Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128750) > Сторінка 2132 з 2146
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY8C4147AZA-S285 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY8C4147AZA-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY8C4147AZE-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY8C4147AZS-S285 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY8C4147AZS-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY62167DV30LL-55ZXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.2...3.6V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY62167DV30LL-55ZXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKY75N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247PLUS-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 335ns Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKZA75N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 109A Power dissipation: 549W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R045CPA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IR2111STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IKA15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 33.3W Case: TO220-3 Mounting: THT Collector current: 14A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 38nC Pulsed collector current: 45A Turn-off time: 160ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIGB15N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPP80R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Version: ESD |
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD Kind of package: tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.6A Power dissipation: 101W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP80R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Power dissipation: 51W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP80R1K4P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPP80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 770mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 137W Case: TO220 Gate-source voltage: -16...5V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SPP80P06P H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Unclassified Description: SPP80P06P H |
на замовлення 573 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
AIGB50N65F5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
AIGB50N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AIKW50N65RF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 109nC Pulsed collector current: 150A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 249W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 102nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274V50AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE42744GV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274GV10ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE42744DV33ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE42744EV50XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE42744GV33ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274DV33ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274GSV25HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274GSV33HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TLE4274GV50ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CYT2BL4CAAQ0AZEGST | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CYT2BL4CAAQ0AZSGS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1190 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ITS5215LCUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N60T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 45A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Technology: Field Stop; Trench Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 23ns Turn-off switching energy: 0.77mJ Turn-on switching energy: 0.69mJ Gate charge: 167nC |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
S25FL128LAGMFI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 128Mb FLASH Interface: SPI Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SO8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating frequency: 133MHz Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BAS 70-04W H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA Type of diode: Schottky switching Case: SOT323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 70mA Semiconductor structure: double Capacitance: 2pF Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.1A Leakage current: 0.1µA |
на замовлення 29580 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GATELEADL500PB34701XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.Description: Accessories: cable with crimped terminals Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB042N10N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 778 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BSS87H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 1W Case: SOT89-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 536 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRS2334STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRFS3006TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 293A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CYW89359CUBGT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules Description: IC: WIFi Network Controller Type of integrated circuit: WIFi Network Controller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1kA Gate-source voltage: ±16V |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLS3036TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BTS5210LAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD90N06S4L06ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD90N06S404ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK3 On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 150W Gate charge: 128nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD90N06S405ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD90N06S407ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-TO252-3-11 On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 79W Gate charge: 56nC Polarisation: unipolar Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD90N06S4L03ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 150W Gate charge: 170nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| CY8C4147AZA-S285 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4147AZA-S285T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4147AZE-S285T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4147AZS-S285 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4147AZS-S285T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62167DV30LL-55ZXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY62167DV30LL-55ZXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKY75N120CH3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKZA75N120CH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPW60R045CPA |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 1901.15 грн |
| 5+ | 1734.33 грн |
| 9+ | 1679.81 грн |
| 20+ | 1478.54 грн |
| IR2111STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKA15N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 33.3W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Collector current: 14A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 38nC
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 33.3W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Collector current: 14A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 38nC
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIGB15N65H5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIKB15N65DF5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIKB15N65DH5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 113.80 грн |
| 10+ | 88.06 грн |
| 15+ | 84.70 грн |
| 50+ | 77.99 грн |
| 150+ | 75.48 грн |
| IPP80R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 451.58 грн |
| IPP80R280P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP80R750P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP80R1K4P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP80R900P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 105.67 грн |
| SPP80P06P H |
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 270.05 грн |
| 30+ | 218.89 грн |
| 50+ | 212.18 грн |
| 100+ | 207.15 грн |
| 200+ | 184.50 грн |
| AIGB50N65F5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIGB50N65H5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIKW50N65RF5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Pulsed collector current: 150A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Pulsed collector current: 150A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKWH50N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274V50AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE42744GV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274GV10ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE42744DV33ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE42744EV50XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE42744GV33ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274DV33ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274GSV25HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274GSV33HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE4274GV50ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYT2BL4CAAQ0AZEGST |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYT2BL4CAAQ0AZSGS |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS5215LCUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW30N60T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 352.23 грн |
| 30+ | 286.82 грн |
| 50+ | 278.43 грн |
| 100+ | 272.56 грн |
| 200+ | 242.37 грн |
| IPW65R070C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S25FL128LAGMFI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating frequency: 133MHz
Operating temperature: -40...85°C
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating frequency: 133MHz
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.11 грн |
| 5+ | 220.56 грн |
| 25+ | 207.99 грн |
| 50+ | 200.44 грн |
| 100+ | 194.57 грн |
| BAS 70-04W H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Leakage current: 0.1µA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 29580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 425+ | 12.10 грн |
| 500+ | 10.57 грн |
| 1000+ | 10.06 грн |
| 4000+ | 9.64 грн |
| 5000+ | 9.56 грн |
| GATELEADL500PB34701XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB042N10N3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 105.67 грн |
| 100+ | 95.61 грн |
| 500+ | 86.38 грн |
| BSS87H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 44.25 грн |
| 16+ | 26.25 грн |
| 100+ | 16.61 грн |
| 200+ | 14.68 грн |
| 250+ | 14.17 грн |
| 500+ | 12.58 грн |
| IRS2334STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFS3006TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYW89359CUBGT |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMZA65R007M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.85 грн |
| 10+ | 170.25 грн |
| 25+ | 167.73 грн |
| IRLS3036TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS5210LAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N06S4L06ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N06S404ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N06S405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N06S407ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N06S4L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.













