Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128846) > Сторінка 2089 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT570N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ600N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2336.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Kind of package: tube
Turn-off time: 580ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 11.5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.54 грн
12+35.40 грн
25+31.83 грн
100+28.09 грн
250+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD180N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Mounting: SMD
Access time: 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 8Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx16bit
Case: TSOP44 II
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.41 грн
10+512.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Output current: 0.2A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28403-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28445-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
5+103.04 грн
10+95.56 грн
25+84.76 грн
50+77.28 грн
95+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.40 грн
10+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.95 грн
25+17.12 грн
50+11.45 грн
100+9.61 грн
500+6.66 грн
1000+5.83 грн
3000+4.86 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
27+15.95 грн
50+11.25 грн
100+9.63 грн
500+6.70 грн
1000+5.73 грн
3000+4.48 грн
6000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
70+6.58 грн
105+3.99 грн
250+3.53 грн
1000+3.17 грн
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF PVD1352NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+221.93 грн
150+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
47+8.97 грн
54+7.81 грн
100+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.33 грн
6+74.21 грн
10+61.57 грн
75+38.97 грн
150+37.14 грн
525+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM10F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+823.30 грн
3+676.41 грн
5+608.27 грн
10+494.42 грн
14+476.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4264.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.16A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.21µC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH10G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 BTS70302EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.1...28V DC
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
5+93.90 грн
10+93.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
8+56.17 грн
10+46.53 грн
25+35.48 грн
50+29.25 грн
100+24.85 грн
250+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Access time: 80ns
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...105°C
Memory: 64Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Case: FBGA48
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Collector current: 80mA
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.37 грн
97+4.32 грн
101+4.12 грн
500+3.92 грн
1000+3.79 грн
2500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
34+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500851TMBAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS50085-1TMB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa435af031147 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R110CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70041EPPXUMA1 BTS70041EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70041EPP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO14-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 15A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14-W
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Turn-off time: 220µs
On-state resistance: 8mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 210µs
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.66 грн
10+101.38 грн
25+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5090-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.71 грн
10+103.87 грн
25+92.24 грн
100+77.28 грн
250+69.80 грн
500+63.98 грн
1000+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
6+78.94 грн
25+65.65 грн
100+59.00 грн
250+54.84 грн
500+52.35 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5012SDA BTS5012SDA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5012SDA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 12mΩ
Supply voltage: 5.5...20V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.40 грн
10+126.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF BTS3035TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3035TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.12 грн
5+100.55 грн
10+93.90 грн
25+83.93 грн
100+73.12 грн
250+67.31 грн
500+62.32 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ BTS3035EJ INFINEON TECHNOLOGIES BTS3035EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.74 грн
25+75.62 грн
100+68.14 грн
250+63.15 грн
500+59.83 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR320UE6327HTSA1 BCR320UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR320UE6327.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Operating voltage: 0...25V DC
Output current: 0.25A
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Topology: single transistor
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 15115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.48 грн
32+13.21 грн
51+8.19 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
1500+3.86 грн
3000+3.56 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R031CFD7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 141nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+594.20 грн
3+508.55 грн
10+475.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Version: ESD
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+690.85 грн
2+447.06 грн
5+405.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037CSFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037CSFDXKSA1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 136nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46E6327 BCV46E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV46E6327.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
34+12.38 грн
100+9.14 грн
250+8.12 грн
1000+6.67 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1BCR112E6327HTSA1
 BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 BCV61BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV61BE6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR505E6327 BCR505E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR505.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
26+16.45 грн
29+14.62 грн
100+9.47 грн
250+7.89 грн
500+6.81 грн
1000+6.15 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
91+4.59 грн
111+3.76 грн
250+3.32 грн
500+3.04 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 BCX71KE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 10642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
95+4.72 грн
106+3.94 грн
250+3.48 грн
1000+3.02 грн
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 BCR533E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR158.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
85+5.30 грн
100+4.27 грн
250+3.77 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70HE6327 BCX70HE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX70.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.51 грн
111+3.77 грн
250+3.33 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOF.pdf
TT570N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF.pdf
TZ600N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF.pdf
TZ500N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF.pdf
TZ500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF irs2336.pdf
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Kind of package: tube
Turn-off time: 580ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Supply voltage: 11.5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.54 грн
12+35.40 грн
25+31.83 грн
100+28.09 грн
250+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Mounting: SMD
Access time: 45ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 8Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx16bit
Case: TSOP44 II
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.41 грн
10+512.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Output current: 0.2A
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI description download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28403-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28445-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG-DTE.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.70 грн
5+103.04 грн
10+95.56 грн
25+84.76 грн
50+77.28 грн
95+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.40 грн
10+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
IAUC100N04S6N022ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
IAUC100N04S6N028ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.95 грн
25+17.12 грн
50+11.45 грн
100+9.61 грн
500+6.66 грн
1000+5.83 грн
3000+4.86 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
27+15.95 грн
50+11.25 грн
100+9.63 грн
500+6.70 грн
1000+5.73 грн
3000+4.48 грн
6000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+6.58 грн
105+3.99 грн
250+3.53 грн
1000+3.17 грн
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
PVD1352NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+221.93 грн
150+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.53 грн
47+8.97 грн
54+7.81 грн
100+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.33 грн
6+74.21 грн
10+61.57 грн
75+38.97 грн
150+37.14 грн
525+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GA.pdf
IGCM10F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+823.30 грн
3+676.41 грн
5+608.27 грн
10+494.42 грн
14+476.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 TLE4264.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.16A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
IPP011N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.21µC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6.pdf
IDH10G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+341.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f
BTS70302EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.1...28V DC
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.86 грн
5+93.90 грн
10+93.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG-DTE.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.64 грн
8+56.17 грн
10+46.53 грн
25+35.48 грн
50+29.25 грн
100+24.85 грн
250+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Access time: 80ns
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...105°C
Memory: 64Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Case: FBGA48
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327-dte.pdf
BFR380L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Collector current: 80mA
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.37 грн
97+4.32 грн
101+4.12 грн
500+3.92 грн
1000+3.79 грн
2500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327-dte.pdf
BFR193L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.37 грн
34+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500851TMBAKSA1 Infineon-BTS50085-1TMB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa435af031147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
IPB65R110CFDAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFD-DTE.pdf
IPB65R110CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70041EPPXUMA1 BTS70041EPP.pdf
BTS70041EPPXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO14-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 15A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14-W
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Turn-off time: 220µs
On-state resistance: 8mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 210µs
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.66 грн
10+101.38 грн
25+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA.pdf
BTS5090-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.71 грн
10+103.87 грн
25+92.24 грн
100+77.28 грн
250+69.80 грн
500+63.98 грн
1000+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ.pdf
BTS3050EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.86 грн
6+78.94 грн
25+65.65 грн
100+59.00 грн
250+54.84 грн
500+52.35 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5012SDA BTS5012SDA.pdf
BTS5012SDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 12mΩ
Supply voltage: 5.5...20V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.40 грн
10+126.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035TF BTS3035TF.pdf
BTS3035TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.12 грн
5+100.55 грн
10+93.90 грн
25+83.93 грн
100+73.12 грн
250+67.31 грн
500+62.32 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3035EJ BTS3035EJ.pdf
BTS3035EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Technology: HITFET®
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.74 грн
25+75.62 грн
100+68.14 грн
250+63.15 грн
500+59.83 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS-DTE.pdf
BSC010N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSI-DTE.pdf
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR320UE6327HTSA1 BCR320UE6327.pdf
BCR320UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SC74
Mounting: SMD
Operating voltage: 0...25V DC
Output current: 0.25A
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Topology: single transistor
на замовлення 759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2.pdf
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 15115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.48 грн
32+13.21 грн
51+8.19 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
1500+3.86 грн
3000+3.56 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7.pdf
IPW60R031CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 141nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+594.20 грн
3+508.55 грн
10+475.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Version: ESD
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.85 грн
2+447.06 грн
5+405.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037CSFDXKSA1 IPW60R037CSFDXKSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 136nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46E6327 BCV46E6327.pdf
BCV46E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.90 грн
34+12.38 грн
100+9.14 грн
250+8.12 грн
1000+6.67 грн
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
BCR112E6327HTSA1BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1BCR112E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 BCV61BE6327-DTE.pdf
BCV61BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR505E6327 BCR505.pdf
BCR505E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.37 грн
26+16.45 грн
29+14.62 грн
100+9.47 грн
250+7.89 грн
500+6.81 грн
1000+6.15 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185.pdf
BCR185E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
91+4.59 грн
111+3.76 грн
250+3.32 грн
500+3.04 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 BCX71.pdf
BCX71KE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 10642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+4.72 грн
106+3.94 грн
250+3.48 грн
1000+3.02 грн
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a
BCR533E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158.pdf
BCR158E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+5.30 грн
100+4.27 грн
250+3.77 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70HE6327 BCX70.pdf
BCX70HE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 250MHz
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.51 грн
111+3.77 грн
250+3.33 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.