Продукція > IPU

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LAG

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

05+

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LAG

07+ 251

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03LG

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

03+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA G (транзистор)
Код товару: 47339

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

на замовлення 54300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

07+;

на замовлення 76500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 625

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZNK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03LAG

на замовлення 25300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

0339+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

07+;

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

06+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LBG

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU103N80N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU12N03L

03+

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3G

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3GBKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

03+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LAG

TO251 06+

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU3004

IOR

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 2049

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1973+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 1973

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 2308

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2223+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 2223

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 250540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 2597

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 2597

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 235740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 27824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

на замовлення 119025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 333240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 1667

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBTMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-345
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 1731

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CE

Infineon technologies

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	17.19 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K0CEAKMA2 - IPU60R1K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1072+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 1072

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6AKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

953+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 953

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

989+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 989

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6BKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.98 грн
75+	24.43 грн
150+	21.20 грн
525+	17.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.80 грн
12+	29.18 грн
100+	22.03 грн
500+	19.12 грн
1500+	17.71 грн
4500+	12.95 грн
24000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K5CEBKMA1 - IPU60R1K5 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	26.80 грн

Мінімальне замовлення: 916

В кошику од. на суму грн.

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6

MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

на замовлення 47296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1154+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 1154

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6AKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1112+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 1112

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6BKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 216000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

950+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 950

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K0C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CE

Infineon technologies

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

MOSFETs CONSUMER

на замовлення 3082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.20 грн
13+	27.30 грн
100+	20.54 грн
500+	17.12 грн
1000+	14.88 грн
1500+	11.46 грн
24000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.78 грн
28+	30.55 грн
100+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K1CEBKMA1 - IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1819+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 1819

В кошику од. на суму грн.

IPU60R2K1CEBKMA1

на замовлення 6512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1888+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 1888

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 2308

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R3K4CEAKMA1 - IPU60R3K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

MOSFET

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

на замовлення 977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R600C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R950C6AKMA1 - IPU60R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 117500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

855+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 855

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU60R950C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU78CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CE

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 28495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	74.37 грн
500+	71.21 грн
1000+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEAKMA1 - IPU80R1K0CE 800V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

358+	68.62 грн

Мінімальне замовлення: 358

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 124500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	73.51 грн

Мінімальне замовлення: 305

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	74.37 грн
500+	71.21 грн
1000+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

411+	74.37 грн
500+	71.21 грн
1000+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

426+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 426

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	50.84 грн
1000+	48.02 грн

Мінімальне замовлення: 600

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors

на замовлення 914 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	55.30 грн
20+	54.97 грн
50+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEBKMA1 - IPU80R1K0 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

600+	50.84 грн
1000+	48.02 грн

Мінімальне замовлення: 600

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

502+	42.46 грн

Мінімальне замовлення: 502

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.09 грн
9+	45.58 грн
25+	40.46 грн
26+	35.35 грн
72+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

на замовлення 435 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	66.11 грн
6+	56.80 грн
25+	48.56 грн
26+	42.42 грн
72+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K2P7AKMA1 - IPU80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

575+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 575

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

на замовлення 18925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

682+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 682

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K4CEBKMA1 - IPU80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7; 4A; 800V; 1,4R; 32W; N-канальный; Корпус: IPAK; INFINEON

на замовлення 7 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	99.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	81.81 грн
10+	42.01 грн
31+	29.53 грн
85+	27.91 грн
525+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.60 грн
10+	63.07 грн
100+	41.75 грн
500+	34.68 грн
1000+	31.63 грн
1500+	26.94 грн
4500+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 119009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

640+	33.13 грн

Мінімальне замовлення: 640

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	77.48 грн
185+	65.99 грн
217+	56.43 грн
228+	51.67 грн
500+	44.76 грн
1000+	40.35 грн
1500+	40.18 грн

Мінімальне замовлення: 158

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	98.17 грн
10+	52.35 грн
31+	35.44 грн
85+	33.49 грн
525+	32.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.02 грн
14+	61.86 грн
100+	47.00 грн
500+	36.35 грн
1000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	40.30 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

IPU80R2K0P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.51 грн
18+	46.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

868+	25.99 грн

Мінімальне замовлення: 868

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.19 грн
16+	54.34 грн
100+	37.56 грн
500+	29.22 грн
1000+	25.76 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.31 грн
10+	64.10 грн
100+	38.47 грн
500+	32.15 грн
1000+	29.54 грн
1500+	24.33 грн
4500+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CE

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K8CEAKMA1 - IPU80R2K8 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

828+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 828

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

на замовлення 14499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

705+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 705

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1
Код товару: 105297

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	38.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R2K8CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

908+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 908

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.45 грн
10+	58.79 грн
100+	34.08 грн
500+	28.57 грн
1000+	26.71 грн
1500+	21.80 грн
4500+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

IPU80R3K3P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	119.21 грн
26+	43.44 грн
69+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.94 грн
75+	36.17 грн
150+	32.19 грн
525+	24.89 грн
1050+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	44.03 грн
324+	37.73 грн
341+	35.79 грн
500+	32.26 грн
1000+	28.06 грн
1500+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.06 грн
23+	37.65 грн
100+	32.97 грн
500+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

IPU80R600P7 THT N channel transistors

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	204.35 грн
7+	160.92 грн
19+	152.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.52 грн
10+	93.87 грн
100+	74.72 грн
500+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

IPU80R750P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.30 грн
10+	90.30 грн
100+	70.20 грн
500+	55.84 грн
1500+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R750P7AKMA1 - IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

3+	122.41 грн
10+	99.27 грн
100+	66.90 грн
500+	56.70 грн
1000+	55.81 грн
1500+	46.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R750P7AKMA1-ND

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

420+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 420

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

на замовлення 1471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.76 грн
10+	76.50 грн
25+	35.50 грн
100+	34.53 грн
250+	34.16 грн
500+	34.01 грн
1000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.84 грн
75+	58.94 грн
150+	52.87 грн
525+	41.51 грн
1050+	38.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	78.47 грн
10+	60.15 грн
23+	39.92 грн
63+	37.75 грн
150+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

на замовлення 307 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	94.16 грн
10+	74.96 грн
23+	47.90 грн
63+	45.30 грн
150+	45.21 грн
1500+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

P7 Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU80R900P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.90 грн
100+	35.31 грн
500+	28.84 грн
1000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.88 грн
10+	79.56 грн
25+	78.16 грн
100+	57.93 грн
500+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

IPU95R1K2P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.70 грн
10+	97.67 грн
100+	75.38 грн
500+	50.38 грн
1000+	34.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU95R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.10 грн
10+	63.75 грн
100+	46.96 грн
500+	46.21 грн
1000+	45.91 грн
1500+	45.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

IPU95R2K0P7 THT N channel transistors

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	100.17 грн
23+	48.56 грн
62+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

568+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 568

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 23457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

487+	43.71 грн

Мінімальне замовлення: 487

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 621-630 дні (днів)

3+	118.07 грн
10+	104.40 грн
100+	71.36 грн
500+	58.79 грн
1000+	45.84 грн
1500+	42.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.05 грн
20+	31.50 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.96 грн
10+	48.44 грн
100+	36.17 грн
500+	33.11 грн
1000+	29.84 грн
1500+	28.35 грн
4500+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.23 грн
100+	27.30 грн
500+	24.69 грн
1000+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.86 грн
17+	50.84 грн
100+	45.41 грн
500+	37.28 грн
1000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.67 грн
10+	59.53 грн
100+	46.29 грн
500+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7

Infineon LOW POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

IPU95R450P7 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.83 грн
10+	117.70 грн
100+	106.85 грн
500+	71.86 грн
1000+	61.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

MOSFETs N

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.34 грн
10+	154.89 грн
100+	98.97 грн
500+	80.37 грн
1000+	74.41 грн
1500+	73.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	216.62 грн
10+	159.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.52 грн
10+	241.15 грн
100+	193.85 грн
500+	149.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.35 грн
5+	87.59 грн
14+	68.21 грн
37+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	125.22 грн
5+	109.15 грн
14+	81.86 грн
37+	77.20 грн
750+	75.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.15 грн
12+	71.87 грн
100+	63.11 грн
500+	51.55 грн
1000+	41.00 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.44 грн
10+	190.83 грн
100+	132.46 грн
500+	108.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU95R750P7AKMA1

Laird Performance Materials

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 2332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.14 грн
10+	95.01 грн
100+	75.84 грн
500+	62.66 грн
1000+	49.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPUD3340151M-10

Power Inductors - SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUH6N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUH6N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-180029-01A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-180029-02A

Description: CUSTOM IPUSB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2AABHD

Description: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2BABHD

Description: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-B (USB TYPE-B), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JAPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	771.95 грн
10+	616.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JBFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2JBPC

Description: CONN RCPT USB2.0 TYPEB 4POS PCB
Packaging: Bulk
Features: Circular Threaded Coupling
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Number of Ports: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-05M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-3M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 3M

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJAPA-5M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 16.40' (5.00m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WJBPA-3M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 3M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-2WPBPB-5M

Description: CA, USB BP W / B STD 5M

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSB-31JCPC

Description: JACK, PNL USB W 3.1 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Bayonet Coupling
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Part Status: Active
Number of Ports: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1CS

Description: CBL A PLUG TO MINI B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Mini B Male
Part Status: Active

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.96 грн
10+	275.72 грн
25+	248.54 грн
100+	209.08 грн
250+	188.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1CS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Mini-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.46 грн
10+	285.82 грн
25+	229.94 грн
100+	217.29 грн
180+	213.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-R

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Configuration: A Male to Micro B Male

на замовлення 9820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.54 грн
10+	469.97 грн
25+	423.32 грн
100+	357.41 грн
250+	321.47 грн
500+	318.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-RW
Код товару: 183208

Додати до обраних Обраний товар

Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1M5LD-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to MicroB 24AWG Low Drop 1.5 meter

на замовлення 647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	664.14 грн
10+	556.24 грн
25+	453.92 грн
50+	444.99 грн
100+	377.28 грн
500+	366.86 грн
1000+	349.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MS

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

на замовлення 7842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro-B USB USB Cable 1.5M

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.58 грн
10+	242.18 грн
25+	203.89 грн
50+	188.27 грн
100+	182.31 грн
180+	177.10 грн
540+	175.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MSW

Description: USB CABLE A TO MICRO B 1.5M WHT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1MSW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m white

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 blk

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.13 грн
180+	183.99 грн
540+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5W

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 wht

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSB1P5W

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2AABHD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2ASTB

Description: JACK PNL USB 2.0 A MTL / STB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Box
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1671.90 грн
10+	1333.71 грн
25+	1138.53 грн
50+	973.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2JAFL

Description: CBL USB2.0 A RCPT-OPEN W/COUPL

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPUSBM-2JAPC