Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128752) > Сторінка 2133 з 2146

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123N H6327 BSS123N H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
598+8.76 грн
1000+7.63 грн
4000+7.21 грн
10000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+300.75 грн
30+239.02 грн
50+230.63 грн
100+224.76 грн
200+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
43+138.18 грн
50+90.57 грн
100+84.70 грн
300+80.51 грн
500+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+113.80 грн
50+74.64 грн
100+69.61 грн
300+66.25 грн
500+59.54 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES BTS134D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.40 грн
10+140.89 грн
25+128.31 грн
100+109.86 грн
250+98.12 грн
500+88.90 грн
1000+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3 G IPP320N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+259.21 грн
30+208.82 грн
50+202.11 грн
100+197.08 грн
200+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3 G IPP200N25N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 15-04W H6327 BAT 15-04W H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
177+23.39 грн
300+18.87 грн
500+18.28 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH08G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
5+112.38 грн
10+103.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3GBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+242.05 грн
30+184.50 грн
50+176.12 грн
100+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5 IDH16G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC886LM6FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC886LM8FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC8888FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+208.63 грн
30+161.86 грн
50+155.15 грн
100+150.12 грн
300+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3 SPD04N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04N50C3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127 H6327 BSS127 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.65nC
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
226+15.44 грн
300+10.73 грн
500+9.98 грн
1000+9.39 грн
4000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4402F64F256ABXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+83.03 грн
25+63.74 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
8+55.35 грн
10+50.32 грн
50+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824523SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 AUIRFP4568 INFINEON TECHNOLOGIES auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+1357.45 грн
9+1206.82 грн
10+1200.95 грн
20+1169.92 грн
30+1044.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1 Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LS-DTE.pdf
BSC019N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSG-DTE.pdf
BSC019N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA2 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA3 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123N H6327
BSS123N H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
598+8.76 грн
1000+7.63 грн
4000+7.21 грн
10000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+300.75 грн
30+239.02 грн
50+230.63 грн
100+224.76 грн
200+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6433HTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI013 Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+138.18 грн
50+90.57 грн
100+84.70 грн
300+80.51 грн
500+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+113.80 грн
50+74.64 грн
100+69.61 грн
300+66.25 грн
500+59.54 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3XKSA1 SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D.pdf
BTS134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.40 грн
10+140.89 грн
25+128.31 грн
100+109.86 грн
250+98.12 грн
500+88.90 грн
1000+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3 G
IPP320N20N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+259.21 грн
30+208.82 грн
50+202.11 грн
100+197.08 грн
200+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3 G
IPP200N25N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 15-04W H6327
BAT 15-04W H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+23.39 грн
300+18.87 грн
500+18.28 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7 IPA60R280P7.pdf
IPA60R280P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7XKSA1 infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6.pdf
IDH08G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.31 грн
5+112.38 грн
10+103.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3GBPSA1 Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4B11BPSA1 Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+242.05 грн
30+184.50 грн
50+176.12 грн
100+169.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5
IDH16G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM6FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM8FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC8888FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+208.63 грн
30+161.86 грн
50+155.15 грн
100+150.12 грн
300+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3 description SPD04N50C3.pdf
SPD04N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127 H6327
BSS127 H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.65nC
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+15.44 грн
300+10.73 грн
500+9.98 грн
1000+9.39 грн
4000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4400-DTE.pdf
XMC4402F64F256ABXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1.pdf
BSP297H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.80 грн
10+83.03 грн
25+63.74 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
8+55.35 грн
10+50.32 грн
50+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824523SAAUMA1 Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
AUIRFP4568
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+1357.45 грн
9+1206.82 грн
10+1200.95 грн
20+1169.92 грн
30+1044.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.