Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 212 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+106.35 грн
100+84.68 грн
500+67.24 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.08 грн
25+21.68 грн
100+14.05 грн
250+11.84 грн
500+9.62 грн
1000+7.28 грн
2500+6.55 грн
5000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABD100V Toshiba Semiconductor and Storage Description: INTERNAL HARD DISK DRIVES
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.00mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA II
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07AFS,L3J(T TC7SZ07AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1607&prodName=TC7SZ07AFS Description: IC BUFF 1.65V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+19.70 грн
25+17.81 грн
100+11.55 грн
250+9.72 грн
500+7.90 грн
1000+5.98 грн
2500+5.38 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q TPHR7404PU,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q TPHR7404PU,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB60EE Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-al14sxb-product-overview.pdf Description: AL14SX 600GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 600GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13149&prodName=TK46A08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.40 грн
50+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,A,Q) 2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438(AISIN,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,Q(M 2SJ438,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438_2009-09-29.pdf Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T34FS,LF(B 7UL1T34FS,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20220203.pdf?did=141151 Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T34FS,LF(B 7UL1T34FS,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20220203.pdf?did=141151 Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
на замовлення 8955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
16+19.70 грн
25+16.12 грн
100+11.33 грн
250+9.46 грн
500+8.31 грн
1000+7.23 грн
2500+6.20 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN09ACA18T Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN09-Product-Overview_r1a.pdf Description: MN09 NAS 18TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62304AFNG,EL TBD62304AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58116&prodName=TBD62304AFNG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.42 грн
100+72.68 грн
500+54.65 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FT(EL) TC7MPB9307FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.46 грн
6000+11.23 грн
10000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FT(EL) TC7MPB9307FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+29.06 грн
25+27.11 грн
100+20.35 грн
250+18.90 грн
500+15.99 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9307TU,LF(CT TC7SPB9307TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9307TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9307TU Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Supplier Device Package: UF6
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9307TU,LF(CT TC7SPB9307TU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPB9307TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9307TU Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Supplier Device Package: UF6
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+23.47 грн
25+21.50 грн
100+15.01 грн
250+13.60 грн
500+11.26 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3145(TP,F TLP3145(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230620.pdf?did=59691 Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+182.51 грн
100+143.46 грн
500+118.56 грн
1000+113.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ10V,LM(B MKZ10V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 10V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ10V,LM(B MKZ10V,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 10V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
26+12.00 грн
27+11.44 грн
100+6.14 грн
250+4.55 грн
500+3.78 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQ TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL_datasheet_en_20161226.pdf?did=56261&prodName=TPH2R805PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQ TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL_datasheet_en_20161226.pdf?did=56261&prodName=TPH2R805PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.18 грн
100+61.67 грн
500+45.99 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX541FT(AE) 74LCX541FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15179&prodName=74LCX541FT Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 20TSSOPB
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX541FT(AE) 74LCX541FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15179&prodName=74LCX541FT Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 20TSSOPB
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+33.81 грн
25+27.96 грн
100+19.96 грн
250+16.88 грн
500+14.98 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDP600A Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf Description: HDD 6TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4165K,F TPD4165K,F Toshiba Semiconductor and Storage TPD4165K_datasheet_en_20240115.pdf?did=156295&prodName=TPD4165K Description: 600V, IPD, 3A, HDIP30
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: 30-HDIP
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Technology: IGBT
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 3A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Packaging: Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.32 грн
15+350.22 грн
30+331.55 грн
105+286.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08F(EL,K,F) TC74VHC08F(EL,K,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FK(EL,K) TC74VHC08FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FK(EL,K) TC74VHC08FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FTELM TC74VHC08FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC08F,FN,FT,FK.pdf Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FTELM TC74VHC08FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC08F,FN,FT,FK.pdf Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+72.01 грн
100+55.99 грн
500+44.54 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14277&prodName=TK16G60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14277&prodName=TK16G60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+190.36 грн
100+134.22 грн
500+122.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+243.19 грн
100+173.72 грн
500+135.26 грн
1000+131.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15560&prodName=TK25V60X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15560&prodName=TK25V60X5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.83 грн
10+313.61 грн
100+227.95 грн
500+183.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540C01(T,E DCL540C01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540C01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540C01 Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+207.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540C01(T,E DCL540C01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540C01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540C01 Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.45 грн
10+314.75 грн
100+257.81 грн
500+203.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540L01(T,E DCL540L01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540L01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540L01 Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+189.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540L01(T,E DCL540L01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540L01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540L01 Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.42 грн
10+280.25 грн
100+218.56 грн
500+182.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.46 грн
10+106.35 грн
100+84.68 грн
500+67.24 грн
1000+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE
TCR3UM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM28A,LF(SE
TCR3UM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
13+24.08 грн
25+21.68 грн
100+14.05 грн
250+11.84 грн
500+9.62 грн
1000+7.28 грн
2500+6.55 грн
5000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3F
SSM3K59CTB,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABD100V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: INTERNAL HARD DISK DRIVES
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.00mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA II
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07AFS,L3J(T TC7SZ07AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1607&prodName=TC7SZ07AFS
TC7SZ07AFS,L3J(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 1.65V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN12,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+19.70 грн
25+17.81 грн
100+11.55 грн
250+9.72 грн
500+7.90 грн
1000+5.98 грн
2500+5.38 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE
RN4910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.21 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE,LXHF(CT RN4910FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19037&prodName=RN4910FE
RN4910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q docget.jsp?did=69938&prodName=TPHR7404PU
TPHR7404PU,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG
TB62213AFG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AFG,C8,EL TB62213AFG_datasheet_en_20150309.pdf?did=13013&prodName=TB62213AFG
TB62213AFG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-BSOP (0.346", 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2.4A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 28-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL14SXB60EE ehdd-al14sxb-product-overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AL14SX 600GB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 70.10mm x 15.00mm
Memory Size: 600GB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 2.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK46A08N1,S4X docget.jsp?did=13149&prodName=TK46A08N1
TK46A08N1,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+83.40 грн
50+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,A,Q) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(AISIN,A,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(AISIN,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438(CANO,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(J 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438,MDKQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,MDKQ(M 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438,MDKQ(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,Q(J 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438,Q(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ438,Q(M 2SJ438_2009-09-29.pdf
2SJ438,Q(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Supplier Device Package: TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T34FS,LF(B datasheet_en_20220203.pdf?did=141151
7UL1T34FS,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T34FS,LF(B datasheet_en_20220203.pdf?did=141151
7UL1T34FS,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: L-MOS LVP IC VCC: 2.3V-3.6V, SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
на замовлення 8955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
16+19.70 грн
25+16.12 грн
100+11.33 грн
250+9.46 грн
500+8.31 грн
1000+7.23 грн
2500+6.20 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN09ACA18T cHDD-MN09-Product-Overview_r1a.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN09 NAS 18TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62304AFNG,EL TBD62304AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58116&prodName=TBD62304AFNG
TBD62304AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-SSOP
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.66 грн
10+106.42 грн
100+72.68 грн
500+54.65 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FT(EL)
TC7MPB9307FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+12.46 грн
6000+11.23 грн
10000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MPB9307FT(EL)
TC7MPB9307FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 8 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
11+29.06 грн
25+27.11 грн
100+20.35 грн
250+18.90 грн
500+15.99 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9307TU,LF(CT TC7SPB9307TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9307TU
TC7SPB9307TU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Supplier Device Package: UF6
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPB9307TU,LF(CT TC7SPB9307TU_datasheet_en_20220907.pdf?did=21130&prodName=TC7SPB9307TU
TC7SPB9307TU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 1 X 1:1 UF6
Supplier Device Package: UF6
Voltage Supply Source: Dual Supply
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Bus Switch
Circuit: 1 x 1:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
13+23.47 грн
25+21.50 грн
100+15.01 грн
250+13.60 грн
500+11.26 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3145(TP,F datasheet_en_20230620.pdf?did=59691
TLP3145(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.88 грн
10+182.51 грн
100+143.46 грн
500+118.56 грн
1000+113.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ10V,LM(B
MKZ10V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.42 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ10V,LM(B
MKZ10V,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX):
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
26+12.00 грн
27+11.44 грн
100+6.14 грн
250+4.55 грн
500+3.78 грн
1000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQ TPH2R805PL_datasheet_en_20161226.pdf?did=56261&prodName=TPH2R805PL
TPH2R805PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R805PL,LQ TPH2R805PL_datasheet_en_20161226.pdf?did=56261&prodName=TPH2R805PL
TPH2R805PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.92 грн
10+91.18 грн
100+61.67 грн
500+45.99 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX541FT(AE) docget.jsp?did=15179&prodName=74LCX541FT
74LCX541FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 20TSSOPB
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX541FT(AE) docget.jsp?did=15179&prodName=74LCX541FT
74LCX541FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 20TSSOPB
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.79 грн
10+33.81 грн
25+27.96 грн
100+19.96 грн
250+16.88 грн
500+14.98 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08SDP600A eHDD-MG08-D_Product-Manual_r0.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 6TB 3.5" SAS 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4165K,F TPD4165K_datasheet_en_20240115.pdf?did=156295&prodName=TPD4165K
TPD4165K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V, IPD, 3A, HDIP30
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: 30-HDIP
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Technology: IGBT
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 3A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Packaging: Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.32 грн
15+350.22 грн
30+331.55 грн
105+286.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08F(EL,K,F)
TC74VHC08F(EL,K,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FK(EL,K)
TC74VHC08FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FK(EL,K)
TC74VHC08FK(EL,K)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-VSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FTELM TC74VHC08F,FN,FT,FK.pdf
TC74VHC08FTELM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC08FTELM TC74VHC08F,FN,FT,FK.pdf
TC74VHC08FTELM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R808QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.71 грн
10+72.01 грн
100+55.99 грн
500+44.54 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ docget.jsp?did=14277&prodName=TK16G60W5
TK16G60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ docget.jsp?did=14277&prodName=TK16G60W5
TK16G60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.42 грн
10+190.36 грн
100+134.22 грн
500+122.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W
TK14V65W,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14V65W,LQ TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W
TK14V65W,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.37 грн
10+243.19 грн
100+173.72 грн
500+135.26 грн
1000+131.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ docget.jsp?did=15560&prodName=TK25V60X5
TK25V60X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ docget.jsp?did=15560&prodName=TK25V60X5
TK25V60X5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+482.83 грн
10+313.61 грн
100+227.95 грн
500+183.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540C01(T,E DCL540C01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540C01
DCL540C01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+207.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540C01(T,E DCL540C01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540C01
DCL540C01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.45 грн
10+314.75 грн
100+257.81 грн
500+203.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540L01(T,E DCL540L01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540L01
DCL540L01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+189.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCL540L01(T,E DCL540L01_datasheet_en_20230427.pdf?did=140763&prodName=DCL540L01
DCL540L01(T,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4-CH (4:0) HIGH SPEED DIGITAL IS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 4/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 0.9ns, 0.9ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 18.3ns, 18.3ns
Isolated Power: Yes
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 2.8ns
Number of Channels: 4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+415.42 грн
10+280.25 грн
100+218.56 грн
500+182.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]