Продукція > SPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPW-2 | OMEGA | Description: OMEGA - SPW-2 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 8.7mm Innendurchmesser Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW-2 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW-3 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW-3 | OMEGA | Description: OMEGA - SPW-3 - Unterlegscheibe, kugelförmig, 10mm Innendurchmesser Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW-9 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0430HR5HB-B | Knowles | Description: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0430HR5HB-B | Knowles | MEMS Microphones MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0430HR5HB-B | Knowles | Description: MICROPHONE MEMS ANALOG OMNI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1 | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 23603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V | на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1 | Knowles | Description: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB | на замовлення 17100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1 | Syntiant | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V | на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1 Код товару: 126538
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW0442HR5H-1-8 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Analog;Top;59dB SNR;130dB SPL;-42 +/-1dBV;-Hz;66dB PSRR;130;1.8V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW05F0D (WEAA) SPW05F0D | Seoul Semiconductor CO., LTD. | 3,7x3,9 / 6500K(=CW) / 450-565lmx1400mAx1,9-2,8V (at Tj=25С) / Max=4500mA / 120deg. Світлодіоди потужні SMD (1-3W) кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW05F0D (WEAA) SPW05F0D | Seoul Semiconductor CO., LTD. | 3,7x3,9 / 6500K(=CW) / 450-565lmx1400mAx1,9-2,8V (at Tj=25С) / Max=4500mA / 120deg. Світлодіоди та світлодіодні модулі кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Current - Supply: 2 mA Height (Max): 0.037" (0.95mm) Port Location: Bottom Direction: Omnidirectional Termination: Solder Pads S/N Ratio: 66.5dB Type: MEMS (Silicon) Shape: Rectangular Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Output Type: Digital, PDM Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1 | Syntiant | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Digital;Bottom;66.5dB SNR;135dB SPL;-41+/-1dBV;40Hz;88dB PSRR;Low Power: 260 / Standard: 1000;1.8V | на замовлення 8221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS DIGITAL PDM OMNI -41DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Digital, PDM Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 66.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.037" (0.95mm) Current - Supply: 2 mA Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Frequency Range: 20 Hz ~ 10 kHz | на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1 | Knowles | MEMS Microphones SISONIC MEMS MICROPHONE;Digital;Bottom;66.5dB SNR;135dB SPL;-41+/-1dBV;40Hz;88dB PSRR;Low Power: 260 / Standard: 1000;1.8V | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1-2 | Syntiant | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1-7 | Syntiant | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1-7 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1-7 | Knowles | Description: SILICON MICROPHONE Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Digital, PDM Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -41dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 66.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.037" (0.95mm) Voltage - Rated: 1.8 V Current - Supply: 2 mA Voltage Range: 1.65 V ~ 3.6 V Frequency Range: 45 Hz ~ 15 kHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0690LM4H-1-8 | Knowles | MEMS Microphones SILICON MICROPHONE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW07N60CFD | INF | TO-247 | на замовлення 32480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW07N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW07N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0878LR5H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB Packaging: Cut Tape (CT) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 64.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.042" (1.06mm) Impedance: 380 Ohms Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz | на замовлення 4169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0878LR5H-1 | Syntiant | Microphones 65dB 15Hz 2.7V 3.1x2.5x0.96 | на замовлення 8813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW0878LR5H-1 | Syntiant | Description: MIC MEMS ANLG ELLEN OMNI -44DB Packaging: Tape & Reel (TR) Output Type: Analog Size / Dimension: 0.122" L x 0.098" W (3.10mm x 2.50mm) Sensitivity: -44dB ±1dB @ 94dB SPL Shape: Rectangular Type: MEMS (Silicon) S/N Ratio: 64.5dB Termination: Solder Pads Direction: Omnidirectional Port Location: Bottom Height (Max): 0.042" (1.06mm) Impedance: 380 Ohms Voltage Range: 1.6 V ~ 3.6 V Frequency Range: 15 Hz ~ 24 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW0878LR5H-1-7 | Knowles | MEMS Microphones Knowles Versatile, High-performance, Bottom Port, multi-mode analog microphone (Ellen) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW1020 | N/A | 08+ N/A | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW1050A-HB271 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW1102 | на замовлення 2432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW112A | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW11N60C2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW11N60C3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW11N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 259866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60CFD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW11N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N60S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | на замовлення 13461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N60S5 | INF | TO-247 | на замовлення 32640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N60S5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N80C3 Код товару: 132782
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 32640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW11N80CC | на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW12N50C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW12N50C3 | INF | 07+; | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW12N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 11.6A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW12N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW12N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW12N50C3IN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW12N50C3XK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW13N50C3 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW1518DJ | Suntak | 06+ SOP | на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW1550COTR | на замовлення 2872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPW15N60C3 | INF | 07+; | на замовлення 4470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3(транзистор) Код товару: 45716
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW15N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW15N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO247-3 CoolMOS CFD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60CFD | INF | TO-247 | на замовлення 24480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3 | NFINEON | 09+ SSOP20 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW16N50C3 | Infineon Technologies | Description: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPW16N50C3(транзистор) Код товару: 68703
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SPW16N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |

