Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 237 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 Infineon IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008 IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 Infineon Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778 IGBT 650V 74A 255W   IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+185.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+298.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+316.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60T120FKSA1 Infineon IGW60T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428250e3d74 IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+401.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+116.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R3 Infineon INFN-S-A0004848099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1 IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+177.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5 TIHW30n135r5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 Infineon infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+203.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R Infineon IK%28D%2CU%2904N60R.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RF Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+122.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+224.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+224.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+183.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 Infineon IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31 1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+260.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+270.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+297.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+318.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+463.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+216.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 Infineon IKW40T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35 IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+429.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+161.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+280.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+280.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+273.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+290.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+315.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FXKLA1 Infineon Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da IPM IGBT 600V 10A 22-Pin SIP IM393M6FXKLA1 IM393M6F TIM393M6F
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+543.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BH20K-L Infineon irg4bh20k-l.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW   IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+568.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 68 E6327 Infineon 0,13A; 8V package: tape/reel; BAT68 diode Schottky DS BAT68
кількість в упаковці: 2250 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2250+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 2250
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1 Infineon Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge  24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+162.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1 Infineon Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge  24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+162.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.61 грн
10+158.38 грн
100+137.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+276.30 грн
10+99.85 грн
100+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF INFINEON IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.38 грн
10+171.29 грн
100+145.47 грн
500+104.70 грн
1000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.90 грн
10+228.96 грн
100+197.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.32 грн
10+117.92 грн
100+111.90 грн
500+84.72 грн
1000+71.49 грн
5000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON INFN-S-A0012838827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.67 грн
10+89.52 грн
100+53.45 грн
500+39.16 грн
1000+33.05 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON INFN-S-A0012838045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.54 грн
10+118.78 грн
100+73.34 грн
500+59.71 грн
1000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.42 грн
10+151.49 грн
100+100.71 грн
500+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.06 грн
10+131.70 грн
100+128.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.20 грн
10+222.94 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON 1572412.pdf Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF INFINEON 490736.pdf Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF INFINEON 140041.pdf description Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 CY4500 INFINEON Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY4500 - Evaluationsboard, CY4500 EZ-PD™, Protokollanalysator, Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 INFINEON Infineon-IFX007T-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166433484070b75 Description: INFINEON - BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 - Evaluationsboard, (BL)DC-Motorsteuerungs-Shield, Halbbrücke IFX007T, Arduino Uno
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFX007T
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IFX007T
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3331.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.47 грн
17+51.82 грн
100+50.78 грн
500+46.12 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008
Виробник: Infineon
IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778
Виробник: Infineon
IGBT 650V 74A 255W   IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+185.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Виробник: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+316.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60T120FKSA1 IGW60T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428250e3d74
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+116.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R3 INFN-S-A0004848099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1 IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5 TIHW30n135r5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+203.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e
Виробник: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R IK%28D%2CU%2904N60R.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RF
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+122.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+224.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+224.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+305.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31
Виробник: Infineon
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+270.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+318.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+463.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40T120FKSA1 IKW40T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35
Виробник: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+161.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+290.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+315.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FXKLA1 Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da
Виробник: Infineon
IPM IGBT 600V 10A 22-Pin SIP IM393M6FXKLA1 IM393M6F TIM393M6F
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+543.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BH20K-L irg4bh20k-l.pdf
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW   IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 68 E6327
Виробник: Infineon
0,13A; 8V package: tape/reel; BAT68 diode Schottky DS BAT68
кількість в упаковці: 2250 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2250+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 2250
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1
Виробник: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge  24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+162.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DPS422XTSA1
Виробник: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge  24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+162.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.61 грн
10+158.38 грн
100+137.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.30 грн
10+99.85 грн
100+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3407ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.38 грн
10+171.29 грн
100+145.47 грн
500+104.70 грн
1000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.90 грн
10+228.96 грн
100+197.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.32 грн
10+117.92 грн
100+111.90 грн
500+84.72 грн
1000+71.49 грн
5000+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF INFN-S-A0012838827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.67 грн
10+89.52 грн
100+53.45 грн
500+39.16 грн
1000+33.05 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF INFN-S-A0012838045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.54 грн
10+118.78 грн
100+73.34 грн
500+59.71 грн
1000+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.42 грн
10+151.49 грн
100+100.71 грн
500+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.06 грн
10+131.70 грн
100+128.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.20 грн
10+222.94 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF 1572412.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBF 490736.pdf
IRFB31N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB33N15DPBF description 140041.pdf
IRFB33N15DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY4500
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY4500 - Evaluationsboard, CY4500 EZ-PD™, Protokollanalysator, Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 Infineon-IFX007T-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166433484070b75
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 - Evaluationsboard, (BL)DC-Motorsteuerungs-Shield, Halbbrücke IFX007T, Arduino Uno
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFX007T
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard IFX007T
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino Uno-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3331.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.47 грн
17+51.82 грн
100+50.78 грн
500+46.12 грн
1000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]