Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126523) > Сторінка 2090 з 2109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLE4274DV50ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BGS13SN8E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: RF switch; SP3T; PG-TSNP-8 Type of integrated circuit: RF switch Mounting: SMD Case: PG-TSNP-8 Operating temperature: -40...85°C Resistance: 50Ω Output configuration: SP3T |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
BGS13S4N9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1.8÷3.3VDC; 0.1÷3GHz Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 3 Mounting: SMD Case: TSNP9 Supply voltage: 1.8...3.3V DC Bandwidth: 0.1...3GHz Application: telecommunication Output configuration: SP3T |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BGSA11GN10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: RF switch; SPST; CMOS; TSNP10 Type of integrated circuit: RF switch Mounting: SMD Case: TSNP10 Operating temperature: -40...85°C Interface: CMOS Output configuration: SPST |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISP752RFUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BGSA12GN10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: RF switch; SPDT; TSNP10 Type of integrated circuit: RF switch Output configuration: SPDT Case: TSNP10 Mounting: SMD |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TLE42702DATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TLE72702DATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
SPD06N60C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 74W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.68Ω Mounting: SMD Power dissipation: 74W Gate charge: 31nC Polarisation: unipolar Drain current: 6.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SPA07N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPW24N60C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP35R12KT4B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 35A Application: Inverter Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 210W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP35R12KT4B15BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 35A Application: Inverter Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 210W Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP35R12KT4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 35A Case: AG-ECONO2B Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 210W Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP35R12KT4PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 35A Application: Inverter Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPP20N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRS21064STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFR93AWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFR340FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 20mA Power dissipation: 75mW Case: SOT723 Current gain: 90 Mounting: SMD Frequency: 14GHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFR340L3E6327XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 9V Collector current: 10mA Power dissipation: 60mW Case: SOT883 Current gain: 90 Mounting: SMD Frequency: 14GHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
CY8C29466-24SXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Clock frequency: 24MHz Mounting: SMD Case: SO28 Supply voltage: 3...5.25V DC Interface: I2C; SPI; UART Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH Kind of core: 8-bit Number of inputs/outputs: 24 Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 273W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Turn-off time: 350ns Turn-on switching energy: 1.2mJ Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 180ns Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IRF7821TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2.5W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IR2213STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPA15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCV47E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Current gain: 10k Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCV47E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF600R17ME4PBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF450R17ME4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 605A Case: AG-ECONOD-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.5kW Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ICE3BR4765JFKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IPDD60R125G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Mounting: SMD Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 120W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ G7 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-10-1 On-state resistance: 0.125Ω |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IMTA65R020M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AIMZH120R020M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 256A Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 71A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AIMZH120R010M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 17.3mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 526A Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 146A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AIMZH120R040M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AIMZH120R160M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IGL65R055D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
BTS3410GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.3A Number of channels: 2 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 On-state resistance: 0.2Ω Technology: HITFET® Power dissipation: 0.8W |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BTS5180-2EKA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14 Output current: 1.5A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Technology: PROFET™+ 12V Case: SO14 Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 2 On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Supply voltage: 8...18V DC |
на замовлення 858 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 194A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 180A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 On-state resistance: 1.6mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPF016N06NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 223A Power dissipation: 188W Case: TO263-7 On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
BTS3205NHUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-4 On-state resistance: 1.9Ω Technology: HITFET® Output voltage: 42V Power dissipation: 0.78W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TLE4274DV50ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGS13SN8E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP3T; PG-TSNP-8
Type of integrated circuit: RF switch
Mounting: SMD
Case: PG-TSNP-8
Operating temperature: -40...85°C
Resistance: 50Ω
Output configuration: SP3T
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP3T; PG-TSNP-8
Type of integrated circuit: RF switch
Mounting: SMD
Case: PG-TSNP-8
Operating temperature: -40...85°C
Resistance: 50Ω
Output configuration: SP3T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGS13S4N9E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1.8÷3.3VDC; 0.1÷3GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 3
Mounting: SMD
Case: TSNP9
Supply voltage: 1.8...3.3V DC
Bandwidth: 0.1...3GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP3T
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1.8÷3.3VDC; 0.1÷3GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 3
Mounting: SMD
Case: TSNP9
Supply voltage: 1.8...3.3V DC
Bandwidth: 0.1...3GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP3T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGSA11GN10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPST; CMOS; TSNP10
Type of integrated circuit: RF switch
Mounting: SMD
Case: TSNP10
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CMOS
Output configuration: SPST
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPST; CMOS; TSNP10
Type of integrated circuit: RF switch
Mounting: SMD
Case: TSNP10
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CMOS
Output configuration: SPST
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISP752RFUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGSA12GN10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSNP10
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSNP10
Mounting: SMD
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSNP10
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSNP10
Mounting: SMD
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7500+ | 28.36 грн |
| TLE42702DATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE72702DATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPD06N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW24N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW35N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP35R12KT4B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 210W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 210W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP35R12KT4B15BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 210W
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 210W
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP35R12KT4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; AG-ECONO2B; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP35R12KT4PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 35A; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 35A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP20N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.27 грн |
| 10+ | 231.47 грн |
| 50+ | 214.69 грн |
| IRS21064STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR93AWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR340FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 20mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT723
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 20mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT723
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR340L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 9V
Collector current: 10mA
Power dissipation: 60mW
Case: SOT883
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 9V
Collector current: 10mA
Power dissipation: 60mW
Case: SOT883
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKWH60N65WR6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP840ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP740ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP740FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C29466-24SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: SO28
Supply voltage: 3...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
Operating temperature: -40...85°C
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: SO28
Supply voltage: 3...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1620.27 грн |
| IPLU300N04S4R8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IHW50N65R6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65RH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7821TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2213STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV47E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV47E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC007N04LS6SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA80R460CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC028N06NSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF600R17ME4PBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3BR4765JFKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPDD60R125G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 307.07 грн |
| 10+ | 241.53 грн |
| FF2000XTR17IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMTA65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R020M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R010M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R160M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGL65R055D2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3410GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 0.2Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 0.8W
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 0.2Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 0.8W
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 121.02 грн |
| 5+ | 94.77 грн |
| 10+ | 85.54 грн |
| 25+ | 75.48 грн |
| 50+ | 73.80 грн |
| BTS5180-2EKA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.64 грн |
| 10+ | 58.71 грн |
| 25+ | 57.03 грн |
| IPP016N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 182.44 грн |
| 10+ | 105.67 грн |
| IPB016N06L3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.6mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPF016N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC016N06NSSCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3205NHUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













