110.98 грн
10+	88.73 грн
75+	70.44 грн
150+	65.13 грн
375+	59.03 грн
750+	53.73 грн
1500+	49.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	44.00 грн
100+	37.98 грн
500+	31.02 грн
1000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.78 грн
10+	68.58 грн
100+	50.51 грн
500+	49.71 грн
1000+	49.39 грн
1500+	49.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.11 грн
10+	95.33 грн
25+	93.66 грн
100+	69.42 грн
500+	54.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	126.61 грн
10+	105.06 грн
100+	81.08 грн
500+	54.20 грн
1000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

568+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 568

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

IPU95R2K0P7 THT N channel transistors

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	74.56 грн
37+	32.22 грн
102+	30.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.41 грн
20+	37.75 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 621-630 дні (днів)

3+	127.00 грн
10+	112.30 грн
100+	76.76 грн
500+	63.23 грн
1000+	49.31 грн
1500+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 23457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

405+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 405

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.23 грн
100+	32.71 грн
500+	29.59 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.01 грн
10+	52.10 грн
100+	38.90 грн
500+	35.62 грн
1000+	32.10 грн
1500+	30.50 грн
4500+	28.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.04 грн
75+	43.48 грн
150+	38.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	120.32 грн
17+	54.68 грн
100+	48.85 грн
500+	40.10 грн
1000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.58 грн
10+	259.39 грн
100+	208.51 грн
500+	160.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	219.09 грн
10+	160.73 грн
100+	102.36 грн
500+	79.04 грн
1000+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.58 грн
10+	190.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

MOSFETs N

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.11 грн
10+	166.61 грн
100+	106.46 грн
500+	86.45 грн
1000+	80.04 грн
1500+	78.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7

MOSFETs LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	67.92 грн
188+	67.58 грн
200+	64.03 грн
1000+	59.21 грн
1500+	56.77 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	54.27 грн

Мінімальне замовлення: 375

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	50.74 грн

Мінімальне замовлення: 400

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.53 грн
25+	83.95 грн
100+	65.64 грн
500+	55.39 грн
1000+	49.55 грн
1500+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	149.05 грн
10+	130.20 грн
100+	75.25 грн
500+	54.95 грн
1000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.59 грн
25+	95.75 грн
100+	86.17 грн
500+	71.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Laird Performance Materials

IPU95R750P7 THT N channel transistors

на замовлення 147 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	139.00 грн
14+	90.05 грн
37+	85.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPUD3340151M-10

Power Inductors - SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUH6N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUH6N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-180029-01A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-180029-02A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2AABHD

Description: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2BABHD

Description: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-B (USB TYPE-B), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Box
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	830.35 грн
10+	662.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JBFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JBPC

Description: CONN RCPT USB2.0 TYPEB 4POS PCB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Bulk
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Number of Ports: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-05M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-3M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 3M

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-5M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Packaging: Bulk
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Color: Black
Length: 16.40' (5.00m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-3M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 3M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-5M

Description: CA, USB BP W / B STD 5M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-31JCPC

Description: JACK, PNL USB W 3.1 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Bayonet Coupling
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Part Status: Active
Number of Ports: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1CS

Description: CBL A PLUG TO MINI B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Mini B Male
Part Status: Active

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	342.01 грн
10+	296.58 грн
25+	267.34 грн
100+	224.90 грн
250+	202.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1CS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Mini-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.64 грн
10+	307.44 грн
25+	247.33 грн
100+	233.73 грн
180+	229.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-R

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Configuration: A Male to Micro B Male

на замовлення 9820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	583.58 грн
10+	505.52 грн
25+	455.34 грн
100+	384.44 грн
250+	345.79 грн
500+	342.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-RW

Description: USBA TO MICRO-B USB 24AWG LOW DR
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to MicroB 24AWG Low Drop 1.5 meter

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	460.38 грн
10+	438.15 грн
25+	369.80 грн
50+	364.20 грн
100+	352.99 грн
300+	342.58 грн
500+	324.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-RW
Код товару: 183208

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MS

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

на замовлення 7842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.07 грн
10+	235.65 грн
25+	198.51 грн
50+	183.30 грн
100+	177.70 грн
180+	160.89 грн
540+	160.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MSW

Description: USB CABLE A TO MICRO B 1.5M WHT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MSW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m white

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 blk

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.93 грн
10+	105.86 грн
25+	89.65 грн
50+	82.44 грн
100+	79.88 грн
180+	77.80 грн
540+	73.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5W

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5W

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 wht

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2AABHD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2ASTB

Description: JACK PNL USB 2.0 A MTL / STB
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1798.37 грн
10+	1434.60 грн
25+	1224.66 грн
50+	1047.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2JAFL

Description: CBL USB2.0 A RCPT-OPEN W/COUPL

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2JAPC