Продукція > IPU

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LAG

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

05+

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LA G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LAG

INFINEON

07+ 251

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU060N03LG

INFINEON

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA

03+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LA G (транзистор)
Код товару: 47339

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAG

на замовлення 54300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZ

07+;

на замовлення 76500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

625+	39.55 грн

Мінімальне замовлення: 625 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 650 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU06N03LZNK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU075N03LAG

на замовлення 25300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA

Infineon

0339+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAG

06+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU09N03LBG

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU103N80N3

Infineon

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU12N03L

03+

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU135N08N3G

Infineon

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA

03+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LAG

INFINEON

TO251 06+

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU13N03LANK

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU3004

IOR

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1973+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 1973 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

на замовлення 416723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2049+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 2049 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1829 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2308+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 2308 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2223+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 2223 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1075 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

на замовлення 250540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	8.82 грн

Мінімальне замовлення: 2597 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CE

MOSFETs N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 25539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2597+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 2597 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R3K0CEBKMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 123 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel

на замовлення 235740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 1731 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 119025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 1731 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 27824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 1667 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 333240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 1667 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 5380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1731+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 1731 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1667+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 1667 шт

В кошику од. на суму грн.

IPU50R950CEBTMA1