Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 210 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
7UL1G08FS,RF(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221021.pdf?did=60334 Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G08FS,RF(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221021.pdf?did=60334 Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04NX,ELF 7UL1G04NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154197&prodName=7UL1G04NX Description: L-MOS LVP IC XSON6 VCC:0.9V-3.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.3ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04NX,ELF 7UL1G04NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154197&prodName=7UL1G04NX Description: L-MOS LVP IC XSON6 VCC:0.9V-3.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.3ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+11.02 грн
31+9.78 грн
100+7.84 грн
250+7.21 грн
500+6.83 грн
1000+6.41 грн
2500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G125NX,ELF 7UL1G125NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154201&prodName=7UL1G125NX Description: IC BUFF 0.9V/3.6V 6-MP6D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G125NX,ELF 7UL1G125NX,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154201&prodName=7UL1G125NX Description: IC BUFF 0.9V/3.6V 6-MP6D
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
на замовлення 9983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+11.02 грн
31+9.78 грн
100+7.84 грн
250+7.21 грн
500+6.83 грн
1000+6.41 грн
2500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQ TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQ TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
100+58.61 грн
500+43.64 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS16(TE12L,Q,M) CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16_datasheet_en_20180404.pdf?did=6307&prodName=CMS16 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS16(TE12L,Q,M) CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16_datasheet_en_20180404.pdf?did=6307&prodName=CMS16 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.49 грн
100+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8J01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 32V 5.5A PS-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 32 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: PS-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X TK10A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=30614&prodName=TK10A80W Description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG1825A Description: 300MA LDO, VOUT=1.825V, DROPOUT=
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.825V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 0.68 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG1825A Description: 300MA LDO, VOUT=1.825V, DROPOUT=
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.825V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 0.68 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+25.89 грн
25+23.67 грн
100+16.53 грн
250+14.98 грн
500+12.40 грн
1000+9.15 грн
2500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK321G,LF TCK321G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Ratio - Input:Output: 2:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Rds On (Typ): 98mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK321G,LF TCK321G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Rds On (Typ): 98mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Ratio - Input:Output: 2:1
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+89.59 грн
25+85.08 грн
100+65.57 грн
250+61.29 грн
500+54.17 грн
1000+42.06 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F TK042N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154367&prodName=TK042N65Z5 Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.68 грн
30+484.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TTC501,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANSISTOR FOR LF SMALL-SIGNAL A
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.57 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC501,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANSISTOR FOR LF SMALL-SIGNAL A
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+24.68 грн
25+22.28 грн
100+14.44 грн
250+12.16 грн
500+9.88 грн
1000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC244F(EL,K,F TC74VHC244F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17837&prodName=TC74VHC244F Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC244F(EL,K,F TC74VHC244F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17837&prodName=TC74VHC244F Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
13+24.91 грн
25+22.31 грн
100+18.21 грн
250+16.92 грн
500+16.13 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011AE,LF(CT TCTH011AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011AE,LF(CT TCTH011AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022AE,LF(CT TCTH022AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022AE,LF(CT TCTH022AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
16+18.87 грн
25+16.43 грн
50+15.60 грн
100+14.83 грн
500+13.06 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH012BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH012BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012AE,LF(CT TCTH012AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012AE,LF(CT TCTH012AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021AE,LF(CT TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021AE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021AE,LF(CT TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021AE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Type: Thermal
Output: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+26.57 грн
13+24.68 грн
25+21.05 грн
50+19.55 грн
100+18.17 грн
500+15.07 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022BE,LF(CT TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022BE,LF(CT TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
16+18.87 грн
25+16.43 грн
50+15.60 грн
100+14.83 грн
500+13.06 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011BE,LF(CT TCTH011BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011BE,LF(CT TCTH011BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021BE,LF(CT TCTH021BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021BE,LF(CT TCTH021BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+26.57 грн
13+24.68 грн
25+21.05 грн
50+19.55 грн
100+18.17 грн
500+15.07 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004AFTG,EL TC78B004AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004AFTG_datasheet_en_20190108.pdf?did=66274&prodName=TC78B004AFTG Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004AFTG,EL TC78B004AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004AFTG_datasheet_en_20190108.pdf?did=66274&prodName=TC78B004AFTG Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+133.37 грн
25+121.97 грн
100+102.67 грн
250+97.04 грн
500+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+77.82 грн
100+52.92 грн
500+39.78 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+50.19 грн
100+36.92 грн
500+29.05 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W_datasheet_en_20161108.pdf?did=54612&prodName=TK7A80W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
50+155.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7584&prodName=TK25A20D Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA12T Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf Description: MN07 NAS B2B 12TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 12TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
33+9.36 грн
100+5.03 грн
500+3.71 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153084&prodName=SSM10N961L Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153084&prodName=SSM10N961L Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.74 грн
50+45.98 грн
100+38.38 грн
500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.81 грн
25+19.99 грн
100+13.95 грн
250+12.65 грн
500+10.46 грн
1000+7.72 грн
2500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+21.81 грн
25+19.99 грн
100+13.95 грн
250+12.65 грн
500+10.46 грн
1000+7.72 грн
2500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F TK095N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK095N65Z5_datasheet_en_20231206.pdf?did=154698&prodName=TK095N65Z5 Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
30+282.09 грн
120+236.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G08FS,RF(B datasheet_en_20221021.pdf?did=60334
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G08FS,RF(B datasheet_en_20221021.pdf?did=60334
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04NX,ELF docget.jsp?did=154197&prodName=7UL1G04NX
7UL1G04NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC XSON6 VCC:0.9V-3.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.3ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04NX,ELF docget.jsp?did=154197&prodName=7UL1G04NX
7UL1G04NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC XSON6 VCC:0.9V-3.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.3ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
28+11.02 грн
31+9.78 грн
100+7.84 грн
250+7.21 грн
500+6.83 грн
1000+6.41 грн
2500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G125NX,ELF docget.jsp?did=154201&prodName=7UL1G125NX
7UL1G125NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 0.9V/3.6V 6-MP6D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G125NX,ELF docget.jsp?did=154201&prodName=7UL1G125NX
7UL1G125NX,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 0.9V/3.6V 6-MP6D
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
на замовлення 9983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
28+11.02 грн
31+9.78 грн
100+7.84 грн
250+7.21 грн
500+6.83 грн
1000+6.41 грн
2500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.87 грн
10+86.88 грн
100+58.61 грн
500+43.64 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L
TK33S10N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.47 грн
10+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS16(TE12L,Q,M) CMS16_datasheet_en_20180404.pdf?did=6307&prodName=CMS16
CMS16(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMS16(TE12L,Q,M) CMS16_datasheet_en_20180404.pdf?did=6307&prodName=CMS16
CMS16(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.60 грн
10+46.49 грн
100+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8J01(TE85L,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 32V 5.5A PS-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 32 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: PS-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X TK10A80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=30614&prodName=TK10A80W
TK10A80W,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG1825A,LF TCR3UG1825A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG1825A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO, VOUT=1.825V, DROPOUT=
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.825V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 0.68 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG1825A,LF TCR3UG1825A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG1825A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO, VOUT=1.825V, DROPOUT=
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.825V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 0.68 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
12+25.89 грн
25+23.67 грн
100+16.53 грн
250+14.98 грн
500+12.40 грн
1000+9.15 грн
2500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK321G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK321G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Ratio - Input:Output: 2:1
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Rds On (Typ): 98mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK321G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK321G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Current - Output (Max): 2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Rds On (Typ): 98mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Ratio - Input:Output: 2:1
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.25 грн
10+89.59 грн
25+85.08 грн
100+65.57 грн
250+61.29 грн
500+54.17 грн
1000+42.06 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F docget.jsp?did=154367&prodName=TK042N65Z5
TK042N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+838.68 грн
30+484.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TTC501,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR FOR LF SMALL-SIGNAL A
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.57 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC501,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR FOR LF SMALL-SIGNAL A
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: SOT-23F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
13+24.68 грн
25+22.28 грн
100+14.44 грн
250+12.16 грн
500+9.88 грн
1000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC244F(EL,K,F docget.jsp?did=17837&prodName=TC74VHC244F
TC74VHC244F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC244F(EL,K,F docget.jsp?did=17837&prodName=TC74VHC244F
TC74VHC244F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-SOP
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
13+24.91 грн
25+22.31 грн
100+18.21 грн
250+16.92 грн
500+16.13 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH011AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH011AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH022AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH022AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
16+18.87 грн
25+16.43 грн
50+15.60 грн
100+14.83 грн
500+13.06 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH012BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH012BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH012AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012AE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH012AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 17µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021AE,LF(CT TCTH021AE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021AE
TCTH021AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021AE,LF(CT TCTH021AE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021AE
TCTH021AE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Type: Thermal
Output: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
12+26.57 грн
13+24.68 грн
25+21.05 грн
50+19.55 грн
100+18.17 грн
500+15.07 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH022BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH022BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH022BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
16+18.87 грн
25+16.43 грн
50+15.60 грн
100+14.83 грн
500+13.06 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH011BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH011BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH011BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: CMOS LINEAR IC OVER TEMP DETECTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Thermal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 214µs Typical
Voltage - Threshold: 0.5V
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
15+20.68 грн
16+19.55 грн
25+17.06 грн
50+16.18 грн
100+15.38 грн
500+13.55 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH021BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH021BE,LF(CT TCTH021BE_datasheet_en_20230425.pdf?did=149583&prodName=TCTH021BE
TCTH021BE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OVER TEMP DETECTION IC IPTCO: 10
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Threshold: 0.5V
Reset Timeout: 214µs Typical
Number of Voltages Monitored: 1
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Thermal
Output: Open Drain or Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
12+26.57 грн
13+24.68 грн
25+21.05 грн
50+19.55 грн
100+18.17 грн
500+15.07 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004AFTG,EL TC78B004AFTG_datasheet_en_20190108.pdf?did=66274&prodName=TC78B004AFTG
TC78B004AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78B004AFTG,EL TC78B004AFTG_datasheet_en_20190108.pdf?did=66274&prodName=TC78B004AFTG
TC78B004AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR CONTROLLER WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.76 грн
10+133.37 грн
25+121.97 грн
100+102.67 грн
250+97.04 грн
500+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.63 грн
10+77.82 грн
100+52.92 грн
500+39.78 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.27 грн
10+50.19 грн
100+36.92 грн
500+29.05 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X TK7A80W_datasheet_en_20161108.pdf?did=54612&prodName=TK7A80W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.44 грн
50+155.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X docget.jsp?did=7584&prodName=TK25A20D
TK25A20D,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA12T cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN07 NAS B2B 12TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 12TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
33+9.36 грн
100+5.03 грн
500+3.71 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF docget.jsp?did=153084&prodName=SSM10N961L
SSM10N961L,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF docget.jsp?did=153084&prodName=SSM10N961L
SSM10N961L,ELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.11 грн
10+61.74 грн
50+45.98 грн
100+38.38 грн
500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF
TCR3DG285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF
TCR3DG285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
14+21.81 грн
25+19.99 грн
100+13.95 грн
250+12.65 грн
500+10.46 грн
1000+7.72 грн
2500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF
TCR3DG28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF
TCR3DG28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
14+21.81 грн
25+19.99 грн
100+13.95 грн
250+12.65 грн
500+10.46 грн
1000+7.72 грн
2500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F TK095N65Z5_datasheet_en_20231206.pdf?did=154698&prodName=TK095N65Z5
TK095N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.26 грн
30+282.09 грн
120+236.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU
SSM6N39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU
SSM6N39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]