Результат пошуку "4n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24 грн
20+ 17.97 грн
25+ 16.03 грн
86+ 9.78 грн
236+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.8 грн
12+ 22.4 грн
25+ 19.24 грн
86+ 11.73 грн
236+ 11.04 грн
2500+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.59 грн
100+ 17.07 грн
500+ 12.51 грн
1000+ 10.17 грн
2500+ 9.09 грн
5000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS media-3321432.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.41 грн
50+ 492.86 грн
100+ 383.71 грн
500+ 376.12 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.09 грн
3+ 346.5 грн
7+ 327.81 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+608.51 грн
3+ 431.8 грн
7+ 393.37 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.11 грн
10+ 516.67 грн
30+ 407.87 грн
120+ 376.12 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.14 грн
30+ 432.34 грн
120+ 386.83 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.16 грн
30+ 386.57 грн
120+ 345.87 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media-3322021.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.7 грн
10+ 461.9 грн
30+ 380.95 грн
120+ 334.71 грн
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS media-3321213.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+908.21 грн
10+ 788.89 грн
30+ 667.36 грн
60+ 630.09 грн
120+ 625.26 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.82 грн
50+ 360.29 грн
100+ 322.38 грн
500+ 266.94 грн
1000+ 240.25 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.86 грн
10+ 429.36 грн
50+ 338.85 грн
100+ 311.25 грн
250+ 293.31 грн
500+ 274.67 грн
1000+ 269.84 грн
IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS media-3320187.pdf MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.7 грн
10+ 461.9 грн
50+ 380.26 грн
100+ 334.71 грн
250+ 323.67 грн
500+ 287.09 грн
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS media-3322676.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+615.14 грн
10+ 605.55 грн
50+ 420.29 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.39 грн
4+ 109.27 грн
9+ 97.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+158.86 грн
3+ 136.17 грн
9+ 117.32 грн
24+ 111.28 грн
50+ 109.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.56 грн
50+ 156.11 грн
100+ 128.45 грн
500+ 102 грн
1000+ 86.55 грн
2000+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 270 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
2+219 грн
10+ 171.43 грн
100+ 122.15 грн
250+ 119.39 грн
500+ 106.97 грн
1000+ 89.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.78 грн
30+ 326.16 грн
120+ 291.83 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.81 грн
30+ 306.35 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.39 грн
30+ 266.59 грн
120+ 247.04 грн
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS media-3319323.pdf MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1078.1 грн
10+ 936.51 грн
30+ 748.1 грн
60+ 747.41 грн
120+ 723.26 грн
270+ 650.1 грн
510+ 629.4 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+419.92 грн
3+ 363.71 грн
4+ 273.46 грн
11+ 257.94 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.86 грн
50+ 310.18 грн
100+ 265.87 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.66 грн
3+ 287.57 грн
5+ 211.35 грн
13+ 200.14 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS media-3323831.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.85 грн
10+ 291.27 грн
50+ 245 грн
100+ 204.97 грн
250+ 198.76 грн
500+ 183.57 грн
1000+ 158.04 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.89 грн
50+ 348.9 грн
100+ 312.18 грн
500+ 258.51 грн
1000+ 232.66 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.56 грн
10+ 448.41 грн
50+ 332.64 грн
100+ 301.59 грн
500+ 266.39 грн
1000+ 245.69 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.58 грн
4+ 115.02 грн
9+ 95.61 грн
25+ 90.58 грн
300+ 86.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.29 грн
3+ 143.33 грн
9+ 114.73 грн
25+ 108.7 грн
300+ 104.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.88 грн
50+ 103.09 грн
100+ 84.81 грн
500+ 71.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+750.65 грн
2+ 527.65 грн
3+ 507.25 грн
6+ 479.64 грн
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media-3322105.pdf MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.21 грн
10+ 634.13 грн
30+ 499.65 грн
120+ 458.94 грн
270+ 418.22 грн
510+ 400.28 грн
1020+ 383.71 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.64 грн
10+ 89.86 грн
26+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+207.17 грн
10+ 111.98 грн
26+ 103.52 грн
70+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.65 грн
10+ 146.65 грн
100+ 116.77 грн
500+ 92.72 грн
1000+ 78.67 грн
2000+ 74.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.87 грн
10+ 163.49 грн
70+ 112.49 грн
560+ 95.24 грн
1050+ 84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.64 грн
10+ 560.32 грн
25+ 461.01 грн
100+ 405.8 грн
250+ 381.64 грн
500+ 358.18 грн
1000+ 322.29 грн
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+324.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.67 грн
10+ 503.94 грн
100+ 419.95 грн
500+ 347.74 грн
1000+ 312.97 грн
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.93 грн
50+ 299.13 грн
100+ 256.39 грн
500+ 213.88 грн
1000+ 183.14 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.73 грн
10+ 364.29 грн
25+ 255.35 грн
100+ 227.05 грн
250+ 221.53 грн
500+ 207.04 грн
1000+ 184.95 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.68 грн
50+ 299.83 грн
100+ 256.99 грн
500+ 214.38 грн
1000+ 183.57 грн
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.17 грн
10+ 358.73 грн
25+ 294.69 грн
100+ 251.9 грн
250+ 238.1 грн
500+ 224.98 грн
1000+ 191.17 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+240.57 грн
1600+ 198.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.17 грн
10+ 358.73 грн
25+ 294.69 грн
100+ 251.9 грн
250+ 238.1 грн
500+ 219.46 грн
800+ 180.12 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.65 грн
10+ 322.13 грн
100+ 260.62 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf074n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.83 грн
10+ 430.47 грн
100+ 358.72 грн
500+ 297.04 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.02 грн
10+ 478.57 грн
25+ 377.5 грн
100+ 346.45 грн
250+ 325.74 грн
500+ 305.73 грн
1000+ 275.36 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.22 грн
10+ 365.08 грн
25+ 267.08 грн
100+ 233.26 грн
250+ 227.05 грн
500+ 209.11 грн
1000+ 184.26 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg24n6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.12 грн
10+ 328.1 грн
100+ 265.44 грн
500+ 221.43 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay sihg24n6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+188.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
SiHG44N65EF-GE3 SiHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg44n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.14 грн
10+ 599.21 грн
25+ 472.74 грн
100+ 434.78 грн
250+ 408.56 грн
500+ 378.88 грн
1000+ 365.08 грн
SiHG64N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg64n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.9 грн
10+ 750.23 грн
100+ 648.86 грн
500+ 551.84 грн
SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.55 грн
10+ 834.13 грн
25+ 706 грн
50+ 666.67 грн
100+ 623.88 грн
250+ 608 грн
500+ 563.84 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.03 грн
10+ 314.29 грн
25+ 258.11 грн
100+ 221.53 грн
250+ 208.42 грн
500+ 196.69 грн
1000+ 168.39 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 SiHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.91 грн
10+ 372.17 грн
100+ 310.18 грн
500+ 256.85 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
1+557.97 грн
10+ 471.43 грн
25+ 371.29 грн
100+ 341.61 грн
250+ 321.6 грн
500+ 300.9 грн
1000+ 273.98 грн
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24 грн
20+ 17.97 грн
25+ 16.03 грн
86+ 9.78 грн
236+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.8 грн
12+ 22.4 грн
25+ 19.24 грн
86+ 11.73 грн
236+ 11.04 грн
2500+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
12+ 24.59 грн
100+ 17.07 грн
500+ 12.51 грн
1000+ 10.17 грн
2500+ 9.09 грн
5000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 media-3321432.pdf
IXFA34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+626.41 грн
50+ 492.86 грн
100+ 383.71 грн
500+ 376.12 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.09 грн
3+ 346.5 грн
7+ 327.81 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.51 грн
3+ 431.8 грн
7+ 393.37 грн
IXFH34N65X2 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X2 media-3321279.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.11 грн
10+ 516.67 грн
30+ 407.87 грн
120+ 376.12 грн
IXFH34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+562.14 грн
30+ 432.34 грн
120+ 386.83 грн
IXFH34N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet
IXFH34N65X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.16 грн
30+ 386.57 грн
120+ 345.87 грн
IXFH34N65X3 media-3322021.pdf
IXFH34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.7 грн
10+ 461.9 грн
30+ 380.95 грн
120+ 334.71 грн
IXFH54N65X3 media-3321213.pdf
IXFH54N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+908.21 грн
10+ 788.89 грн
30+ 667.36 грн
60+ 630.09 грн
120+ 625.26 грн
IXFP34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.82 грн
50+ 360.29 грн
100+ 322.38 грн
500+ 266.94 грн
1000+ 240.25 грн
IXFP34N65X2 media-3321279.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.86 грн
10+ 429.36 грн
50+ 338.85 грн
100+ 311.25 грн
250+ 293.31 грн
500+ 274.67 грн
1000+ 269.84 грн
IXFP34N65X2M media-3320187.pdf
IXFP34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.7 грн
10+ 461.9 грн
50+ 380.26 грн
100+ 334.71 грн
250+ 323.67 грн
500+ 287.09 грн
IXFP34N65X3 media-3322676.pdf
IXFP34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+615.14 грн
10+ 605.55 грн
50+ 420.29 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.39 грн
4+ 109.27 грн
9+ 97.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.86 грн
3+ 136.17 грн
9+ 117.32 грн
24+ 111.28 грн
50+ 109.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 a
IXTA4N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.56 грн
50+ 156.11 грн
100+ 128.45 грн
500+ 102 грн
1000+ 86.55 грн
2000+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 media-3322412.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 270 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219 грн
10+ 171.43 грн
100+ 122.15 грн
250+ 119.39 грн
500+ 106.97 грн
1000+ 89.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.78 грн
30+ 326.16 грн
120+ 291.83 грн
IXTH34N65X2 media-3319832.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.81 грн
30+ 306.35 грн
IXTH34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.39 грн
30+ 266.59 грн
120+ 247.04 грн
IXTH64N65X media-3319323.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1078.1 грн
10+ 936.51 грн
30+ 748.1 грн
60+ 747.41 грн
120+ 723.26 грн
270+ 650.1 грн
510+ 629.4 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.92 грн
3+ 363.71 грн
4+ 273.46 грн
11+ 257.94 грн
IXTP24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.86 грн
50+ 310.18 грн
100+ 265.87 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.66 грн
3+ 287.57 грн
5+ 211.35 грн
13+ 200.14 грн
IXTP24N65X2M media-3323831.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+351.85 грн
10+ 291.27 грн
50+ 245 грн
100+ 204.97 грн
250+ 198.76 грн
500+ 183.57 грн
1000+ 158.04 грн
IXTP34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+453.89 грн
50+ 348.9 грн
100+ 312.18 грн
500+ 258.51 грн
1000+ 232.66 грн
IXTP34N65X2 media-3319832.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+493.56 грн
10+ 448.41 грн
50+ 332.64 грн
100+ 301.59 грн
500+ 266.39 грн
1000+ 245.69 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.58 грн
4+ 115.02 грн
9+ 95.61 грн
25+ 90.58 грн
300+ 86.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.29 грн
3+ 143.33 грн
9+ 114.73 грн
25+ 108.7 грн
300+ 104.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 a
IXTP4N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.88 грн
50+ 103.09 грн
100+ 84.81 грн
500+ 71.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+750.65 грн
2+ 527.65 грн
3+ 507.25 грн
6+ 479.64 грн
IXTQ34N65X2M media-3322105.pdf
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+751.21 грн
10+ 634.13 грн
30+ 499.65 грн
120+ 458.94 грн
270+ 418.22 грн
510+ 400.28 грн
1020+ 383.71 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+172.64 грн
10+ 89.86 грн
26+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.17 грн
10+ 111.98 грн
26+ 103.52 грн
70+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 a
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.65 грн
10+ 146.65 грн
100+ 116.77 грн
500+ 92.72 грн
1000+ 78.67 грн
2000+ 74.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 media-3322412.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.87 грн
10+ 163.49 грн
70+ 112.49 грн
560+ 95.24 грн
1050+ 84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.64 грн
10+ 560.32 грн
25+ 461.01 грн
100+ 405.8 грн
250+ 381.64 грн
500+ 358.18 грн
1000+ 322.29 грн
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+324.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+610.67 грн
10+ 503.94 грн
100+ 419.95 грн
500+ 347.74 грн
1000+ 312.97 грн
SIHA24N65EF-GE3 siha24n65ef.pdf
SIHA24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.93 грн
50+ 299.13 грн
100+ 256.39 грн
500+ 213.88 грн
1000+ 183.14 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.73 грн
10+ 364.29 грн
25+ 255.35 грн
100+ 227.05 грн
250+ 221.53 грн
500+ 207.04 грн
1000+ 184.95 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.68 грн
50+ 299.83 грн
100+ 256.99 грн
500+ 214.38 грн
1000+ 183.57 грн
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.17 грн
10+ 358.73 грн
25+ 294.69 грн
100+ 251.9 грн
250+ 238.1 грн
500+ 224.98 грн
1000+ 191.17 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+240.57 грн
1600+ 198.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.17 грн
10+ 358.73 грн
25+ 294.69 грн
100+ 251.9 грн
250+ 238.1 грн
500+ 219.46 грн
800+ 180.12 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.65 грн
10+ 322.13 грн
100+ 260.62 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+521.83 грн
10+ 430.47 грн
100+ 358.72 грн
500+ 297.04 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+566.02 грн
10+ 478.57 грн
25+ 377.5 грн
100+ 346.45 грн
250+ 325.74 грн
500+ 305.73 грн
1000+ 275.36 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.22 грн
10+ 365.08 грн
25+ 267.08 грн
100+ 233.26 грн
250+ 227.05 грн
500+ 209.11 грн
1000+ 184.26 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.12 грн
10+ 328.1 грн
100+ 265.44 грн
500+ 221.43 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+188.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SiHG44N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+710.14 грн
10+ 599.21 грн
25+ 472.74 грн
100+ 434.78 грн
250+ 408.56 грн
500+ 378.88 грн
1000+ 365.08 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+883.9 грн
10+ 750.23 грн
100+ 648.86 грн
500+ 551.84 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+960.55 грн
10+ 834.13 грн
25+ 706 грн
50+ 666.67 грн
100+ 623.88 грн
250+ 608 грн
500+ 563.84 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.03 грн
10+ 314.29 грн
25+ 258.11 грн
100+ 221.53 грн
250+ 208.42 грн
500+ 196.69 грн
1000+ 168.39 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
SiHH24N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.91 грн
10+ 372.17 грн
100+ 310.18 грн
500+ 256.85 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+557.97 грн
10+ 471.43 грн
25+ 371.29 грн
100+ 341.61 грн
250+ 321.6 грн
500+ 300.9 грн
1000+ 273.98 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]