Продукція > SPW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPW-1/4-HN | ABB | 1/4in Hex Nut Zinc Plated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW-2 | OMEGA | Description: OMEGA - SPW-2 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 8.7mm Innendurchmesser Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW-2 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW-3 | OMEGA | Description: OMEGA - SPW-3 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 10mm Innendurchmesser Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW-3 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW-9 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0430HR5HB-B | Knowles | Description: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0430HR5HB-B | Knowles | Description: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0430HR5HB-B | Knowles | MEMS Microphones MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0442HR5H-1 | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 23603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0442HR5H-1 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V | на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0442HR5H-1 | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 17100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0442HR5H-1 Код товару: 126538
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW0442HR5H-1-8 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW05F0D (WEAA) | Seoul Semiconductor CO., LTD. | SPW05F0D 3,7x3,9 / 6500K(=CW) / 450-565lmx1400mAx1,9-2,8V (at Tj=25С) / Max=4500mA / 120deg. | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Digital, PDM Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 66.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.037" (0.95mm) Current - Supply: 2 mA Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Digital;Bottom;66.5dB SNR;135dB SPL;-41+/-1dBV;40Hz;88dB PSRR;Low Power: 260 / Standard: 1000;1.8V | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Digital, PDM Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 66.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.037" (0.95mm) Current - Supply: 2 mA Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1-2 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1-7 | Knowles | Description: SILICON MICROPHONE Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Digital, PDM Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 66.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.037" (0.95mm) Voltage - Rated: 1.8 V Current - Supply: 2 mA Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Frequency Range: 45 Hz ~ 15 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1-7 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0690LM4H-1-8 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW07N60CFD | INF | TO-247 | на замовлення 32480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW07N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW07N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW07N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW0878LR5H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 64.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.042" (1.06mm) Impedance: 380 Ohms Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz | на замовлення 7630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0878LR5H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 64.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.042" (1.06mm) Impedance: 380 Ohms Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0878LR5H-1 | Knowles | Microphones 65dB 15Hz 2.7V 3.1x2.5x0.96 | на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW0878LR5H-1-7 | Knowles | MEMS Microphones Knowles Versatile, High-performance, Bottom Port, multi-mode analog microphone (Ellen) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1020 | N/A | 08+ N/A | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1020 | N/A | N/A 08+ | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1050A-HB271 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW106F | Knitter-Switch | Miniature Pushbutton Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1102 | на замовлення 2432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW112A | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW11N60C2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60C3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW11N60C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 262381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60CFD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW11N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N60S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | на замовлення 14461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N60S5 | INF | TO-247 | на замовлення 32640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60S5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3 Код товару: 132782
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW11N80CC | на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW12N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 11.6A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW12N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW12N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3IN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW12N50C3XK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW13N50C3 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW1518DJ | Suntak | SOP 06+ | на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1518DJ | Suntak | 06+ SOP | на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW1550COTR | на замовлення 2872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW15N60C3 | Infineon technologies | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW15N60C3 | INF | 07+; | на замовлення 4470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3(транзистор) Код товару: 45716
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW15N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60CFD | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW15N60CFD | INF | TO-247 | на замовлення 24480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO247-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3 | NFINEON | 09+ SSOP20 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW16N50C3 | Infineon Technologies | Description: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3 | Infineon technologies | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW16N50C3(транзистор) Код товару: 68703
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW16N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 16 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW17N80 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW17N80C2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3 Код товару: 38747
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
SPW17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW17N80C3A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW17N80C3A | Infineon | MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V | на замовлення 3325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 250 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW17N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW17N80S5 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW20N60C2 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW20N60C3 | Infineon Technologies | Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3 : SPW20N60C3FKSA1 : SPW20N60C3XK | Infineon Technologies | SPW20N60C3 N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 | на замовлення 52 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60C3 TO-247 Код товару: 30183
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 20,7 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3/TK20J60 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 | на замовлення 40369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3E8177FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPW20N60C3E8177FKSA1 - COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 239633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 | на замовлення 199264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 2419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60C3PB-FREE | на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW20N60CFD Код товару: 67463
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW20N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60CFDXK | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60S5 Код товару: 71990
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60S5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5 | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon | N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW21N50C3 Код товару: 131445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW21N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW21N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW2430HR5H-B | Knowles | MEMS Microphones MEMS Microphone | на замовлення 12099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW2430HR5H-B | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Part Status: Not For New Designs Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 37898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW2430HR5H-B | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 34200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW2430HR5H-B-7 | Knowles | Description: SILICON MICROPHONE Packaging: Bulk Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -42dB ±3dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 59dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Top Height (Max): 0.043" (1.10mm) Part Status: Active Impedance: 450 Ohms Current - Supply: 110 µA Voltage Range: 1.5 V ~ 3.6 V Frequency Range: 100 Hz ~ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW2430HR5H-B-7 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW24N60C3 Код товару: 37627
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Uds,V: 650 V Idd,A: 24,3 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT | у наявності 28 шт: 19 шт - склад8 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||
SPW24N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 Код товару: 123188
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW24N60CFD | INFINEON | 10+ SOT23-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60CFD | Infineon technologies | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW24N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW24N60CFD Код товару: 99264
Додати до обраних
Обраний товар
| INF | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 21,7 A Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3160/110 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
SPW24N60CFD | INFINEON | 10+ TO-247 | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW2DN60C3 | на замовлення 8322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW2F01SA11 | Texas Instruments | WiFi Module; 802.11b/g/n; 2,4GHz; 3V~3,6V; 150Mbps; -40°C~85°C; 54 Mbps; -40°C~85°C; GPIO/UART/SPI/I2C; 26,92x15,24x2,35mm; 1,5MB Flash; 64kB SRAM; SPWF01SA11 STM RF SPWF01SA11 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW300A | SUNPLUS | 0641+ | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW32N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW32N50C3 Код товару: 56836
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 560 V Idd,A: 32 A Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/170 Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
SPW32N50C3 | Infineon | N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 Код товару: 131640
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 34,6 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150 Монтаж: THT | у наявності 44 шт: 34 шт - склад3 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3 | Infineon Technologies | Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60C3.24N60C3 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.081 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 21.6A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 25 V | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW40N60C3 | на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW45N65C3 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N60 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N602 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N60C | INFINE | 08+ SOP | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C2 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon | N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT | у наявності 32 шт: 17 шт - склад6 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3 : SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | SPW47N60C3 MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247 | на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW47N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 415W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60C3XK | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW47N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 Код товару: 104224
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N60S3 | на замовлення 4543 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N60S5 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N65C3 Код товару: 201189
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW47N65C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N65C3 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW47N65C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 415W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW47T60C3 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPW52N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 52A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW52N50C3 | INF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW52N50C3 Код товару: 43705
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW52N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW52N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW52N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW52N50C3XK | Rochester Electronics, LLC | Description: SPW52N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW55N80C3 | Infineon | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPW55N80C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW55N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3 | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3 | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPW6400A | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPWB21150 | Pulse Electronics | Antennas WIDE BAND VHF 136-174 MHZ NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB21150 | Pulse Electronics | Description: ANTENNA WIDE BAND VHF 136-174 MH Packaging: Tray Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 136MHz ~ 174MHz Termination: SMA Female Number of Bands: 1 Antenna Type: Helical Height (Max): 6.750" (171.45mm) Frequency Group: VHF (f < 300MHz) Frequency (Center/Band): 155MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB22150 | YAGEO | SPWB22150-YAG Unclassified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB22150 | Pulse Electronics | Antennas CUSTOM SPWB22150 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWB22150 | Pulse Electronics | Description: WIDE BAND VHF, 136 - 174 MHZ, SM Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 136MHz ~ 174MHz Termination: SMA Female Number of Bands: 1 Antenna Type: Helical Height (Max): 6.750" (171.45mm) Frequency Group: VHF (f < 300MHz) Frequency (Center/Band): 155MHz Part Status: Active | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWB23150 | Pulse Electronics | Antennas WIDE BAND VHF 136-174 MHZ NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB23150 | Pulse Electronics | Description: ANT WIDE BAND VHF 136-174 MHZ Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 136MHz ~ 174MHz Termination: SMA Female Number of Bands: 1 Antenna Type: Helical Height (Max): 6.750" (171.45mm) Frequency Group: VHF (f < 300MHz) Frequency (Center/Band): 155MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB24150 | Pulse Electronics | Antennas WHIP ANTENNA SPWB24150, SM NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB24150 | Pulse Electronics | Description: ANTENNA SPWB24150 S Packaging: Tray Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 136MHz ~ 174MHz Termination: SMA Male Number of Bands: 1 Antenna Type: Whip, Straight Height (Max): 7.500" (190.50mm) Frequency Group: VHF (f < 300MHz) Frequency (Center/Band): 155MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWB24480 | Pulse Electronics | Antennas 400-512 MHZ SMA M/T2 6" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA-11 | STMicroelectronics | WiFi Modules - 802.11 Serial-to-Wi-Fi Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -96dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 1.5MB Flash, 64kB RAM Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18.3dBm Data Rate: 65Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 105mA Current - Transmitting: 210mA ~ 344mA Antenna Type: Integrated, Chip Modulation: DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) Serial-to-Wi-Fi Modules | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SA.11 WiFi-модуль Код товару: 100098
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPWF01SA.21 | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -96dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18.3dBm Data Rate: 65Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 105mA Current - Transmitting: 210mA ~ 344mA Antenna Type: Integrated, Chip Modulation: DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.21 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SA.21 | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) Serial-to-Wi-Fi Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.21 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SA.21 | STMicroelectronics | Приймопередавач НВЧ; F = 2,4 ГГц; Iпер, мА = 250; Iпр, мА = 80; Pвих = 18; Uживл, В = 3,1...3,6; Протоколи = 802.11 b/g/n; Тексп, °C = -40...+85; Тип роз'єму = на плату; чіп; Чутл. = -96; Flash = 512 Кбайт; RAM = 64 Кбайт; VQFN-24 | на замовлення 2 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SA21 | ST | WiFi Module; 802.11b/g/n; 2,4GHz; 3V~3,6V; 150Mbps; -40°C~85°C; 54 Mbps; -40°C~85°C; GPIO/UART/SPI/I2C; 26,92x15,24x2,35mm; 512kB Flash; 64kB SRAM; SPWF01SA21 STM RF SPWF01SA21 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SC.11 | STMicroelectronics | Description: RX TXRX MODULE WIFI U.FL SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SC.11 | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) Serial-to-Wi-Fi Modules | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SC.11 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SC.11 | ST | WiFi Module; 802.11b/g/n; 2,4GHz; 3V~3,6V; 150Mbps; -40°C~85°C; 54 Mbps; integrated u.FL; -40°C~85°C; GPIO/UART/SPI/I2C; 26,92x15,24x2,35mm; 1,5MB Flash; 64kB SRAM; SPWF01SC11 STM RF SPWF01SC11 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF01SC.21 | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE WIFI U.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -96dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 512kB Flash, 64kB RAM Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18.3dBm Data Rate: 65Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 105mA Current - Transmitting: 210mA ~ 344mA Antenna Type: Antenna Not Included, U.FL Modulation: DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SC.21 | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) Serial-to-Wi-Fi Modules | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SC.21 | STMicroelectronics | Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SP.21 | STMicroelectronics | WiFi / 802.11 Modules SUBSYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SP.21 | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF01SP.21 | STMicroelectronics | WiFi / 802.11 Modules SUBSYSTEMS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SA | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -96dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18.3dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 105mA Current - Transmitting: 260mA Antenna Type: Integrated, Chip Modulation: DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SA | STMicroelectronics | Module 802.11b/g/n 2.4GHz 11000Kbps 35-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SA Код товару: 148512
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SPWF04SA | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) WiFi module with integrated antenna | на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SC | STMicroelectronics | Description: RF TXRX MODULE WIFI U.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -96dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18.3dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 105mA Current - Transmitting: 260mA Antenna Type: Antenna Not Included, U.FL Modulation: DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SC | STMicroelectronics | Module 802.11b/g/n 2.4GHz 11000Kbps 35-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWF04SC | STMicroelectronics | Module 802.11b/g/n 2.4GHz 11000Kbps 35-Pin Tray | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWF04SC | STMicroelectronics | WiFi Modules (802.11) WiFi module with U.Fl. connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH14832 | Pulse Electronics | Antennas Whip - Standard - 1/4 Wave, 782 - 882 MHz, M7x1.0, 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH14832 | Pulse Electronics | Description: WHIP - STANDARD - 1/4 WAVE, 782 Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 782MHz ~ 882MHz Termination: MD Number of Bands: 1 Antenna Type: Whip, Straight Height (Max): 3.000" (76.20mm) Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz) Frequency (Center/Band): 832MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH15FT | Pulse Electronics | Description: WHIP - STANDARD - 1/4 WAVE, FIEL Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 400MHz ~ 512MHz Termination: BNC Number of Bands: 1 Antenna Type: Whip, Straight Height (Max): 6.000" (152.40mm) Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz) Frequency (Center/Band): 456MHz Part Status: Active | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWH15FT | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4 WAVE TUNABLE W NPB | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SPWH16FT | Pulse Electronics | Antennas 400-512 MHZ BNC COVERED 6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH21450 | PulseLarsen Antennas | Antennas SP WHIP 1-4W 450M SMA F T1 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22420 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 420M SMA F T2 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22420 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 420M SMA F T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22450 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 450M SMA F T2 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22470 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 470M SMA F T2 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22832 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 832M SMA F T2 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22832 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 832M SMA F T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22918 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 918M SMA F T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22918 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 918M SMA F T2 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH22FT | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W TUNABLE SMA F NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23450 | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W 450M SMA F T3 NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23450 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 450M SMA F T3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23470 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 470M SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23470 | Pulse Electronics | Antennas ANT SP WHIP 1-4W 470M SMA NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23490 | Pulse Electronics | Antennas ANT SP WHIP 1-4W 490M SMA NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23490 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 490M SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23832 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 832M SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23832 | Pulse Electronics | Antennas ANT SP WHIP 1-4W 832M SMA NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23918 | Pulse Electronics | Antennas ANT SP WHIP 1-4W 918M SMA NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23918 | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W 918M SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23FT | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4 WAVE TUNABLE NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH23FT | Pulse Electronics | Description: ANTENNA SP WHIP 1-4 WAVE TUNABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24420 | Pulse Electronics | Description: ANT SPOTS WHIP 1-4 WAVE ANTENN Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 395MHz ~ 445MHz Termination: SMA Male Number of Bands: 1 Antenna Type: Whip, Straight Height (Max): 6.000" (152.40mm) Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz) Frequency (Center/Band): 420MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24420 | Pulse Electronics | Antennas SPOTS WHIP 1-4 WAVE ANTENN NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24815 | PulseLarsen Antennas | Antennas Whip - Standard - 1/4 Wave, 760 - 870 MHz, SMA M T2, 3.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24832 | Pulse Electronics | Antennas | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24918 | Pulse Electronics | Antennas ANTENNE SMA 863-973 MHZ 1- NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24918 | Pulse | Antenna Portable 1.5dBi Gain 973MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24918 | Pulse Electronics | Description: ANTENNA SMA 863-973 MHZ Packaging: Bag Mounting Type: Connector Mount Frequency Range: 863MHz ~ 973MHz Termination: SMA Male Number of Bands: 1 Antenna Type: Whip, Straight Height (Max): 3.000" (76.20mm) Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz) Frequency (Center/Band): 918MHz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24FT | Pulse Electronics | Antennas SP WHIP 1-4W TUNABLE SMA M NPB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWH24FT | Pulse Electronics | Description: ANT SP WHIP 1-4W TUNABLE SMA M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWIIN6060CFD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
SPWJ-16 | Essentra | Conduit Fittings & Accessories CP DRIVESHAFT PROT YEL 16MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SPWJ-55 | Essentra | Conduit Fittings & Accessories CP DRIVESHAFT PROT YEL 55MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |