Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SPW32N50C3 | Infineon |
N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon |
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AUIR3313S | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGP30N60H3 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW30N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW50N60H3FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW60T120FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKD04N60R | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKD06N60RF | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKP20N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon |
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW25N120H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW50N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW50N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IKW75N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IM393M6FXKLA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRG4BH20K-L | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAT 68 E6327 | Infineon |
0,13A; 8V package: tape/reel; BAT68 diode Schottky DS BAT68 кількість в упаковці: 2250 шт |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DPS422XTSA1 | Infineon |
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DPS422XTSA1 | Infineon |
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFB3207PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3207ZPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3407ZPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3077PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3206PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3607PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3806PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFB3306PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3307ZPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB3006PBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 375.51 грн |
SPW32N50C3 |
Виробник: Infineon
N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3
кількість в упаковці: 2 шт
N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 563.83 грн |
SPW47N60C3 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 851.69 грн |
AUIR3313S |
![]() |
Виробник: Infineon
Power Switch Hi Side 7A AUIR3313STRL(800pcs/reel) ; AUIR3313S(50pcs/Tube) AUIR3313STRR AUIR3313S INTERNATIONAL RECTIFIER UIAUIR3313s
кількість в упаковці: 10 шт
Power Switch Hi Side 7A AUIR3313STRL(800pcs/reel) ; AUIR3313S(50pcs/Tube) AUIR3313STRR AUIR3313S INTERNATIONAL RECTIFIER UIAUIR3313s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 464.47 грн |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 53.08 грн |
IGD06N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.21 грн |
IGP30N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 135.81 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 179.07 грн |
IGW25N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 262.37 грн |
IGW30N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 150.92 грн |
IGW40N60H3FKSA1 |
![]() |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 178.88 грн |
IGW40N65F5FKSA1 |
![]() |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 177.17 грн |
IGW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.41 грн |
IGW50N65F5FKSA1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 302.41 грн |
IGW60T120FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 384.76 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 292.59 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 292.59 грн |
IHW15N120R3 |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 101.24 грн |
IHW30N160R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 195.88 грн |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 71.21 грн |
IKD04N60R |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.20 грн |
IKD06N60RF |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 40.23 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 94.25 грн |
IKP20N60T |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 117.49 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 226.28 грн |
IKW15N120T2 |
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 221.75 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 175.47 грн |
IKW25N120H3 |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 233.84 грн |
IKW25N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 292.59 грн |
IKW25T120FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 249.33 грн |
IKW30N60H3 |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 124.48 грн |
IKW30N60H3 |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 124.48 грн |
IKW30N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 258.59 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.03 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 304.30 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 443.12 грн |
IKW40N65H5 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 226.66 грн |
IKW40T120FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 411.02 грн |
IKW50N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 154.70 грн |
IKW50N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 154.70 грн |
IKW50N60T |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 291.64 грн |
IKW50N60T |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 291.64 грн |
IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 261.60 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 302.03 грн |
IKW75N60T | ![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 302.03 грн |
IM393M6FXKLA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
IPM IGBT 600V 10A 22-Pin SIP IM393M6FXKLA1 IM393M6F TIM393M6F
кількість в упаковці: 2 шт
IPM IGBT 600V 10A 22-Pin SIP IM393M6FXKLA1 IM393M6F TIM393M6F
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 520.38 грн |
IRG4BH20K-L |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L
кількість в упаковці: 1 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 559.10 грн |
BAT 68 E6327 |
Виробник: Infineon
0,13A; 8V package: tape/reel; BAT68 diode Schottky DS BAT68
кількість в упаковці: 2250 шт
0,13A; 8V package: tape/reel; BAT68 diode Schottky DS BAT68
кількість в упаковці: 2250 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2250+ | 1.54 грн |
DPS422XTSA1 |
Виробник: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 155.26 грн |
DPS422XTSA1 |
Виробник: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 155.26 грн |
IRFB3207PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 218.40 грн |
10+ | 164.01 грн |
100+ | 130.54 грн |
IRFB3207ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 241.83 грн |
10+ | 194.97 грн |
100+ | 107.94 грн |
IRFB3407ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 199.15 грн |
10+ | 146.44 грн |
100+ | 118.82 грн |
500+ | 101.79 грн |
1000+ | 93.24 грн |
IRFB3077PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 341.41 грн |
10+ | 280.32 грн |
IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 159.83 грн |
10+ | 133.89 грн |
100+ | 107.11 грн |
500+ | 80.03 грн |
1000+ | 68.21 грн |
5000+ | 64.19 грн |
IRFB3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 126.35 грн |
14+ | 62.84 грн |
100+ | 56.48 грн |
500+ | 42.04 грн |
1000+ | 35.50 грн |
IRFB3806PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 169.87 грн |
10+ | 138.07 грн |
100+ | 77.07 грн |
500+ | 64.96 грн |
1000+ | 55.51 грн |
IRFB3307ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 226.77 грн |
10+ | 119.66 грн |
100+ | 108.78 грн |
500+ | 81.59 грн |
IRFB3006PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 264.42 грн |
10+ | 164.01 грн |
100+ | 125.52 грн |
500+ | 111.11 грн |