Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2009 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLD1120ELXUMA1 TLD1120ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1120EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.93 грн
10+45.60 грн
11+40.96 грн
25+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G INFINEON TECHNOLOGIES BTS724G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.81 грн
5+336.62 грн
10+290.19 грн
25+239.62 грн
50+215.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4141N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Power dissipation: 1.4W
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
10+85.40 грн
25+77.94 грн
50+75.45 грн
100+72.13 грн
250+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
Max. forward impulse current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
45+9.37 грн
100+6.33 грн
500+4.85 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L INFINEON TECHNOLOGIES ITS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.85 грн
10+138.46 грн
25+123.54 грн
50+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 290A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.91 грн
3+276.10 грн
10+235.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.90 грн
10+44.69 грн
100+29.02 грн
500+22.47 грн
1000+20.40 грн
2000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+50.24 грн
100+33.08 грн
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.48 грн
10+170.80 грн
25+148.41 грн
100+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.29 грн
10+153.39 грн
25+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.58 грн
10+125.20 грн
50+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.29 грн
4+129.34 грн
10+97.84 грн
25+85.40 грн
50+77.11 грн
100+69.65 грн
500+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.65 грн
3+201.48 грн
10+162.51 грн
50+118.56 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.41 грн
10+136.80 грн
20+131.00 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.75 грн
10+45.35 грн
50+32.92 грн
100+28.94 грн
250+24.79 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
19+21.89 грн
25+20.23 грн
100+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.83 грн
4+122.71 грн
10+103.64 грн
20+97.01 грн
50+88.72 грн
100+82.91 грн
500+69.65 грн
1000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.68 грн
19+22.80 грн
25+20.56 грн
100+15.84 грн
500+10.45 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.15 грн
10+69.65 грн
25+61.35 грн
100+55.55 грн
500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.68 грн
22+19.40 грн
27+15.75 грн
50+13.35 грн
100+11.61 грн
125+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming
Case: SOT343
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
29+14.59 грн
33+12.77 грн
39+10.70 грн
100+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
7+68.82 грн
25+62.18 грн
100+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF IRS25401PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Case: DIP8
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Operating temperature: -25...125°C
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Voltage class: 200V
Topology: buck
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+114.42 грн
25+97.01 грн
50+85.40 грн
100+76.28 грн
500+58.87 грн
1000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.04 грн
70+5.97 грн
84+4.94 грн
100+4.68 грн
200+4.52 грн
500+4.25 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
85+4.89 грн
100+4.16 грн
500+3.93 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
27+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
72+5.80 грн
100+4.49 грн
500+3.79 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.9Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+521.45 грн
3+435.29 грн
10+385.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 SPP15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1 BSS84PH7894XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -170mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 536W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
25+17.08 грн
27+15.50 грн
50+9.75 грн
100+7.39 грн
250+5.31 грн
500+4.40 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+389.30 грн
3+310.92 грн
10+249.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1120ELXUMA1 TLD1120EL.pdf
TLD1120ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.36A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.93 грн
10+45.60 грн
11+40.96 грн
25+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G.pdf
BTS724G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 22.5mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.81 грн
5+336.62 грн
10+290.19 грн
25+239.62 грн
50+215.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141N.pdf
ITS4141NHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
Power dissipation: 1.4W
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
10+85.40 грн
25+77.94 грн
50+75.45 грн
100+72.13 грн
250+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
Max. forward impulse current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.39 грн
45+9.37 грн
100+6.33 грн
500+4.85 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L.pdf
ITS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.85 грн
10+138.46 грн
25+123.54 грн
50+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 290A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+325.91 грн
3+276.10 грн
10+235.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.90 грн
10+44.69 грн
100+29.02 грн
500+22.47 грн
1000+20.40 грн
2000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+50.24 грн
100+33.08 грн
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.48 грн
10+170.80 грн
25+148.41 грн
100+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.29 грн
10+153.39 грн
25+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
IRS2153DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.58 грн
10+125.20 грн
50+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.29 грн
4+129.34 грн
10+97.84 грн
25+85.40 грн
50+77.11 грн
100+69.65 грн
500+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.65 грн
3+201.48 грн
10+162.51 грн
50+118.56 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.41 грн
10+136.80 грн
20+131.00 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.75 грн
10+45.35 грн
50+32.92 грн
100+28.94 грн
250+24.79 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.89 грн
19+21.89 грн
25+20.23 грн
100+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.83 грн
4+122.71 грн
10+103.64 грн
20+97.01 грн
50+88.72 грн
100+82.91 грн
500+69.65 грн
1000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.68 грн
19+22.80 грн
25+20.56 грн
100+15.84 грн
500+10.45 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
IRS2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.15 грн
10+69.65 грн
25+61.35 грн
100+55.55 грн
500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.68 грн
22+19.40 грн
27+15.75 грн
50+13.35 грн
100+11.61 грн
125+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: linear dimming
Case: SOT343
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
29+14.59 грн
33+12.77 грн
39+10.70 грн
100+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
7+68.82 грн
25+62.18 грн
100+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF irs25401pbf.pdf
IRS25401PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Case: DIP8
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Operating temperature: -25...125°C
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Voltage class: 200V
Topology: buck
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+114.42 грн
25+97.01 грн
50+85.40 грн
100+76.28 грн
500+58.87 грн
1000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.04 грн
70+5.97 грн
84+4.94 грн
100+4.68 грн
200+4.52 грн
500+4.25 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
85+4.89 грн
100+4.16 грн
500+3.93 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 167W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
27+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
72+5.80 грн
100+4.49 грн
500+3.79 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS169H6906XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.9Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.8nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
IPD30N06S2L23ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+521.45 грн
3+435.29 грн
10+385.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
SPB20N60S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP-DTE.pdf
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPP15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH7894XTMA1
BSS84PH7894XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -170mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 80A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 536W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
25+17.08 грн
27+15.50 грн
50+9.75 грн
100+7.39 грн
250+5.31 грн
500+4.40 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3G-DTE.pdf
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+389.30 грн
3+310.92 грн
10+249.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]