Результат пошуку "4n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+11.95 грн
90+ 9.63 грн
240+ 9.1 грн
500+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.17 грн
25+ 14.89 грн
90+ 11.55 грн
240+ 10.92 грн
500+ 10.54 грн
2500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.2 грн
12+ 24.32 грн
100+ 16.94 грн
500+ 12.41 грн
1000+ 10.09 грн
2500+ 9.02 грн
5000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS media-3321432.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.56 грн
50+ 481.96 грн
100+ 375.23 грн
500+ 368.48 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.88 грн
3+ 342.36 грн
7+ 323.38 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+595.05 грн
3+ 426.63 грн
7+ 388.05 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.6 грн
10+ 505.24 грн
30+ 398.85 грн
120+ 367.8 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.74 грн
30+ 428.78 грн
120+ 383.65 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.61 грн
30+ 383.39 грн
120+ 343.02 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media-3322021.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.61 грн
10+ 451.69 грн
30+ 372.53 грн
120+ 327.99 грн
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS media-3321213.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+888.13 грн
10+ 771.44 грн
30+ 652.6 грн
60+ 616.16 грн
120+ 613.46 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.39 грн
10+ 490.5 грн
50+ 340.81 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.03 грн
50+ 357.33 грн
100+ 319.72 грн
500+ 264.74 грн
1000+ 238.27 грн
IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS media-3320187.pdf MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.61 грн
10+ 451.69 грн
50+ 371.85 грн
100+ 327.31 грн
250+ 316.51 грн
500+ 279.4 грн
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS media-3322676.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+601.53 грн
10+ 592.16 грн
50+ 411 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.46 грн
4+ 106.85 грн
9+ 95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+155.35 грн
3+ 133.16 грн
9+ 114.73 грн
24+ 107.98 грн
50+ 107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 270 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
2+214.16 грн
10+ 169.97 грн
100+ 121.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.23 грн
30+ 323.47 грн
120+ 289.42 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.37 грн
10+ 443.15 грн
30+ 349.58 грн
120+ 320.56 грн
270+ 307.74 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.84 грн
30+ 264.39 грн
120+ 245 грн
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS media-3319323.pdf MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.26 грн
10+ 915.8 грн
30+ 731.56 грн
60+ 730.88 грн
120+ 707.26 грн
270+ 635.73 грн
510+ 615.48 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+410.63 грн
3+ 355.67 грн
4+ 267.42 грн
11+ 252.23 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.98 грн
50+ 307.63 грн
100+ 263.68 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+324.33 грн
3+ 281.21 грн
5+ 206.68 грн
13+ 195.71 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS media-3323831.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.07 грн
10+ 284.83 грн
50+ 239.58 грн
100+ 200.44 грн
250+ 194.36 грн
500+ 179.52 грн
1000+ 154.55 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.43 грн
50+ 346.04 грн
100+ 309.62 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.64 грн
10+ 407.45 грн
50+ 336.09 грн
100+ 294.92 грн
250+ 292.22 грн
500+ 260.5 грн
1000+ 240.25 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.51 грн
4+ 112.48 грн
9+ 94.2 грн
25+ 89.28 грн
300+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+162.62 грн
3+ 140.17 грн
9+ 113.04 грн
25+ 107.14 грн
300+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.13 грн
50+ 102.24 грн
100+ 84.12 грн
500+ 71.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+734.05 грн
2+ 515.98 грн
3+ 496.03 грн
6+ 469.03 грн
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media-3322105.pdf MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.6 грн
10+ 620.1 грн
30+ 488.61 грн
120+ 448.79 грн
270+ 408.97 грн
510+ 391.42 грн
1020+ 375.23 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.83 грн
10+ 87.87 грн
26+ 85.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+202.59 грн
10+ 109.5 грн
26+ 102.07 грн
70+ 99.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.47 грн
10+ 159.88 грн
70+ 110 грн
560+ 93.13 грн
1050+ 82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.78 грн
10+ 145.45 грн
100+ 115.8 грн
500+ 91.96 грн
1000+ 78.02 грн
2000+ 74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.99 грн
10+ 547.93 грн
25+ 449.46 грн
100+ 396.82 грн
250+ 373.2 грн
500+ 350.26 грн
1000+ 315.16 грн
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+321.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.92 грн
10+ 499.75 грн
100+ 416.49 грн
500+ 344.88 грн
1000+ 310.39 грн
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.1 грн
50+ 296.66 грн
100+ 254.28 грн
500+ 212.12 грн
1000+ 181.63 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.83 грн
50+ 297.36 грн
100+ 254.88 грн
500+ 212.62 грн
1000+ 182.05 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.29 грн
10+ 345.36 грн
25+ 247.68 грн
100+ 220.68 грн
250+ 215.96 грн
500+ 201.79 грн
1000+ 180.19 грн
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.59 грн
10+ 350.8 грн
25+ 288.17 грн
100+ 246.33 грн
250+ 232.83 грн
500+ 220.01 грн
1000+ 187.61 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+238.59 грн
1600+ 196.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.94 грн
10+ 319.51 грн
100+ 258.48 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.59 грн
10+ 350.8 грн
25+ 288.17 грн
100+ 249.03 грн
800+ 211.23 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf074n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.59 грн
10+ 426.93 грн
100+ 355.77 грн
500+ 294.6 грн
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.51 грн
10+ 467.99 грн
25+ 369.15 грн
100+ 338.78 грн
250+ 318.54 грн
500+ 298.97 грн
1000+ 269.27 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg24n6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.24 грн
10+ 325.41 грн
100+ 263.26 грн
500+ 219.61 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay sihg24n6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.47 грн
10+ 357.01 грн
25+ 261.17 грн
100+ 228.11 грн
250+ 222.03 грн
500+ 204.49 грн
1000+ 180.19 грн
SiHG44N65EF-GE3 SiHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg44n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.44 грн
10+ 585.96 грн
25+ 462.29 грн
100+ 425.17 грн
250+ 399.52 грн
500+ 370.5 грн
1000+ 355.66 грн
SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.31 грн
10+ 814.9 грн
25+ 694.44 грн
50+ 668.8 грн
100+ 610.08 грн
250+ 597.93 грн
500+ 551.37 грн
SiHG64N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg64n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.76 грн
10+ 744.04 грн
100+ 643.52 грн
500+ 547.3 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.63 грн
10+ 307.34 грн
25+ 252.4 грн
100+ 216.63 грн
250+ 203.81 грн
500+ 192.34 грн
1000+ 164.67 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 SiHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.78 грн
10+ 369.14 грн
100+ 307.63 грн
500+ 254.73 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
1+545.63 грн
10+ 461 грн
25+ 363.08 грн
100+ 334.06 грн
250+ 314.49 грн
500+ 294.24 грн
1000+ 267.92 грн
SIHP054N65E-GE3 SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp054n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.2 грн
10+ 461.51 грн
100+ 384.59 грн
500+ 318.46 грн
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+11.95 грн
90+ 9.63 грн
240+ 9.1 грн
500+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.17 грн
25+ 14.89 грн
90+ 11.55 грн
240+ 10.92 грн
500+ 10.54 грн
2500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.2 грн
12+ 24.32 грн
100+ 16.94 грн
500+ 12.41 грн
1000+ 10.09 грн
2500+ 9.02 грн
5000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFA34N65X3 media-3321432.pdf
IXFA34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+612.56 грн
50+ 481.96 грн
100+ 375.23 грн
500+ 368.48 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.88 грн
3+ 342.36 грн
7+ 323.38 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+595.05 грн
3+ 426.63 грн
7+ 388.05 грн
IXFH34N65X2 media-3321279.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+597.6 грн
10+ 505.24 грн
30+ 398.85 грн
120+ 367.8 грн
IXFH34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+557.74 грн
30+ 428.78 грн
120+ 383.65 грн
IXFH34N65X2 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet
IXFH34N65X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.61 грн
30+ 383.39 грн
120+ 343.02 грн
IXFH34N65X3 media-3322021.pdf
IXFH34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.61 грн
10+ 451.69 грн
30+ 372.53 грн
120+ 327.99 грн
IXFH54N65X3 media-3321213.pdf
IXFH54N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+888.13 грн
10+ 771.44 грн
30+ 652.6 грн
60+ 616.16 грн
120+ 613.46 грн
IXFP34N65X2 media-3321279.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.39 грн
10+ 490.5 грн
50+ 340.81 грн
IXFP34N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet
IXFP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+465.03 грн
50+ 357.33 грн
100+ 319.72 грн
500+ 264.74 грн
1000+ 238.27 грн
IXFP34N65X2M media-3320187.pdf
IXFP34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.61 грн
10+ 451.69 грн
50+ 371.85 грн
100+ 327.31 грн
250+ 316.51 грн
500+ 279.4 грн
IXFP34N65X3 media-3322676.pdf
IXFP34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.53 грн
10+ 592.16 грн
50+ 411 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.46 грн
4+ 106.85 грн
9+ 95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.35 грн
3+ 133.16 грн
9+ 114.73 грн
24+ 107.98 грн
50+ 107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 media-3322412.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 270 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.16 грн
10+ 169.97 грн
100+ 121.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.23 грн
30+ 323.47 грн
120+ 289.42 грн
IXTH34N65X2 media-3319832.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.37 грн
10+ 443.15 грн
30+ 349.58 грн
120+ 320.56 грн
270+ 307.74 грн
IXTH34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.84 грн
30+ 264.39 грн
120+ 245 грн
IXTH64N65X media-3319323.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1054.26 грн
10+ 915.8 грн
30+ 731.56 грн
60+ 730.88 грн
120+ 707.26 грн
270+ 635.73 грн
510+ 615.48 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.63 грн
3+ 355.67 грн
4+ 267.42 грн
11+ 252.23 грн
IXTP24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.98 грн
50+ 307.63 грн
100+ 263.68 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+324.33 грн
3+ 281.21 грн
5+ 206.68 грн
13+ 195.71 грн
IXTP24N65X2M media-3323831.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.07 грн
10+ 284.83 грн
50+ 239.58 грн
100+ 200.44 грн
250+ 194.36 грн
500+ 179.52 грн
1000+ 154.55 грн
IXTP34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.43 грн
50+ 346.04 грн
100+ 309.62 грн
IXTP34N65X2 media-3319832.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.64 грн
10+ 407.45 грн
50+ 336.09 грн
100+ 294.92 грн
250+ 292.22 грн
500+ 260.5 грн
1000+ 240.25 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.51 грн
4+ 112.48 грн
9+ 94.2 грн
25+ 89.28 грн
300+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.62 грн
3+ 140.17 грн
9+ 113.04 грн
25+ 107.14 грн
300+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 a
IXTP4N65X2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.13 грн
50+ 102.24 грн
100+ 84.12 грн
500+ 71.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+734.05 грн
2+ 515.98 грн
3+ 496.03 грн
6+ 469.03 грн
IXTQ34N65X2M media-3322105.pdf
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+734.6 грн
10+ 620.1 грн
30+ 488.61 грн
120+ 448.79 грн
270+ 408.97 грн
510+ 391.42 грн
1020+ 375.23 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+168.83 грн
10+ 87.87 грн
26+ 85.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.59 грн
10+ 109.5 грн
26+ 102.07 грн
70+ 99.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 media-3322412.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.47 грн
10+ 159.88 грн
70+ 110 грн
560+ 93.13 грн
1050+ 82.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 a
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.78 грн
10+ 145.45 грн
100+ 115.8 грн
500+ 91.96 грн
1000+ 78.02 грн
2000+ 74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+647.99 грн
10+ 547.93 грн
25+ 449.46 грн
100+ 396.82 грн
250+ 373.2 грн
500+ 350.26 грн
1000+ 315.16 грн
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+321.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+605.92 грн
10+ 499.75 грн
100+ 416.49 грн
500+ 344.88 грн
1000+ 310.39 грн
SIHA24N65EF-GE3 siha24n65ef.pdf
SIHA24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.1 грн
50+ 296.66 грн
100+ 254.28 грн
500+ 212.12 грн
1000+ 181.63 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.83 грн
50+ 297.36 грн
100+ 254.88 грн
500+ 212.62 грн
1000+ 182.05 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.29 грн
10+ 345.36 грн
25+ 247.68 грн
100+ 220.68 грн
250+ 215.96 грн
500+ 201.79 грн
1000+ 180.19 грн
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.59 грн
10+ 350.8 грн
25+ 288.17 грн
100+ 246.33 грн
250+ 232.83 грн
500+ 220.01 грн
1000+ 187.61 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+238.59 грн
1600+ 196.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+394.94 грн
10+ 319.51 грн
100+ 258.48 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.59 грн
10+ 350.8 грн
25+ 288.17 грн
100+ 249.03 грн
800+ 211.23 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.59 грн
10+ 426.93 грн
100+ 355.77 грн
500+ 294.6 грн
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+553.51 грн
10+ 467.99 грн
25+ 369.15 грн
100+ 338.78 грн
250+ 318.54 грн
500+ 298.97 грн
1000+ 269.27 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.24 грн
10+ 325.41 грн
100+ 263.26 грн
500+ 219.61 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.47 грн
10+ 357.01 грн
25+ 261.17 грн
100+ 228.11 грн
250+ 222.03 грн
500+ 204.49 грн
1000+ 180.19 грн
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SiHG44N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+694.44 грн
10+ 585.96 грн
25+ 462.29 грн
100+ 425.17 грн
250+ 399.52 грн
500+ 370.5 грн
1000+ 355.66 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+939.31 грн
10+ 814.9 грн
25+ 694.44 грн
50+ 668.8 грн
100+ 610.08 грн
250+ 597.93 грн
500+ 551.37 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+876.76 грн
10+ 744.04 грн
100+ 643.52 грн
500+ 547.3 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+371.63 грн
10+ 307.34 грн
25+ 252.4 грн
100+ 216.63 грн
250+ 203.81 грн
500+ 192.34 грн
1000+ 164.67 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
SiHH24N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.78 грн
10+ 369.14 грн
100+ 307.63 грн
500+ 254.73 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.63 грн
10+ 461 грн
25+ 363.08 грн
100+ 334.06 грн
250+ 314.49 грн
500+ 294.24 грн
1000+ 267.92 грн
SIHP054N65E-GE3 sihp054n65e.pdf
SIHP054N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+559.2 грн
10+ 461.51 грн
100+ 384.59 грн
500+ 318.46 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]