Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128724) > Сторінка 2134 з 2146
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BBY5702VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: varicap Type of diode: varicap |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BBY6502VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: varicap Type of diode: varicap |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BBY6602VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape Case: SC79 Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 12V Load current: 50mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSS215P H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23-3 Power dissipation: 0.5W Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V |
на замовлення 8912 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
| BFP181E7764HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CYPD3172-24LQXQ | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP30R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 125W Technology: EconoPIM™ 2 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Max. off-state voltage: 0.6kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP50R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 60A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Case: AG-ECONO2C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FP75R06KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 95A Case: AG-ECONO3-3 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS50R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 70A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS75R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
FF300R06KE3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 940W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 0.6kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFR4615TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6W Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.3W Gate charge: 8nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.8W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.2W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.1W Gate charge: 6nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.4W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRF1405STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BFP 840ESD H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SOT343 Frequency: 80GHz Collector current: 35mA |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| BFP 840FESD H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; 35mA Mounting: SMD Type of transistor: NPN Frequency: 85GHz Collector current: 35mA |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
CY8C4014LQI-421 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH Supply voltage: 1.71...5.5V DC Mounting: SMD Case: QFN16 Interface: GPIO; I2C Number of inputs/outputs: 13 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense Clock frequency: 16MHz Kind of core: 32-bit Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF500R17KE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FD500R65KE3KNOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; 9.6kW Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 9.6kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS500R17OE4DBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS500R17OE4DPBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FZ500R65KE3NOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1500R12IE5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 1.5kA Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; 1.5kW; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 1.5kA Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 3kA Mechanical mounting: screw Power dissipation: 1.5kW Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 1.5kA Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FZ1500R33HE3S6BOSA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FZ1500R45KL3B5NPSA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
FM28V020-TG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 256kb FRAM Interface: parallel 8bit Memory organisation: 32kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Access time: 70ns Case: TSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFP4137PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 38A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSP129 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 240V; 350mA; Idm: 1.4A; 1.8W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Pulsed drain current: 1.4A Gate charge: 3.8nC Version: ESD Application: automotive industry |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPD30N06S4L23ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 36W Gate charge: 21nC Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 23mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPD30N06S215ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPD30N06S223ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IAUZ30N06S5L140ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IQE030N06NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IQE030N06NM5CGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BTS711L1XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 2.5mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSZ021N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 2.8mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
ISZ028N03LF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 128A; 83W; PG-TDSON-8 Power dissipation: 83W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar Drain current: 128A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SIDC14D120H8X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 16911 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BC858CE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BC858CWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IRS2113STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| D471N90TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| PVG612S-TPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; 500mΩ; SMT; DIP6 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control voltage: 1.2V DC Max. operating current: 25mA On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMT Case: DIP6 Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm Leads: for PCB Insulation voltage: 4kV Turn-on time: 2ms Turn-off time: 0.5ms Kind of output: MOSFET Number of poles: 1 Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| BTS462TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BBY5702VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BBY6502VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BBY6602VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS215P H6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 421+ | 12.46 грн |
| 500+ | 10.90 грн |
| 1000+ | 10.32 грн |
| 4000+ | 9.90 грн |
| BFP181E7764HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3172-24LQXQ |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP30R06KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R06KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP75R06KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 95A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 95A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS50R06KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS75R06KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF300R06KE3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFR4615TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R4K5P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.83 грн |
| 11+ | 38.75 грн |
| 13+ | 34.22 грн |
| 50+ | 31.11 грн |
| IPN80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R2K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R3K3P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPN80R600P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1405STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP 840ESD H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 22.31 грн |
| 300+ | 17.78 грн |
| 500+ | 17.19 грн |
| 1000+ | 16.77 грн |
| BFP 840FESD H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 19.96 грн |
| 300+ | 15.68 грн |
| 500+ | 15.10 грн |
| 1000+ | 14.68 грн |
| IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4014LQI-421 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF500R17KE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FD500R65KE3KNOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS500R17OE4DBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS500R17OE4DPBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FZ500R65KE3NOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1500R12IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1500R12IE5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1500R17IP5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1500R17IP5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; 1.5kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3kA
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; 1.5kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3kA
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.5kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1500R17IP5RBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FZ1500R33HE3S6BOSA |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FZ1500R45KL3B5NPSA |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FM28V020-TG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4137PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 317.01 грн |
| 5+ | 265.01 грн |
| BSP129 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 240V; 350mA; Idm: 1.4A; 1.8W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.4A
Gate charge: 3.8nC
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 240V; 350mA; Idm: 1.4A; 1.8W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.4A
Gate charge: 3.8nC
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 46.96 грн |
| 300+ | 39.50 грн |
| IPD30N06S4L23ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 36W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 23mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 36W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 23mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD30N06S215ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD30N06S223ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQE030N06NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQE030N06NM5CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS711L1XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ025N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 2.5mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 2.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ021N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ028N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISZ028N03LF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 128A; 83W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 128A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 128A; 83W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 128A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIDC14D120H8X1SA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16911 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC858CE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC858CE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC858CWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRS2113STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| D471N90TXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PVG612S-TPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; 500mΩ; SMT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 25mA
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; 500mΩ; SMT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 25mA
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 410.04 грн |
| BTS462TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.














