Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 209 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TB9054FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70069&prodName=TB9054FTG Description: H-BRIDGE MTR DRV 2CH 5A SPI, AEC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
6000+2.31 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFS,L3M DF2B7AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55586&prodName=DF2B7AFS Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
20000+1.67 грн
30000+1.57 грн
50000+1.38 грн
70000+1.32 грн
100000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFS,L3M DF2B7AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55586&prodName=DF2B7AFS Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 177540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
44+6.96 грн
100+4.31 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
2000+2.28 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPR,E TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7705&prodName=TLP2368 Description: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL S-O6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPR,E TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7705&prodName=TLP2368 Description: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL S-O6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.20 грн
10+83.51 грн
100+59.42 грн
500+46.86 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.21 грн
10+78.72 грн
100+52.95 грн
500+39.31 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q) TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D_datasheet_en_20150803.pdf?did=2315&prodName=TK5P53D Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q) TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D_datasheet_en_20150803.pdf?did=2315&prodName=TK5P53D Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.32 грн
10+80.81 грн
100+54.40 грн
500+40.43 грн
1000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q) TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2322&prodName=TK6P53D Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q) TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2322&prodName=TK6P53D Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.31 грн
10+84.85 грн
100+57.27 грн
500+42.66 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC32AF(EL,F) TC74HC32AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15810&prodName=TC74HC32AF Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC32AF(EL,F) TC74HC32AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15810&prodName=TC74HC32AF Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.19 грн
13+23.35 грн
25+20.83 грн
100+17.01 грн
250+15.79 грн
500+15.06 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q TPW5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30358&prodName=TPW5200FNH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q TPW5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30358&prodName=TPW5200FNH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.66 грн
10+152.27 грн
100+106.44 грн
500+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08FU,LF 7UL1T08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61881&prodName=7UL1T08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08FU,LF 7UL1T08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61881&prodName=7UL1T08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
45+6.73 грн
51+5.96 грн
100+4.75 грн
250+4.34 грн
500+4.09 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5222(TP,E TLP5222(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222_datasheet_en_20220722.pdf?did=143287&prodName=TLP5222 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.67V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 58ns, 57ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5222(TP,E TLP5222(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222_datasheet_en_20220722.pdf?did=143287&prodName=TLP5222 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.67V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 58ns, 57ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.51 грн
10+349.36 грн
100+276.01 грн
500+231.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5SL,L3F DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60620&prodName=DF2B6M5SL Description: TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5SL,L3F DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60620&prodName=DF2B6M5SL Description: TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP,E TLP2761(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28819&prodName=TLP2761 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 10mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 80ns, 80ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP,E TLP2761(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28819&prodName=TLP2761 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 10mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 80ns, 80ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.48 грн
10+53.50 грн
100+39.84 грн
500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(TP,E TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28764&prodName=TLP2768A Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.88 грн
3000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(TP,E TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28764&prodName=TLP2768A Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.36 грн
10+60.98 грн
100+45.66 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(TP,E TLP2735(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(TP,E TLP2735(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.89 грн
10+76.77 грн
100+58.12 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(D4-TP,E TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(D4-TP,E TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.89 грн
10+76.77 грн
100+58.12 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719 Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719 Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.78 грн
10+74.30 грн
100+56.15 грн
500+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2770(D4-TP,E TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770_datasheet_en_20171115.pdf?did=53548&prodName=TLP2770 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2770(D4-TP,E TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770_datasheet_en_20171115.pdf?did=53548&prodName=TLP2770 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.08 грн
10+101.39 грн
100+77.74 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(E TLP2735(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.67 грн
10+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1424TE85LF RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.10 грн
6000+6.20 грн
9000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1424TE85LF RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.64 грн
16+19.16 грн
100+12.13 грн
500+8.52 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1422TE85LF RN1422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1422TE85LF RN1422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1421TE85LF RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1421TE85LF RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1425TE85LF RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1425TE85LF RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.86 грн
14+21.85 грн
100+11.03 грн
500+9.17 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1426TE85LF RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1426TE85LF RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.86 грн
14+21.85 грн
100+11.03 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2T45FK,LF(CB 74LVC2T45FK,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230731.pdf?did=153503 Description: IC XLTR VL BIDIR US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2T45FK,LF(CB 74LVC2T45FK,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230731.pdf?did=153503 Description: IC XLTR VL BIDIR US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.20 грн
23+13.24 грн
26+11.79 грн
100+9.51 грн
250+8.77 грн
500+8.32 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPZ11GEA51 HDEPZ11GEA51 Toshiba Semiconductor and Storage Description: LINEAR IC
Packaging: Bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32149.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPZ11GEB51 Toshiba Semiconductor and Storage Description: LINEAR IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS,H3F(B 1N4148WS,H3F(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20220304.pdf?did=141703 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS,H3F(B 1N4148WS,H3F(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20220304.pdf?did=141703 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
46+6.58 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX08FTEL TC74VCX08FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX08FT_datasheet_en_20210518.pdf?did=21832&prodName=TC74VCX08FT Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.8ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30110&prodName=TK40S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.38 грн
10+49.31 грн
100+34.22 грн
500+26.97 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL_datasheet_en_20170525.pdf?did=55294&prodName=TPH6R004PL Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL_datasheet_en_20170525.pdf?did=55294&prodName=TPH6R004PL Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.39 грн
10+45.19 грн
100+31.27 грн
500+24.52 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.22 грн
10+190.95 грн
100+154.48 грн
500+128.87 грн
1000+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MS21X14X4.5W MS21X14X4.5W Toshiba Semiconductor and Storage e_amo02_2014.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 12.8MM
Packaging: Bag
Mounting Type: Free Hanging
Length: 0.260" (6.60mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.504" Dia (12.80mm)
Outer Dimension: 0.898" Dia (22.80mm)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.77 грн
10+282.84 грн
25+260.87 грн
50+230.30 грн
100+216.63 грн
250+199.81 грн
500+184.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB9054FTG(EL) docget.jsp?did=70069&prodName=TB9054FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: H-BRIDGE MTR DRV 2CH 5A SPI, AEC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 28V
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302
RN2302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.31 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFS,L3M docget.jsp?did=55586&prodName=DF2B7AFS
DF2B7AFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.92 грн
20000+1.67 грн
30000+1.57 грн
50000+1.38 грн
70000+1.32 грн
100000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AFS,L3M docget.jsp?did=55586&prodName=DF2B7AFS
DF2B7AFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 177540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
44+6.96 грн
100+4.31 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
2000+2.28 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPR,E docget.jsp?did=7705&prodName=TLP2368
TLP2368(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL S-O6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPR,E docget.jsp?did=7705&prodName=TLP2368
TLP2368(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL S-O6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.20 грн
10+83.51 грн
100+59.42 грн
500+46.86 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D
TK5P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D
TK5P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.21 грн
10+78.72 грн
100+52.95 грн
500+39.31 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q) TK5P53D_datasheet_en_20150803.pdf?did=2315&prodName=TK5P53D
TK5P53D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q) TK5P53D_datasheet_en_20150803.pdf?did=2315&prodName=TK5P53D
TK5P53D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+80.81 грн
100+54.40 грн
500+40.43 грн
1000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q) TK6P53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2322&prodName=TK6P53D
TK6P53D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q) TK6P53D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2322&prodName=TK6P53D
TK6P53D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
10+84.85 грн
100+57.27 грн
500+42.66 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC32AF(EL,F) docget.jsp?did=15810&prodName=TC74HC32AF
TC74HC32AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC32AF(EL,F) docget.jsp?did=15810&prodName=TC74HC32AF
TC74HC32AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.19 грн
13+23.35 грн
25+20.83 грн
100+17.01 грн
250+15.79 грн
500+15.06 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q docget.jsp?did=30358&prodName=TPW5200FNH
TPW5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q docget.jsp?did=30358&prodName=TPW5200FNH
TPW5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.66 грн
10+152.27 грн
100+106.44 грн
500+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08FU,LF docget.jsp?did=61881&prodName=7UL1T08FU
7UL1T08FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T08FU,LF docget.jsp?did=61881&prodName=7UL1T08FU
7UL1T08FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
45+6.73 грн
51+5.96 грн
100+4.75 грн
250+4.34 грн
500+4.09 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5222(TP,E TLP5222_datasheet_en_20220722.pdf?did=143287&prodName=TLP5222
TLP5222(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.67V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 58ns, 57ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5222(TP,E TLP5222_datasheet_en_20220722.pdf?did=143287&prodName=TLP5222
TLP5222(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.67V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 58ns, 57ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.51 грн
10+349.36 грн
100+276.01 грн
500+231.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5SL,L3F docget.jsp?did=60620&prodName=DF2B6M5SL
DF2B6M5SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5SL,L3F docget.jsp?did=60620&prodName=DF2B6M5SL
DF2B6M5SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP,E docget.jsp?did=28819&prodName=TLP2761
TLP2761(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 10mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 80ns, 80ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP,E docget.jsp?did=28819&prodName=TLP2761
TLP2761(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 10mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 80ns, 80ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.48 грн
10+53.50 грн
100+39.84 грн
500+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(TP,E docget.jsp?did=28764&prodName=TLP2768A
TLP2768A(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.88 грн
3000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768A(TP,E docget.jsp?did=28764&prodName=TLP2768A
TLP2768A(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.36 грн
10+60.98 грн
100+45.66 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(TP,E TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735
TLP2735(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(TP,E TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735
TLP2735(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.89 грн
10+76.77 грн
100+58.12 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(D4-TP,E TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735
TLP2735(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(D4-TP,E TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735
TLP2735(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.89 грн
10+76.77 грн
100+58.12 грн
500+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP,E docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(D4-TP,E docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.78 грн
10+74.30 грн
100+56.15 грн
500+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2770(D4-TP,E TLP2770_datasheet_en_20171115.pdf?did=53548&prodName=TLP2770
TLP2770(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2770(D4-TP,E TLP2770_datasheet_en_20171115.pdf?did=53548&prodName=TLP2770
TLP2770(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 1.3ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
10+101.39 грн
100+77.74 грн
500+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2735(E TLP2735_datasheet_en_20180119.pdf?did=58862&prodName=TLP2735
TLP2735(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.61V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): -, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 20 mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.67 грн
10+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1423TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1423TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1423TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1424TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1424TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.10 грн
6000+6.20 грн
9000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1424TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1424TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.64 грн
16+19.16 грн
100+12.13 грн
500+8.52 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1422TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1422TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1422TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1422TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1421TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1421TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1421TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1421TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.41 грн
16+19.83 грн
100+12.51 грн
500+8.79 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1425TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1425TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1425TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1425TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
14+21.85 грн
100+11.03 грн
500+9.17 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1426TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1426TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1426TE85LF docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423
RN1426TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
14+21.85 грн
100+11.03 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2T45FK,LF(CB datasheet_en_20230731.pdf?did=153503
74LVC2T45FK,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC XLTR VL BIDIR US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2T45FK,LF(CB datasheet_en_20230731.pdf?did=153503
74LVC2T45FK,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC XLTR VL BIDIR US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.20 грн
23+13.24 грн
26+11.79 грн
100+9.51 грн
250+8.77 грн
500+8.32 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPZ11GEA51
HDEPZ11GEA51
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LINEAR IC
Packaging: Bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+32149.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPZ11GEB51
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LINEAR IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS,H3F(B datasheet_en_20220304.pdf?did=141703
1N4148WS,H3F(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS,H3F(B datasheet_en_20220304.pdf?did=141703
1N4148WS,H3F(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
46+6.58 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX08FTEL TC74VCX08FT_datasheet_en_20210518.pdf?did=21832&prodName=TC74VCX08FT
TC74VCX08FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.8ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ docget.jsp?did=30110&prodName=TK40S06N1L
TK40S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.38 грн
10+49.31 грн
100+34.22 грн
500+26.97 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ TPH6R004PL_datasheet_en_20170525.pdf?did=55294&prodName=TPH6R004PL
TPH6R004PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R004PL,LQ TPH6R004PL_datasheet_en_20170525.pdf?did=55294&prodName=TPH6R004PL
TPH6R004PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.39 грн
10+45.19 грн
100+31.27 грн
500+24.52 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.22 грн
10+190.95 грн
100+154.48 грн
500+128.87 грн
1000+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MS21X14X4.5W e_amo02_2014.pdf
MS21X14X4.5W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FERRITE CORE SOLID 12.8MM
Packaging: Bag
Mounting Type: Free Hanging
Length: 0.260" (6.60mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.504" Dia (12.80mm)
Outer Dimension: 0.898" Dia (22.80mm)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.77 грн
10+282.84 грн
25+260.87 грн
50+230.30 грн
100+216.63 грн
250+199.81 грн
500+184.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]