Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13582) > Сторінка 210 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DF2S8.2FS,L3M DF2S8.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 31181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.80 грн
46+6.54 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.13 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) 2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.32 грн
4000+16.22 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) 2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.50 грн
10+43.45 грн
100+28.46 грн
500+20.66 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
13+24.44 грн
25+21.33 грн
100+12.96 грн
250+10.73 грн
500+8.58 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.97 грн
28+10.92 грн
100+7.32 грн
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.97 грн
28+10.92 грн
100+7.32 грн
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.71 грн
60+4.98 грн
100+3.32 грн
500+2.36 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.94 грн
62+4.83 грн
100+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2303 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2303 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.94 грн
64+4.68 грн
100+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4LF4,E(T TLP2762B(D4LF4,E(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
10+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4TP4,E(T TLP2762B(D4TP4,E(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4TP4,E(T TLP2762B(D4TP4,E(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
10+61.95 грн
100+46.46 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,H3F 1SV305,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
20+15.37 грн
100+7.77 грн
500+5.95 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
20+15.37 грн
100+7.49 грн
500+5.87 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FU,LF TC7S02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S02FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20182&prodName=TC7S02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FU,LF TC7S02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S02FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20182&prodName=TC7S02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.77 грн
15+19.98 грн
25+17.44 грн
100+10.60 грн
250+8.78 грн
500+7.02 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS14(TE12L,Q,M) CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14_datasheet_en_20181016.pdf?did=19430&prodName=CMS14 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS14(TE12L,Q,M) CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14_datasheet_en_20181016.pdf?did=19430&prodName=CMS14 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
10+34.24 грн
100+23.69 грн
500+18.58 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS15(TE12L,Q,M) CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15_datasheet_en_20180803.pdf?did=20252&prodName=CMS15 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 102pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS15(TE12L,Q,M) CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15_datasheet_en_20180803.pdf?did=20252&prodName=CMS15 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 102pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.71 грн
10+37.06 грн
100+27.54 грн
500+19.97 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3127(F TLP3127(F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 1.3A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.3 A
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 130 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3127(TP,F TLP3127(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 1.3A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.3 A
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 130 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPMD0001A-0005 Toshiba Semiconductor and Storage Description: TPMD0001A-0005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Function: Electric Speed Controller (ESC)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TMPM475FYFGM, TPH1R204PL, TPMD0001A
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.35 грн
10+104.65 грн
100+83.33 грн
500+66.17 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.40 грн
13+23.69 грн
25+21.33 грн
100+13.83 грн
250+11.65 грн
500+9.47 грн
1000+7.16 грн
2500+6.45 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABD100V Toshiba Semiconductor and Storage Description: INTERNAL HARD DISK DRIVES
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.00mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA II
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07AFS,L3J(T TC7SZ07AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1607&prodName=TC7SZ07AFS Description: IC BUFF 1.65V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
16+19.39 грн
25+17.53 грн
100+11.36 грн
250+9.57 грн
500+7.77 грн
1000+5.88 грн
2500+5.29 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q TPHR7404PU,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q TPHR7404PU,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB60EE Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-al14sxb-product-overview.pdf Description: AL14SX 600GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 600GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13149&prodName=TK46A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.21 грн
10+82.07 грн
50+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,A,Q) 2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438(AISIN,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2FS,L3M docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS
DF2S8.2FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 31181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.80 грн
46+6.54 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.13 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F
TC74VHC138F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F
TC74VHC138F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A
2SC5886A(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.32 грн
4000+16.22 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A
2SC5886A(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.50 грн
10+43.45 грн
100+28.46 грн
500+20.66 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
13+24.44 грн
25+21.33 грн
100+12.96 грн
250+10.73 грн
500+8.58 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.34 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.97 грн
28+10.92 грн
100+7.32 грн
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.97 грн
28+10.92 грн
100+7.32 грн
500+5.28 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.71 грн
60+4.98 грн
100+3.32 грн
500+2.36 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305
RN2305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305
RN2305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.94 грн
62+4.83 грн
100+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF RN2303_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2303
RN2303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF RN2303_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2303
RN2303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.94 грн
64+4.68 грн
100+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4LF4,E(T docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B
TLP2762B(D4LF4,E(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.02 грн
10+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4TP4,E(T docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B
TLP2762B(D4TP4,E(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2762B(D4TP4,E(T docget.jsp?did=155041&prodName=TLP2762B
TLP2762B(D4TP4,E(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.02 грн
10+61.95 грн
100+46.46 грн
500+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,H3F 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305
1SV305,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT
RN1102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.11 грн
6000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CT
RN1102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
20+15.37 грн
100+7.77 грн
500+5.95 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV
RN1102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV
RN1102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
20+15.37 грн
100+7.49 грн
500+5.87 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FU,LF TC7S02FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20182&prodName=TC7S02FU
TC7S02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FU,LF TC7S02FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=20182&prodName=TC7S02FU
TC7S02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.77 грн
15+19.98 грн
25+17.44 грн
100+10.60 грн
250+8.78 грн
500+7.02 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS14(TE12L,Q,M) CMS14_datasheet_en_20181016.pdf?did=19430&prodName=CMS14
CMS14(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS14(TE12L,Q,M) CMS14_datasheet_en_20181016.pdf?did=19430&prodName=CMS14
CMS14(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.65 грн
10+34.24 грн
100+23.69 грн
500+18.58 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS15(TE12L,Q,M) CMS15_datasheet_en_20180803.pdf?did=20252&prodName=CMS15
CMS15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 102pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS15(TE12L,Q,M) CMS15_datasheet_en_20180803.pdf?did=20252&prodName=CMS15
CMS15(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 102pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.71 грн
10+37.06 грн
100+27.54 грн
500+19.97 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3127(F
TLP3127(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.3A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.3 A
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 130 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3127(TP,F
TLP3127(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.3A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.3 A
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 130 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPMD0001A-0005
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TPMD0001A-0005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Function: Electric Speed Controller (ESC)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TMPM475FYFGM, TPH1R204PL, TPMD0001A
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.35 грн
10+104.65 грн
100+83.33 грн
500+66.17 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE
TCR3UM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE
TCR3UM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.40 грн
13+23.69 грн
25+21.33 грн
100+13.83 грн
250+11.65 грн
500+9.47 грн
1000+7.16 грн
2500+6.45 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABD100V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: INTERNAL HARD DISK DRIVES
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.00mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA II
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07AFS,L3J(T TC7SZ07AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1607&prodName=TC7SZ07AFS
TC7SZ07AFS,L3J(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 1.65V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
16+19.39 грн
25+17.53 грн
100+11.36 грн
250+9.57 грн
500+7.77 грн
1000+5.88 грн
2500+5.29 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE
RN4910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.13 грн
8000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE
RN4910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG
TB62213AFG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG
TB62213AFG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB60EE ehdd-al14sxb-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AL14SX 600GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 600GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X docget.jsp?did=13149&prodName=TK46A08N1
TK46A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.21 грн
10+82.07 грн
50+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,A,Q) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(AISIN,A,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(AISIN,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(CANO,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(J 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438,MDKQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.