Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 241 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 INFINEON Infineon-Quick-start-guide_KIT_DRIVER_2EDN7524G-ATI-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016513ddffd91490 Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDN7524G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2183.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21084PBF. IRS21084PBF. INFINEON INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21084PBF. - GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+133.42 грн
1000+118.78 грн
2500+96.40 грн
5000+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 INFINEON Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060 Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3938.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.77 грн
50+88.66 грн
100+60.94 грн
500+46.52 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.96 грн
50+62.75 грн
100+48.46 грн
500+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.13 грн
10+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.23 грн
50+76.78 грн
250+52.51 грн
1000+34.05 грн
2000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.09 грн
12+77.64 грн
100+51.99 грн
500+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF IRF7317PBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 INFINEON 2327429.pdf Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.61 грн
12+72.99 грн
100+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.75 грн
32+27.72 грн
100+22.90 грн
500+17.74 грн
1000+14.24 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.62 грн
50+36.32 грн
100+23.67 грн
500+16.70 грн
1500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.39 грн
50+27.97 грн
100+21.78 грн
500+16.31 грн
1500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON IGW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d460a7a0098 Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.21 грн
5+617.16 грн
10+604.25 грн
50+411.63 грн
100+319.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON 2332234.pdf Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.19 грн
10+280.61 грн
100+234.13 грн
500+201.42 грн
1000+182.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.81 грн
10+134.28 грн
100+123.95 грн
500+92.72 грн
1000+78.21 грн
5000+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF IRF5210LPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.12 грн
50+35.46 грн
250+24.88 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.85 грн
12+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 INFINEON INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.81 грн
10+271.14 грн
100+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ATOBO1 REFILD8150DC15ATOBO1 INFINEON 3739860.pdf Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4570.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.66 грн
21+41.92 грн
100+27.03 грн
500+19.18 грн
1000+15.94 грн
5000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.24 грн
10+93.82 грн
100+90.38 грн
500+83.12 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 BGX50AE6327HTSA1 INFINEON bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9 Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.70 грн
37+23.41 грн
100+14.98 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 BGX50AE6327HTSA1 INFINEON bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9 Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.91 грн
10+158.38 грн
100+143.75 грн
500+115.89 грн
1000+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.28 грн
10+93.82 грн
100+85.99 грн
500+67.94 грн
1000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.18 грн
15+58.70 грн
100+43.04 грн
500+35.57 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRFH5302DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF IRFH7004TRPBF INFINEON irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2 Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.55 грн
14+65.59 грн
100+62.58 грн
500+56.43 грн
1000+51.13 грн
5000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF IRFH3702TRPBF INFINEON irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76 Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.05 грн
50+101.57 грн
250+70.24 грн
1000+45.96 грн
2000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.47 грн
24+36.75 грн
100+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.46 грн
23+37.96 грн
100+28.40 грн
500+21.66 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.11 грн
10+89.52 грн
100+69.55 грн
500+51.23 грн
1000+42.64 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.13 грн
10+119.65 грн
100+95.54 грн
500+72.49 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.06 грн
23+38.73 грн
100+30.90 грн
500+20.22 грн
1000+15.42 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.63 грн
20+43.98 грн
100+29.95 грн
500+23.26 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.27 грн
10+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.85 грн
10+149.77 грн
100+117.06 грн
500+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.72 грн
10+245.32 грн
100+199.70 грн
500+159.06 грн
1000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.86 грн
10+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-148 CY8CKIT-148 INFINEON Infineon-CY8CKIT-148_PSoC_4700S_Inductive_Sensing_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f009a4917c2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: INFINEON - CY8CKIT-148 - Evaluationskit, PSoC 4700S MCU, induktive Messung, MagSense-Tasten/Näherungssensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CY8CKIT-148 PSoC 4700S für induktive Messungen, Metall-Ziel, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4700S
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6097.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV20 S70GL02GS12FHIV20 INFINEON 2330422.pdf Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2177.71 грн
5+2100.24 грн
10+2022.78 грн
25+1835.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF IRFR48ZTRLPBF INFINEON 1718480.pdf Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF IRFR48ZTRLPBF INFINEON 1718480.pdf Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.85 грн
15+57.50 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF INFINEON IRSDS18789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.13 грн
50+105.01 грн
250+70.50 грн
1000+47.56 грн
2000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF INFINEON 140374.pdf description Description: INFINEON - IRG4PH30KPBF - IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 20
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 INFINEON INFN-S-A0003271477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4245.25 грн
5+3715.02 грн
10+3078.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFINEON INFN-S-A0003271482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3628.95 грн
5+3175.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.53 грн
50+41.57 грн
100+35.03 грн
500+25.10 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF INFINEON 107914.pdf Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON INFN-S-A0008993845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.24 грн
10+119.65 грн
50+96.40 грн
100+87.92 грн
250+79.68 грн
500+77.47 грн
1000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.42 грн
50+39.08 грн
100+31.50 грн
500+27.42 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.00 грн
10+88.66 грн
100+58.62 грн
500+41.96 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.99 грн
50+62.15 грн
100+43.73 грн
500+31.73 грн
1500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 Infineon-Quick-start-guide_KIT_DRIVER_2EDN7524G-ATI-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016513ddffd91490
KITDRIVER2EDN7524GTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDN7524GTOBO1 - Evaluationsboard, EiceDRIVER 2EDF7524G Gate-Treiber, zwei Kanäle, nicht isoliert
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDN7524G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDN7524G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2183.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21084PBF. INFN-S-A0008963375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21084PBF.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21084PBF. - GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Half Bridge
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Inverting, Non-Inverting
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
directShipCharge: 25
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+133.42 грн
1000+118.78 грн
2500+96.40 грн
5000+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060
KITDRIVER2EDS8265HTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDRIVER2EDS8265HTOBO1 - Evaluationskit, 2EDS8265H, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit 2EDS8265H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3938.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.77 грн
50+88.66 грн
100+60.94 грн
500+46.52 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.96 грн
50+62.75 грн
100+48.46 грн
500+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.13 грн
10+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.23 грн
50+76.78 грн
250+52.51 грн
1000+34.05 грн
2000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF description IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7314TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.09 грн
12+77.64 грн
100+51.99 грн
500+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317PBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317PBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 2327429.pdf
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.61 грн
12+72.99 грн
100+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 INFNS19161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 INFNS16749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR802NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.75 грн
32+27.72 грн
100+22.90 грн
500+17.74 грн
1000+14.24 грн
5000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
BSR92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.62 грн
50+36.32 грн
100+23.67 грн
500+16.70 грн
1500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.39 грн
50+27.97 грн
100+21.78 грн
500+16.31 грн
1500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3_Rev1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043353cc43601353d460a7a0098
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+629.21 грн
5+617.16 грн
10+604.25 грн
50+411.63 грн
100+319.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 2332234.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+487.19 грн
10+280.61 грн
100+234.13 грн
500+201.42 грн
1000+182.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.81 грн
10+134.28 грн
100+123.95 грн
500+92.72 грн
1000+78.21 грн
5000+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.12 грн
50+35.46 грн
250+24.88 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF 138199.pdf
IRF7853TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.85 грн
12+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTS244ZE3043AKSA2 INFNS27930-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS244ZE3043AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS244ZE3043AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.81 грн
10+271.14 грн
100+181.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ATOBO1 3739860.pdf
REFILD8150DC15ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ATOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4570.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 2333741.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1503WE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOD-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.66 грн
21+41.92 грн
100+27.03 грн
500+19.18 грн
1000+15.94 грн
5000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF 3733817.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.24 грн
10+93.82 грн
100+90.38 грн
500+83.12 грн
1000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9
BGX50AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.70 грн
37+23.41 грн
100+14.98 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327HTSA1 bgx50aseries.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141cc1c4cd04e8&fileId=db3a30431400ef6801141cc423c404e9
BGX50AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGX50AE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 50 V, 140 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 1.3 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BGX50
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.98 грн
500+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+284.91 грн
10+158.38 грн
100+143.75 грн
500+115.89 грн
1000+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.28 грн
10+93.82 грн
100+85.99 грн
500+67.94 грн
1000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF INFN-S-A0012003904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.18 грн
15+58.70 грн
100+43.04 грн
500+35.57 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302DTRPBF IRSD-S-A0000576447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5302DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2
IRFH7004TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.55 грн
14+65.59 грн
100+62.58 грн
500+56.43 грн
1000+51.13 грн
5000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76
IRFH3702TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRSD-S-A0001046374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.05 грн
50+101.57 грн
250+70.24 грн
1000+45.96 грн
2000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH7914TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.47 грн
24+36.75 грн
100+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBF INFN-S-A0012813636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8334TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.46 грн
23+37.96 грн
100+28.40 грн
500+21.66 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF INFN-S-A0012813548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7446TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.11 грн
10+89.52 грн
100+69.55 грн
500+51.23 грн
1000+42.64 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF INFN-S-A0012813797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5215TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.13 грн
10+119.65 грн
100+95.54 грн
500+72.49 грн
1000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF INFN-S-A0012838208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFHS9301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.06 грн
23+38.73 грн
100+30.90 грн
500+20.22 грн
1000+15.42 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBF INFN-S-A0012813168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8325TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.63 грн
20+43.98 грн
100+29.95 грн
500+23.26 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8202TRPBF INFN-S-A0011842161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8202TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 47
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.27 грн
10+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF INFN-S-A0012813678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5406TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.85 грн
10+149.77 грн
100+117.06 грн
500+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5025TRPBF INFN-S-A0012813145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5025TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.72 грн
10+245.32 грн
100+199.70 грн
500+159.06 грн
1000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5110TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.86 грн
10+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-148 Infineon-CY8CKIT-148_PSoC_4700S_Inductive_Sensing_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f009a4917c2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
CY8CKIT-148
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-148 - Evaluationskit, PSoC 4700S MCU, induktive Messung, MagSense-Tasten/Näherungssensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CY8CKIT-148 PSoC 4700S für induktive Messungen, Metall-Ziel, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PSoC 4700S
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6097.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV20 2330422.pdf
S70GL02GS12FHIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2177.71 грн
5+2100.24 грн
10+2022.78 грн
25+1835.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF 1718480.pdf
IRFR48ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBF 1718480.pdf
IRFR48ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.85 грн
15+57.50 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7240TRPBF IRSDS18789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7240TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7240TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.5 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.13 грн
50+105.01 грн
250+70.50 грн
1000+47.56 грн
2000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH30KPBF description 140374.pdf
IRG4PH30KPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH30KPBF - IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 20
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 INFN-S-A0003271477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4245.25 грн
5+3715.02 грн
10+3078.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 INFN-S-A0003271482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3628.95 грн
5+3175.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.53 грн
50+41.57 грн
100+35.03 грн
500+25.10 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRLPBF 107914.pdf
IRLR024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF INFN-S-A0008993845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.24 грн
10+119.65 грн
50+96.40 грн
100+87.92 грн
250+79.68 грн
500+77.47 грн
1000+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.42 грн
50+39.08 грн
100+31.50 грн
500+27.42 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.00 грн
10+88.66 грн
100+58.62 грн
500+41.96 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.99 грн
50+62.15 грн
100+43.73 грн
500+31.73 грн
1500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]