Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117853) > Сторінка 1932 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1927 1928 1929 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY8C9520A-24PVXI CY8C9520A-24PVXI Infineon Technologies witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP Tube
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1175+472.01 грн
Мінімальне замовлення: 1175
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9520A-24PVXIT CY8C9520A-24PVXIT Infineon Technologies witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+353.86 грн
100+336.65 грн
500+318.36 грн
1000+290.40 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9520A-24PVXIT CY8C9520A-24PVXIT Infineon Technologies witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+353.86 грн
100+336.65 грн
500+318.36 грн
1000+290.40 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+99.54 грн
147+88.32 грн
400+77.34 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF Infineon Technologies irfz44espbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF Infineon Technologies irfz44espbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+212.67 грн
64+204.57 грн
100+197.63 грн
250+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+258.89 грн
54+242.24 грн
57+229.96 грн
100+219.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.21 грн
10+257.51 грн
25+244.45 грн
100+233.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+407.83 грн
42+307.52 грн
47+276.46 грн
50+260.61 грн
100+207.86 грн
250+166.47 грн
800+158.73 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+183.98 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+172.09 грн
500+162.41 грн
1000+153.80 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF IRFP7537PBF Infineon Technologies infineonirfp7537datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+136.59 грн
500+130.14 грн
1000+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF Infineon Technologies infineonirfp1405datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+93.88 грн
500+84.50 грн
1000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+93.88 грн
500+84.50 грн
1000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+93.88 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+93.88 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
FB50R07W2E3C36BPSA1 FB50R07W2E3C36BPSA1 Infineon Technologies infineonfb50r07w2e3c36datasheetv0110en.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 33-Pin Tray
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3499.84 грн
100+3324.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 SPD04N60C3BTMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 SPD04N60C3BTMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 SPD04N60C3BTMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
10000+236.24 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+96.54 грн
500+86.89 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+96.54 грн
500+86.89 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF Infineon Technologies infineondsvnaen.pdf description Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327HTSA1 BFN24E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn24_bfn263.pdf Trans GP BJT NPN 250V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3812+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3812
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327HTSA1 BFN24E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn24_bfn263.pdf Trans GP BJT NPN 250V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+9.14 грн
240000+8.35 грн
360000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 24000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+319.62 грн
80+161.47 грн
106+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw30n60tdatasheetv0206en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+383.89 грн
62+208.81 грн
100+173.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineonikw30n60tdatasheetv0206en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.53 грн
10+223.31 грн
100+185.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120t2datasheetv0202en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+187.92 грн
70+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+378.15 грн
59+222.01 грн
61+212.44 грн
62+202.81 грн
100+156.40 грн
480+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.39 грн
10+237.43 грн
25+227.19 грн
50+216.89 грн
100+167.26 грн
480+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r125cpdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+279.13 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r125cpdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.50 грн
500+230.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa60r125cfd7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+213.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.32 грн
10+96.52 грн
25+80.57 грн
50+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+140.16 грн
10+125.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.15 грн
10+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.84 грн
4+115.82 грн
10+108.27 грн
30+98.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.09 грн
5+154.42 грн
10+140.16 грн
30+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.41 грн
10+240.87 грн
25+204.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.01 грн
5+215.69 грн
25+193.87 грн
100+183.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 28933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.92 грн
22+19.39 грн
26+16.70 грн
100+11.33 грн
200+9.57 грн
500+7.89 грн
1000+7.22 грн
3000+6.38 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
72+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.33 грн
100+4.20 грн
112+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.52 грн
122+3.46 грн
136+3.11 грн
250+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.61 грн
11+40.12 грн
50+37.85 грн
100+36.34 грн
250+33.82 грн
500+31.72 грн
1000+29.54 грн
1250+28.79 грн
2000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.84 грн
12+35.50 грн
50+33.57 грн
100+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.83 грн
22+19.39 грн
50+12.92 грн
100+10.83 грн
250+8.73 грн
500+7.64 грн
1000+6.71 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.65 грн
12+36.26 грн
25+30.21 грн
50+26.69 грн
100+25.18 грн
250+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.32 грн
50+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.96 грн
10+159.46 грн
25+147.71 грн
50+140.16 грн
100+134.28 грн
250+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.03 грн
5+119.18 грн
10+109.94 грн
25+97.35 грн
50+90.64 грн
95+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9520A-24PVXI witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf
CY8C9520A-24PVXI
Виробник: Infineon Technologies
I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP Tube
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1175+472.01 грн
Мінімальне замовлення: 1175
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9520A-24PVXIT witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf
CY8C9520A-24PVXIT
Виробник: Infineon Technologies
I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+353.86 грн
100+336.65 грн
500+318.36 грн
1000+290.40 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9520A-24PVXIT witheepromdatasheetadditionaltechnicalinformationv1400en.pdf
CY8C9520A-24PVXIT
Виробник: Infineon Technologies
I2C/SMBus Interface 24000kHz 5.25V 28-Pin SSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+353.86 грн
100+336.65 грн
500+318.36 грн
1000+290.40 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+99.54 грн
147+88.32 грн
400+77.34 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF irfz44espbf.pdf
IRFP7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF irfz44espbf.pdf
IRFP7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+212.67 грн
64+204.57 грн
100+197.63 грн
250+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+258.89 грн
54+242.24 грн
57+229.96 грн
100+219.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBFAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.21 грн
10+257.51 грн
25+244.45 грн
100+233.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+407.83 грн
42+307.52 грн
47+276.46 грн
50+260.61 грн
100+207.86 грн
250+166.47 грн
800+158.73 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf
IRFP7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+183.98 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf
IRFP7530PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+172.09 грн
500+162.41 грн
1000+153.80 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF infineonirfp7537datasheetv0101en.pdf
IRFP7537PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+136.59 грн
500+130.14 грн
1000+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF infineonirfp1405datasheetv0101en.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf
BUZ30AH3045AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+93.88 грн
500+84.50 грн
1000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf
BUZ30AH3045AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+93.88 грн
500+84.50 грн
1000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf
BUZ30AH3045AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+93.88 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AH3045AATMA1 infineonbuz30ah3045adsv0202en.pdf
BUZ30AH3045AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+93.88 грн
500+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
FB50R07W2E3C36BPSA1 infineonfb50r07w2e3c36datasheetv0110en.pdf
FB50R07W2E3C36BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 33-Pin Tray
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+3499.84 грн
100+3324.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+331.27 грн
103+315.14 грн
500+297.93 грн
1000+271.73 грн
10000+236.24 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+96.54 грн
500+86.89 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+96.54 грн
500+86.89 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description infineondsvnaen.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+181.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327HTSA1 bfn24_bfn263.pdf
BFN24E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 250V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3812+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3812
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327HTSA1 bfn24_bfn263.pdf
BFN24E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 250V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24000+9.14 грн
240000+8.35 грн
360000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 24000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+319.62 грн
80+161.47 грн
106+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 infineonikw30n60tdatasheetv0206en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+383.89 грн
62+208.81 грн
100+173.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 infineonikw30n60tdatasheetv0206en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+410.53 грн
10+223.31 грн
100+185.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 infineonikw15n120t2datasheetv0202en.pdf
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+187.92 грн
70+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+378.15 грн
59+222.01 грн
61+212.44 грн
62+202.81 грн
100+156.40 грн
480+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.39 грн
10+237.43 грн
25+227.19 грн
50+216.89 грн
100+167.26 грн
480+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 infineonipa60r125cpdatasheetv0202en.pdf
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+279.13 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 infineonipa60r125cpdatasheetv0202en.pdf
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.50 грн
500+230.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CFD7XKSA1 infineonipa60r125cfd7datasheetv0201en.pdf
IPA60R125CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+213.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.32 грн
10+96.52 грн
25+80.57 грн
50+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.16 грн
10+125.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.15 грн
10+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.84 грн
4+115.82 грн
10+108.27 грн
30+98.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.09 грн
5+154.42 грн
10+140.16 грн
30+120.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.41 грн
10+240.87 грн
25+204.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.01 грн
5+215.69 грн
25+193.87 грн
100+183.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 28933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.92 грн
22+19.39 грн
26+16.70 грн
100+11.33 грн
200+9.57 грн
500+7.89 грн
1000+7.22 грн
3000+6.38 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
72+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.33 грн
100+4.20 грн
112+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.52 грн
122+3.46 грн
136+3.11 грн
250+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.61 грн
11+40.12 грн
50+37.85 грн
100+36.34 грн
250+33.82 грн
500+31.72 грн
1000+29.54 грн
1250+28.79 грн
2000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.84 грн
12+35.50 грн
50+33.57 грн
100+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.83 грн
22+19.39 грн
50+12.92 грн
100+10.83 грн
250+8.73 грн
500+7.64 грн
1000+6.71 грн
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.65 грн
12+36.26 грн
25+30.21 грн
50+26.69 грн
100+25.18 грн
250+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.32 грн
50+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.96 грн
10+159.46 грн
25+147.71 грн
50+140.16 грн
100+134.28 грн
250+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+150.03 грн
5+119.18 грн
10+109.94 грн
25+97.35 грн
50+90.64 грн
95+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1927 1928 1929 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]