Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (121549) > Сторінка 2009 з 2026

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP752T ISP752T INFINEON TECHNOLOGIES ISP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N INFINEON TECHNOLOGIES BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC367DP-64F300S AA INFINEON TECHNOLOGIES Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+1972.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.70 грн
5+87.22 грн
10+82.19 грн
50+76.32 грн
100+70.45 грн
250+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27243-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 256BSRAM,16kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs6b60kdpbf.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRGS6B60KDTRLP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20E65D2XKSA1 IDP20E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDP20E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c45c5fe3eae Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 20A; Ifsm: 60A; Ufmax: 2.2V; Ir: 40uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 32ns
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.06 грн
6+74.14 грн
10+64.83 грн
40+49.90 грн
50+47.72 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+203.21 грн
10+123.28 грн
25+111.54 грн
100+94.77 грн
250+83.86 грн
500+77.16 грн
1000+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+114.06 грн
25+101.48 грн
100+85.54 грн
250+75.48 грн
500+68.77 грн
1000+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+265.53 грн
10+168.57 грн
100+133.35 грн
250+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
12+36.06 грн
13+33.71 грн
50+29.18 грн
100+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: ARM microprocessor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
429+749.62 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
145+3.13 грн
193+2.18 грн
228+1.85 грн
250+1.68 грн
271+1.55 грн
500+1.48 грн
1000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+637.63 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF HFA08TB60PBF INFINEON TECHNOLOGIES hfa08tb60pbf.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; TO220AC; Ufmax: 1.7V; 55ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 790A
Drain current: 120A
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
5+99.80 грн
10+91.41 грн
50+72.96 грн
100+67.93 грн
250+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirl1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28243-24PVXI CY8C28243-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 16
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CY8C24894-24LTXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C24794-24LTXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN56; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 49
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB 2.0
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN56
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+618.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 2.05mΩ
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 136W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.51 грн
10+71.29 грн
50+55.35 грн
100+50.32 грн
200+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF PVDZ172NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvdz172.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Switched voltage: 0...60V DC
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+722.53 грн
10+619.76 грн
25+592.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.90 грн
5+233.14 грн
10+213.02 грн
25+195.41 грн
50+186.18 грн
100+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 83nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.01 грн
5+265.01 грн
25+235.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 20.2nC
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+52.83 грн
25+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327 BSP125L6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125-Infineon.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV170E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.45 грн
44+9.56 грн
50+8.47 грн
66+6.41 грн
100+5.62 грн
500+3.97 грн
1000+3.46 грн
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500E144F1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500E144X1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.63 грн
10+124.96 грн
25+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Technology: EiceDRIVER™
Supply voltage: 10...20V
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Voltage class: 600V
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d94225445249 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.18 грн
10+132.51 грн
25+127.47 грн
50+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7311pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 S29GL128P10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB014N04LX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.18 грн
5+106.68 грн
10+94.18 грн
25+78.33 грн
50+68.27 грн
100+59.96 грн
250+51.74 грн
500+47.05 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
31+13.67 грн
36+11.91 грн
50+10.73 грн
100+9.64 грн
250+8.64 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752T ISP752T.pdf
ISP752T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N.pdf
BSP75N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSG-DTE.pdf
BSZ088N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC367DP-64F300S AA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1972.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.70 грн
5+87.22 грн
10+82.19 грн
50+76.32 грн
100+70.45 грн
250+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 250BSRAM,4kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27243-24PVXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 256BSRAM,16kBFLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF description irgs6b60kdpbf.pdf
IRGB6B60KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP IRGS6B60KDTRLP.pdf
IRGS6B60KDTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDP20E65D2XKSA1 Infineon-IDP20E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c45c5fe3eae
IDP20E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 20A; Ifsm: 60A; Ufmax: 2.2V; Ir: 40uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 32ns
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.06 грн
6+74.14 грн
10+64.83 грн
40+49.90 грн
50+47.72 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.21 грн
10+123.28 грн
25+111.54 грн
100+94.77 грн
250+83.86 грн
500+77.16 грн
1000+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.76 грн
10+114.06 грн
25+101.48 грн
100+85.54 грн
250+75.48 грн
500+68.77 грн
1000+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.53 грн
10+168.57 грн
100+133.35 грн
250+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 55V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 4A
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.35 грн
12+36.06 грн
13+33.71 грн
50+29.18 грн
100+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3314-BVXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: ARM microprocessor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
429+749.62 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
145+3.13 грн
193+2.18 грн
228+1.85 грн
250+1.68 грн
271+1.55 грн
500+1.48 грн
1000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
240+637.63 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF hfa08tb60pbf.pdf
HFA08TB60PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; TO220AC; Ufmax: 1.7V; 55ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 790A
Drain current: 120A
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.83 грн
5+99.80 грн
10+91.41 грн
50+72.96 грн
100+67.93 грн
250+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404s.pdf
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28243-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28243-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP20; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 16
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CY8C24794-24LTXI.pdf
CY8C24894-24LTXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN56; 1kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 49
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB 2.0
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN56
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+618.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 2.05mΩ
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 136W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.51 грн
10+71.29 грн
50+55.35 грн
100+50.32 грн
200+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF description pvdz172.pdf
PVDZ172NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Switched voltage: 0...60V DC
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.53 грн
10+619.76 грн
25+592.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.90 грн
5+233.14 грн
10+213.02 грн
25+195.41 грн
50+186.18 грн
100+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF IRFP4137PBF.pdf
IRFP4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 83nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.01 грн
5+265.01 грн
25+235.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CP-DTE.pdf
IPW60R165CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Gate charge: 20.2nC
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.83 грн
25+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327 BSP125-Infineon.pdf
BSP125L6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327.pdf
BAV170E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.45 грн
44+9.56 грн
50+8.47 грн
66+6.41 грн
100+5.62 грн
500+3.97 грн
1000+3.46 грн
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144F1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144X1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LFBGA-144
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Supply voltage: 3.3V DC
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 26
Number of A/D channels: 26
Number of inputs/outputs: 91
Kind of core: 32-bit
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.63 грн
10+124.96 грн
25+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Technology: EiceDRIVER™
Supply voltage: 10...20V
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Voltage class: 600V
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R280P7XKSA1 Infineon-IPA80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d94225445249
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+222.18 грн
10+132.51 грн
25+127.47 грн
50+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF irf7311pbf.pdf
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
S29GL128P10TFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1 Infineon-IPF014N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f02fcd184682
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3G-DTE.pdf
BSB014N04LX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LSG-DTE.pdf
BSC014N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LS-DTE.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI-DTE.pdf
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.18 грн
5+106.68 грн
10+94.18 грн
25+78.33 грн
50+68.27 грн
100+59.96 грн
250+51.74 грн
500+47.05 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327.pdf
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.87 грн
31+13.67 грн
36+11.91 грн
50+10.73 грн
100+9.64 грн
250+8.64 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]