Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24632) > Сторінка 245 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFP520FH6327XTSA1 BFP520FH6327XTSA1 INFINEON 2354687.pdf Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.17 грн
26+32.07 грн
100+24.01 грн
500+17.56 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 BFP520H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.05 грн
500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 BFP520FH6327XTSA1 INFINEON 2354687.pdf Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 120
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TSFP
Dauer-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.01 грн
500+17.56 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 INFINEON INFNS28377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 480
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12964.33 грн
5+12705.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.82 грн
10+178.44 грн
100+135.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N120R2FKSA1 INFINEON 611689.pdf Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+194.06 грн
100+164.46 грн
500+138.20 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7XKSA1 INFINEON 2718749.pdf Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.50 грн
10+193.24 грн
100+175.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.18 грн
500+7.64 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0002955528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIRINDICATOR2GOTOBO1 DIRINDICATOR2GOTOBO1 INFINEON 3626605.pdf Description: INFINEON - DIRINDICATOR2GOTOBO1 - Richtungsanzeiger, HMI, 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Richtungsanzeiger
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2202.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON 140831.pdf Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF IRFR7440TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
10+109.37 грн
100+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF IRFR7740TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.75 грн
10+123.34 грн
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF IRFR7740TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2292FXI CY2292FXI INFINEON CYPR-S-A0011122928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY2292FXI - PLL-Taktgenerator, 76.923kHz bis 80MHz, 6 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1557.43 грн
10+1364.19 грн
25+1167.66 грн
50+997.21 грн
100+903.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 INFINEON 2211561.pdf Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6168.87 грн
5+5512.68 грн
10+4855.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 INFINEON 3437282.pdf Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 36A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.99 грн
10+223.66 грн
100+185.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.95 грн
10+268.07 грн
100+208.86 грн
500+187.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.04 грн
500+27.95 грн
1000+21.50 грн
5000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 IPP60R060P7XKSA1 INFINEON 2718789.pdf Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.94 грн
10+201.46 грн
100+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 IGP30N65H5XKSA1 INFINEON 2354572.pdf Description: INFINEON - IGP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920719B2Q40EVB-01 CYW920719B2Q40EVB-01 INFINEON Infineon-CYW920719B2Q40EVB-01_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f026db619bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CYW920719B2Q40EVB-01 - EVAL.KIT, BLUETOOTH LOW ENERGY, SOC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-System-on-Chip
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW20719, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW20719
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3030.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW954907AEVAL1F CYW954907AEVAL1F INFINEON download Description: INFINEON - CYW954907AEVAL1F - Entwicklungsboard, CYW54907 Wireless-MCU, Arduino-kompatibel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW54907
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW954907AEVAL1F, USB-Kabel Standard-A auf Micro-B, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-R4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43439KUBGT CYW43439KUBGT INFINEON INFN-S-A0018718802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYW43439KUBGT - HF-Transceiver, 0.5V bis 3.9V, 15dBm, 2.4GHz bis 2.5GHz, WLBGA
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 15dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: PCM, SDIO, SPI, UART
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
Modulanwendungsbereiche: Handgeräte, Heimautomation, IoT-Hub, Wearables
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
HF-Frequenz: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.72 грн
10+303.43 грн
25+286.16 грн
50+244.34 грн
100+209.33 грн
500+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380E6XKSA1 IPA65R380E6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.04 грн
10+117.59 грн
100+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 S25FL064LABNFV040 INFINEON 2309630.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.55 грн
10+123.34 грн
50+112.65 грн
100+102.32 грн
250+87.40 грн
500+85.28 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.12 грн
500+98.50 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.37 грн
10+254.09 грн
50+220.38 грн
100+172.56 грн
250+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBF IRFS3107PBF INFINEON 2043117.pdf Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 INFINEON Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.65 грн
25+33.14 грн
100+25.90 грн
500+21.30 грн
1000+18.96 грн
2500+17.34 грн
5000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.50 грн
50+117.59 грн
100+104.43 грн
500+80.17 грн
1500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614H6327XTSA1 INFINEON BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.43 грн
500+80.17 грн
1500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1 IPP65R041CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R041CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730951a7f844ee Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.08 грн
5+537.78 грн
10+422.66 грн
50+355.82 грн
100+291.09 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 INFINEON INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.02 грн
10+178.44 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1 IPP65R060CFD7XKSA1 INFINEON 3159574.pdf Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.38 грн
10+281.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 INFINEON INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.98 грн
10+439.93 грн
100+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334 Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.98 грн
10+307.54 грн
100+253.27 грн
500+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1 IPP65R155CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+147.19 грн
100+129.92 грн
500+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.89 грн
10+330.56 грн
100+302.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 INFINEON DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.77 грн
5+550.12 грн
10+399.64 грн
50+341.31 грн
100+310.83 грн
250+304.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.93 грн
10+305.07 грн
100+246.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1 IPP65R150CFDXKSA1 INFINEON INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFDXKSA1 INFINEON INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.66 грн
10+136.50 грн
100+97.85 грн
500+79.41 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1 IPP65R150CFDAAKSA1 INFINEON 2820334.pdf Description: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.58 грн
10+173.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0 Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.77 грн
10+316.58 грн
100+205.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.10 грн
10+270.54 грн
100+229.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6XKSA1 IPP65R074C6XKSA1 INFINEON 1932555.pdf Description: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON 2354554.pdf Description: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 INFINEON 2255525.pdf Description: INFINEON - F4100R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 130
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 660
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Viererpack
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 130
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 FS75R17KE3BOSA1 INFINEON Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40 Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 465W
Verlustleistung: 465W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 130A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7996.83 грн
5+7309.39 грн
10+6621.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 8600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
10+91.27 грн
100+81.65 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6740XTSA1 BFP405H6740XTSA1 INFINEON INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 75
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.82 грн
500+18.86 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.08 грн
500+23.59 грн
1000+19.95 грн
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 BFP410H6327XTSA1 INFINEON INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 2354687.pdf
BFP520FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+37.17 грн
26+32.07 грн
100+24.01 грн
500+17.56 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520H6327XTSA1 INFN-S-A0009651746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP520H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.05 грн
500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327XTSA1 2354687.pdf
BFP520FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 120
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TSFP
Dauer-Kollektorstrom: 50
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+24.01 грн
500+17.56 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3HOSA1 INFNS28377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF300R12KT3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 480
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12964.33 грн
5+12705.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 INFN-S-A0002490563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+273.82 грн
10+178.44 грн
100+135.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120R2FKSA1 611689.pdf
IHW25N120R2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4110GPBF INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI4110GPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+235.18 грн
10+194.06 грн
100+164.46 грн
500+138.20 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 2718749.pdf
IPA60R080P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+372.50 грн
10+193.24 грн
100+175.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.18 грн
500+7.64 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 INFN-S-A0002955528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP083N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIRINDICATOR2GOTOBO1 3626605.pdf
DIRINDICATOR2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DIRINDICATOR2GOTOBO1 - Richtungsanzeiger, HMI, 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Richtungsanzeiger
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2202.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF 140831.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRPBF INFN-S-A0012837645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7440TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
10+109.37 грн
100+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7746TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7740TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+167.75 грн
10+123.34 грн
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7740TRPBF INFN-S-A0012813694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7740TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBF INFN-S-A0012813656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7746TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2292FXI CYPR-S-A0011122928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY2292FXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2292FXI - PLL-Taktgenerator, 76.923kHz bis 80MHz, 6 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1557.43 грн
10+1364.19 грн
25+1167.66 грн
50+997.21 грн
100+903.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 2211561.pdf
FP25R12KE3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6168.87 грн
5+5512.68 грн
10+4855.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 3437282.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 36A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+397.99 грн
10+223.66 грн
100+185.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+388.95 грн
10+268.07 грн
100+208.86 грн
500+187.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 INFNS19473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.04 грн
500+27.95 грн
1000+21.50 грн
5000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7XKSA1 2718789.pdf
IPP60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.94 грн
10+201.46 грн
100+196.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF INFN-S-A0012838040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 2354572.pdf
IGP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920719B2Q40EVB-01 Infineon-CYW920719B2Q40EVB-01_Evaluation_Kit_Quick_Start_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f026db619bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYW920719B2Q40EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920719B2Q40EVB-01 - EVAL.KIT, BLUETOOTH LOW ENERGY, SOC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-System-on-Chip
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW20719, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
Leiterplatte: Evaluationskit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW20719
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3030.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW954907AEVAL1F download
CYW954907AEVAL1F
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW954907AEVAL1F - Entwicklungsboard, CYW54907 Wireless-MCU, Arduino-kompatibel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW54907
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW954907AEVAL1F, USB-Kabel Standard-A auf Micro-B, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-R4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW43439KUBGT INFN-S-A0018718802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYW43439KUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW43439KUBGT - HF-Transceiver, 0.5V bis 3.9V, 15dBm, 2.4GHz bis 2.5GHz, WLBGA
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 15dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: PCM, SDIO, SPI, UART
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 8DPSK, DQPSK, GFSK
Modulanwendungsbereiche: Handgeräte, Heimautomation, IoT-Hub, Wearables
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
HF-Frequenz: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+343.72 грн
10+303.43 грн
25+286.16 грн
50+244.34 грн
100+209.33 грн
500+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380E6XKSA1 INFN-S-A0004583416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R380E6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.04 грн
10+117.59 грн
100+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 2309630.pdf
S25FL064LABNFV040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFV040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+145.55 грн
10+123.34 грн
50+112.65 грн
100+102.32 грн
250+87.40 грн
500+85.28 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.12 грн
500+98.50 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+382.37 грн
10+254.09 грн
50+220.38 грн
100+172.56 грн
250+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBF 2043117.pdf
IRFS3107PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7511BXUSA1 Infineon-1EDN751x_1EDN851x_Rev%202.0-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7511BXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+44.65 грн
25+33.14 грн
100+25.90 грн
500+21.30 грн
1000+18.96 грн
2500+17.34 грн
5000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a
BGA614H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+136.50 грн
50+117.59 грн
100+104.43 грн
500+80.17 грн
1500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA614H6327XTSA1 BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a
BGA614H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA614H6327XTSA1 - HF-Verstärker, 17.5dB Verstärkung / 2.1dB Rauschmaß, DC-2.4GHz, 3V Versorgungsspannung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.1dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 25dBm
Verstärkung: 17.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0GHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 2.4GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 0GHz
Versorgungsspannung, max.: 3V
Frequenz, max.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 17.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+104.43 грн
500+80.17 грн
1500+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R041CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730951a7f844ee
IPP65R041CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+652.08 грн
5+537.78 грн
10+422.66 грн
50+355.82 грн
100+291.09 грн
250+285.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 INFNS26378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R225C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.02 грн
10+178.44 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R060CFD7XKSA1 3159574.pdf
IPP65R060CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R060CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+530.38 грн
10+281.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R065C7XKSA1 INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R065C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+522.98 грн
10+439.93 грн
100+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334
IPP65R095C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+522.98 грн
10+307.54 грн
100+253.27 грн
500+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R155CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d0be97bab
IPP65R155CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.40 грн
10+147.19 грн
100+129.92 грн
500+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDAAKSA1 INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R110CFDAAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+504.89 грн
10+330.56 грн
100+302.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R045C7XKSA1 DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
IPP65R045C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+699.77 грн
5+550.12 грн
10+399.64 грн
50+341.31 грн
100+310.83 грн
250+304.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFDXKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+402.93 грн
10+305.07 грн
100+246.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDXKSA1 INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R150CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R310CFDXKSA1 INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP65R310CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+186.66 грн
10+136.50 грн
100+97.85 грн
500+79.41 грн
1000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R150CFDAAKSA1 2820334.pdf
IPP65R150CFDAAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R150CFDAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 195.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 195.3
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8
IPP65R110CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+242.58 грн
10+173.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0
IPP65R090CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+426.77 грн
10+316.58 грн
100+205.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon-IPP65R099CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701714e9346d9680b
IPP65R099CFD7AAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+402.10 грн
10+270.54 грн
100+229.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R074C6XKSA1 1932555.pdf
IPP65R074C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 2354554.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 2255525.pdf
F4100R12KS4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F4100R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 130 A, 3.2 V, 660 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2
Dauer-Kollektorstrom: 130
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 660
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Viererpack
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 130
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
FS75R17KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 465W
Verlustleistung: 465W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 130A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7996.83 грн
5+7309.39 грн
10+6621.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 INFN-S-A0001300477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 8600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
10+91.27 грн
100+81.65 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6740XTSA1 INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP405H6740XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5
Verlustleistung: 75
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauer-Kollektorstrom: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.82 грн
500+18.86 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 INFNS30130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+31.08 грн
500+23.59 грн
1000+19.95 грн
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 INFNS30057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP410H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]