Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 212 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.08 грн
10+78.72 грн
100+53.53 грн
500+40.24 грн
1000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+50.78 грн
100+37.35 грн
500+29.39 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W_datasheet_en_20161108.pdf?did=54612&prodName=TK7A80W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.78 грн
50+157.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7584&prodName=TK25A20D Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA12T Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf Description: MN07 NAS B2B 12TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 12TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
33+9.47 грн
100+5.09 грн
500+3.75 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+57.80 грн
100+38.16 грн
500+27.90 грн
1000+25.36 грн
2000+23.21 грн
5000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
14+22.07 грн
25+20.22 грн
100+14.12 грн
250+12.79 грн
500+10.59 грн
1000+7.81 грн
2500+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
14+22.07 грн
25+20.22 грн
100+14.12 грн
250+12.79 грн
500+10.59 грн
1000+7.81 грн
2500+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F TK095N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK095N65Z5_datasheet_en_20231206.pdf?did=154698&prodName=TK095N65Z5 Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.49 грн
30+333.98 грн
120+281.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 15MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 15MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768B(D4LF4,E(T TLP2768B(D4LF4,E(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155043&prodName=TLP2768B Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+67.42 грн
125+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP513(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EA Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-al14sxb-product-overview.pdf Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EN Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-al14sxb-product-overview.pdf Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EE Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-al14sxb-product-overview.pdf Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2FS,L3M DF2S8.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.84 грн
20000+1.60 грн
30000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2FS,L3M DF2S8.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 31181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
46+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
5000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Decoder
Circuit: 1 x 3:8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Decoder
Circuit: 1 x 3:8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) 2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.84 грн
4000+16.67 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) 2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.67 грн
100+29.26 грн
500+21.24 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
13+25.12 грн
25+21.93 грн
100+13.32 грн
250+11.03 грн
500+8.82 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
6000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
28+11.22 грн
100+7.53 грн
500+5.42 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
28+11.22 грн
100+7.53 грн
500+5.42 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.93 грн
60+5.12 грн
100+3.41 грн
500+2.43 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.14 грн
62+4.96 грн
100+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LF RN2313_datasheet_en_20190821.pdf?did=19000&prodName=RN2313
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.08 грн
10+78.72 грн
100+53.53 грн
500+40.24 грн
1000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQ TK7S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15153&prodName=TK7S10N1Z
TK7S10N1Z,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+50.78 грн
100+37.35 грн
500+29.39 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X TK7A80W_datasheet_en_20161108.pdf?did=54612&prodName=TK7A80W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+203.78 грн
50+157.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X docget.jsp?did=7584&prodName=TK25A20D
TK25A20D,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA12T cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN07 NAS B2B 12TB
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 12TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
33+9.47 грн
100+5.09 грн
500+3.75 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF detail.SSM10N961L.html
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM10N961L,ELF detail.SSM10N961L.html
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TCSPAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.15 грн
10+57.80 грн
100+38.16 грн
500+27.90 грн
1000+25.36 грн
2000+23.21 грн
5000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF
TCR3DG285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG285,LF
TCR3DG285,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.55 грн
14+22.07 грн
25+20.22 грн
100+14.12 грн
250+12.79 грн
500+10.59 грн
1000+7.81 грн
2500+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF
TCR3DG28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG28,LF
TCR3DG28,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F CMOS POINT DDRULATOR (SINGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.235V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.55 грн
14+22.07 грн
25+20.22 грн
100+14.12 грн
250+12.79 грн
500+10.59 грн
1000+7.81 грн
2500+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F TK095N65Z5_datasheet_en_20231206.pdf?did=154698&prodName=TK095N65Z5
TK095N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+595.49 грн
30+333.98 грн
120+281.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU
SSM6N39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF SSM6N39TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11098&prodName=SSM6N39TU
SSM6N39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4-TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 15MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(ABB-TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Supplier Device Package: 6-SDIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 15MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(D4-TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716(D4-MBS-TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP716F(TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Data Rate: 15MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768B(D4LF4,E(T docget.jsp?did=155043&prodName=TLP2768B
TLP2768B(D4LF4,E(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV OPEN DRAIN 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.32 грн
10+67.42 грн
125+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(D4-TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768(D4-TP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(D4MBSTP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2768F(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Open Collector, Schottky Clamped
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP513(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP513(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EA ehdd-al14sxb-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EN ehdd-al14sxb-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB90EE ehdd-al14sxb-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AL14SX 900GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 900GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ docget.jsp?did=22571&prodName=TJ30S06M3L
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2FS,L3M docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS
DF2S8.2FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.84 грн
20000+1.60 грн
30000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2FS,L3M docget.jsp?did=22220&prodName=DF2S8.2FS
DF2S8.2FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 31181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
46+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
5000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1500CNH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F
TC74VHC138F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Decoder
Circuit: 1 x 3:8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC138F(EL,K,F
TC74VHC138F(EL,K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER 1 X 3:8 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Decoder
Circuit: 1 x 3:8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A
2SC5886A(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+18.84 грн
4000+16.67 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A(T6L1,NQ) docget.jsp?did=4354&prodName=2SC5886A
2SC5886A(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.54 грн
10+44.67 грн
100+29.26 грн
500+21.24 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F SMV POINT DDRULATOR (SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.89 грн
13+25.12 грн
25+21.93 грн
100+13.32 грн
250+11.03 грн
500+8.82 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.46 грн
6000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
28+11.22 грн
100+7.53 грн
500+5.42 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
28+11.22 грн
100+7.53 грн
500+5.42 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.93 грн
60+5.12 грн
100+3.41 грн
500+2.43 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305
RN2305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LF RN2305_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2305
RN2305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+7.14 грн
62+4.96 грн
100+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]