Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 241 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.19 грн
12+80.22 грн
100+53.72 грн
500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF IRF7317PBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 INFINEON 2327429.pdf Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.42 грн
12+75.42 грн
100+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.14 грн
32+28.64 грн
100+23.66 грн
500+18.33 грн
1000+14.71 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.57 грн
50+37.53 грн
100+24.46 грн
500+17.26 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.94 грн
50+28.91 грн
100+22.50 грн
500+16.85 грн
1500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON 2882455.pdf Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.11 грн
5+476.72 грн
10+383.34 грн
50+326.22 грн
100+273.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON 2332234.pdf Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.41 грн
10+289.95 грн
100+241.92 грн
500+208.12 грн
1000+188.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -40A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.39 грн
10+130.74 грн
100+120.07 грн
500+92.50 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF IRF5210LPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.74 грн
11+81.83 грн
100+60.66 грн
500+50.46 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.76 грн
10+280.16 грн
100+187.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ATOBO1 REFILD8150DC15ATOBO1 INFINEON 3739860.pdf Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4722.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.91 грн
21+43.31 грн
100+27.93 грн
500+19.82 грн
1000+16.47 грн
5000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.68 грн
10+109.40 грн
100+104.06 грн
500+84.24 грн
1000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 BGX50AE6327HTSA1 INFINEON bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9 Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.96 грн
37+24.19 грн
100+15.48 грн
500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 BGX50AE6327HTSA1 INFINEON bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9 Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.48 грн
500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 650V, 20.7A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+294.40 грн
10+163.65 грн
100+148.53 грн
500+119.75 грн
1000+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.01 грн
10+96.95 грн
100+88.85 грн
500+70.20 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.84 грн
15+60.66 грн
100+44.47 грн
500+36.75 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF IRFH7004TRPBF INFINEON irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2 Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+80.14 грн
14+67.77 грн
100+64.66 грн
500+58.31 грн
1000+52.83 грн
5000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF IRFH3702TRPBF INFINEON irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76 Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.97 грн
50+88.94 грн
250+63.68 грн
1000+42.70 грн
2000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.19 грн
24+37.98 грн
100+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.07 грн
23+39.22 грн
100+29.35 грн
500+22.38 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.41 грн
10+92.50 грн
100+71.86 грн
500+52.94 грн
1000+44.06 грн
5000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.66 грн
10+123.63 грн
100+98.72 грн
500+74.91 грн
1000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.86 грн
23+40.02 грн
100+31.93 грн
500+20.89 грн
1000+15.93 грн
5000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.68 грн
20+45.45 грн
100+30.95 грн
500+24.03 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+170.77 грн
10+148.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.44 грн
10+154.76 грн
100+120.96 грн
500+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.83 грн
10+253.48 грн
100+206.34 грн
500+164.35 грн
1000+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.42 грн
10+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-148 CY8CKIT-148 INFINEON Infineon-CY8CKIT-148_PSoC_4700S_Inductive_Sensing_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f009a4917c2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: INFINEON - CY8CKIT-148 - Evaluationskit, PSoC 4700S MCU, induktive Messung, MagSense-Tasten/Näherungssensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CY8CKIT-148 PSoC 4700S für induktive Messungen, Metall-Ziel, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4700S
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6300.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV20 S70GL02GS12FHIV20 INFINEON 2330422.pdf Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2250.21 грн
5+2170.16 грн
10+2090.12 грн
25+1896.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF IRFR48ZTRLPBF INFINEON 1718480.pdf Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF IRFR48ZTRLPBF INFINEON 1718480.pdf Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.17 грн
15+59.41 грн
100+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF INFINEON IRSDS18789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.66 грн
50+108.51 грн
250+72.84 грн
1000+49.14 грн
2000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF INFINEON 140374.pdf description Description: INFINEON - IRG4PH30KPBF - IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 20
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 INFINEON INFN-S-A0003271477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4386.58 грн
5+3838.70 грн
10+3180.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFINEON INFN-S-A0003271482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3749.76 грн
5+3281.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.91 грн
50+42.96 грн
100+36.20 грн
500+25.93 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON INFN-S-A0008993845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.54 грн
10+123.63 грн
50+99.61 грн
100+90.85 грн
250+82.33 грн
500+80.05 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 87177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.17 грн
50+40.38 грн
100+32.55 грн
500+28.33 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.42 грн
10+89.83 грн
100+59.86 грн
500+43.77 грн
1000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.95 грн
50+67.33 грн
100+45.00 грн
500+32.54 грн
1500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.86 грн
50+67.24 грн
100+52.48 грн
500+41.79 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -11A, TO-252AA-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.73 грн
13+71.78 грн
100+47.32 грн
500+34.27 грн
1000+28.82 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.08 грн
14+67.24 грн
100+49.72 грн
500+40.88 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.38 грн
50+48.03 грн
100+41.27 грн
500+35.02 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON 690338.pdf Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.52 грн
100+50.87 грн
500+43.36 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.06 грн
50+79.25 грн
100+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF INFINEON 708122.pdf Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.41 грн
10+95.17 грн
100+74.27 грн
500+56.74 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF description IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7314TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.19 грн
12+80.22 грн
100+53.72 грн
500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 2327429.pdf
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.42 грн
12+75.42 грн
100+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR802NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.14 грн
32+28.64 грн
100+23.66 грн
500+18.33 грн
1000+14.71 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
BSR92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.57 грн
50+37.53 грн
100+24.46 грн
500+17.26 грн
1500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.94 грн
50+28.91 грн
100+22.50 грн
500+16.85 грн
1500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 2882455.pdf
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.11 грн
5+476.72 грн
10+383.34 грн
50+326.22 грн
100+273.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 2332234.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.41 грн
10+289.95 грн
100+241.92 грн
500+208.12 грн
1000+188.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -40A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.39 грн
10+130.74 грн
100+120.07 грн
500+92.50 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF 138199.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.74 грн
11+81.83 грн
100+60.66 грн
500+50.46 грн
1000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3043AKSA2 INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS244ZE3043AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.76 грн
10+280.16 грн
100+187.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ATOBO1 3739860.pdf
REFILD8150DC15ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4722.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 2333741.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.91 грн
21+43.31 грн
100+27.93 грн
500+19.82 грн
1000+16.47 грн
5000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF 3733817.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.68 грн
10+109.40 грн
100+104.06 грн
500+84.24 грн
1000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9
BGX50AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.96 грн
37+24.19 грн
100+15.48 грн
500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9
BGX50AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.48 грн
500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 650V, 20.7A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+294.40 грн
10+163.65 грн
100+148.53 грн
500+119.75 грн
1000+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.01 грн
10+96.95 грн
100+88.85 грн
500+70.20 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.84 грн
15+60.66 грн
100+44.47 грн
500+36.75 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2
IRFH7004TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+80.14 грн
14+67.77 грн
100+64.66 грн
500+58.31 грн
1000+52.83 грн
5000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76
IRFH3702TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.97 грн
50+88.94 грн
250+63.68 грн
1000+42.70 грн
2000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH7914TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.19 грн
24+37.98 грн
100+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8334TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.07 грн
23+39.22 грн
100+29.35 грн
500+22.38 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF INFN-S-A0012813548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7446TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.41 грн
10+92.50 грн
100+71.86 грн
500+52.94 грн
1000+44.06 грн
5000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5215TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.66 грн
10+123.63 грн
100+98.72 грн
500+74.91 грн
1000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF INFN-S-A0012838208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHS9301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.86 грн
23+40.02 грн
100+31.93 грн
500+20.89 грн
1000+15.93 грн
5000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8325TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.68 грн
20+45.45 грн
100+30.95 грн
500+24.03 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8202TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+170.77 грн
10+148.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF INFN-S-A0012813678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5406TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.44 грн
10+154.76 грн
100+120.96 грн
500+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5025TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+282.83 грн
10+253.48 грн
100+206.34 грн
500+164.35 грн
1000+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5110TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.42 грн
10+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-148 Infineon-CY8CKIT-148_PSoC_4700S_Inductive_Sensing_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f009a4917c2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
CY8CKIT-148
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-148 - Evaluationskit, PSoC 4700S MCU, induktive Messung, MagSense-Tasten/Näherungssensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CY8CKIT-148 PSoC 4700S für induktive Messungen, Metall-Ziel, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4700S
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6300.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV20 2330422.pdf
S70GL02GS12FHIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2250.21 грн
5+2170.16 грн
10+2090.12 грн
25+1896.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF 1718480.pdf
IRFR48ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF 1718480.pdf
IRFR48ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.17 грн
15+59.41 грн
100+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF IRSDS18789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7240TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.66 грн
50+108.51 грн
250+72.84 грн
1000+49.14 грн
2000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH30KPBF description 140374.pdf
IRG4PH30KPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH30KPBF - IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 20
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 INFN-S-A0003271477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4386.58 грн
5+3838.70 грн
10+3180.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFN-S-A0003271482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3749.76 грн
5+3281.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+73.91 грн
50+42.96 грн
100+36.20 грн
500+25.93 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF INFN-S-A0008993845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.54 грн
10+123.63 грн
50+99.61 грн
100+90.85 грн
250+82.33 грн
500+80.05 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 87177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.17 грн
50+40.38 грн
100+32.55 грн
500+28.33 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.42 грн
10+89.83 грн
100+59.86 грн
500+43.77 грн
1000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.95 грн
50+67.33 грн
100+45.00 грн
500+32.54 грн
1500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.86 грн
50+67.24 грн
100+52.48 грн
500+41.79 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -11A, TO-252AA-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.73 грн
13+71.78 грн
100+47.32 грн
500+34.27 грн
1000+28.82 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.08 грн
14+67.24 грн
100+49.72 грн
500+40.88 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF INFN-S-A0012837990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7446TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.38 грн
50+48.03 грн
100+41.27 грн
500+35.02 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF 690338.pdf
IRFR9120NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.52 грн
100+50.87 грн
500+43.36 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2407TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.06 грн
50+79.25 грн
100+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBF 708122.pdf
IRFR5410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.41 грн
10+95.17 грн
100+74.27 грн
500+56.74 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]