Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25137) > Сторінка 385 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB45N06S4L08ATMA3 IPB45N06S4L08ATMA3 INFINEON INFNS14118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.68 грн
10+92.88 грн
100+65.44 грн
500+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.16 грн
10+181.58 грн
100+143.09 грн
500+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON 2712220.pdf Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920829M2EVK-02 CYW920829M2EVK-02 INFINEON 4152254.pdf Description: INFINEON - CYW920829M2EVK-02 - Evaluationsboard, CYW20829, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20829
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW9BTM2BASE3, CYW920829M2IPA2, USB-A/Micro-B-Kabel, 6 Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4491.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.69 грн
500+169.39 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 CYPAS213A132LQXQTXUMA1 INFINEON 4130670.pdf Description: INFINEON - CYPAS213A132LQXQTXUMA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, 3.15V bis 30V, 105°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.06 грн
250+113.32 грн
500+110.46 грн
1000+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 CYPAS213A124SXQTXUMA1 INFINEON 4130670.pdf Description: INFINEON - CYPAS213A124SXQTXUMA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, 3.15V bis 30V, -40°C bis 105°C, SOIC-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.06 грн
250+112.61 грн
500+109.02 грн
1000+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALBDPSDRIVERTOBO1 EVALBDPSDRIVERTOBO1 INFINEON Infineon-Bidirectional_protection_switch_evaluation_kit_EVAL_BDPS_DD_TOLL_G_EVAL_BDAPS_DRIVER-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182395772123baf Description: INFINEON - EVALBDPSDRIVERTOBO1 - Evaluationskit, 2EDF7175F, Batterieschalter, Power-Management - Batterie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDF7175F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDF7175F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Batterieschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10188.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHVB00 S25FL256SAGBHVB00 INFINEON Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: INFINEON - S25FL256SAGBHVB00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.11 грн
10+384.92 грн
25+381.57 грн
50+351.99 грн
100+322.04 грн
250+306.26 грн
500+294.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABNFI103 S25FL127SABNFI103 INFINEON 4092545.pdf Description: INFINEON - S25FL127SABNFI103 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.04 грн
10+262.75 грн
25+253.54 грн
50+227.66 грн
100+202.26 грн
250+201.54 грн
500+194.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABNFI103 S25FL127SABNFI103 INFINEON 4092545.pdf Description: INFINEON - S25FL127SABNFI103 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.26 грн
250+201.54 грн
500+194.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGNFI000 S25FS128SAGNFI000 INFINEON 3797077.pdf Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.44 грн
10+224.26 грн
25+220.07 грн
50+200.47 грн
100+180.74 грн
250+177.16 грн
500+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXI CY14B101J2-SXI INFINEON 4092534.pdf Description: INFINEON - CY14B101J2-SXI - NVSRAM, 128K x 8Bit, 1Mbit, I2C, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SOIC-8
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Zugriffszeit für Schreiben: -
Zugriffszeit für Lesen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.01 грн
10+792.43 грн
25+755.61 грн
50+666.68 грн
100+593.88 грн
250+536.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-ZS25XI CY14B256LA-ZS25XI INFINEON 4092535.pdf Description: INFINEON - CY14B256LA-ZS25XI - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.86 грн
10+1254.34 грн
25+1166.47 грн
50+1050.52 грн
100+938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-SP45XIT CY14B256LA-SP45XIT INFINEON 4092535.pdf Description: INFINEON - CY14B256LA-SP45XIT - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 45ns
Zugriffszeit für Lesen: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.80 грн
10+1118.78 грн
25+1083.63 грн
50+982.14 грн
100+848.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XI INFINEON CYPR-S-A0003066685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3360.51 грн
5+3172.24 грн
10+2983.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B108M-ZSP25XI CY14B108M-ZSP25XI INFINEON CYPR-S-A0005222749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B108M-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 512K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5916.88 грн
5+5177.17 грн
10+4289.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B116N-ZSP25XI CY14B116N-ZSP25XI INFINEON 3796976.pdf Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 1M x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11091.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XIT CY14B101LA-SP25XIT INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XIT - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2678.54 грн
5+2527.92 грн
10+2377.30 грн
25+2104.92 грн
50+1874.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XIT CY14B101LA-SP25XIT INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XIT - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2678.54 грн
5+2527.92 грн
10+2377.30 грн
25+2104.92 грн
50+1874.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2588.17 грн
5+2481.89 грн
10+2375.62 грн
25+1870.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101I-SFXI CY14B101I-SFXI INFINEON CYPR-S-A0011123129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101I-SFXI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, I2C, 2.7V bis 3.6V, SOIC-16
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Zugriffszeit für Schreiben: -
Zugriffszeit für Lesen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.39 грн
10+1004.97 грн
25+958.95 грн
50+868.70 грн
100+755.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-SP45XIT CY14B256LA-SP45XIT INFINEON 4092535.pdf Description: INFINEON - CY14B256LA-SP45XIT - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 45ns
Zugriffszeit für Lesen: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1118.78 грн
25+1083.63 грн
50+982.14 грн
100+848.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4266GHTMA1 TLE4266GHTMA1 INFINEON 1651349.pdf Description: INFINEON - TLE4266GHTMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 120mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 120mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.15 грн
10+153.13 грн
50+147.27 грн
100+132.09 грн
250+114.76 грн
500+77.46 грн
1000+64.55 грн
2500+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.68 грн
50+48.45 грн
250+38.16 грн
1000+27.89 грн
3000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON 3983704.pdf Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.89 грн
15+56.98 грн
100+50.37 грн
500+41.41 грн
1000+35.72 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON 2820337.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.67 грн
16+54.98 грн
100+37.91 грн
500+29.14 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON Infineon-IPZ40N04S5-5R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660122db4898 Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.35 грн
14+62.76 грн
100+46.61 грн
500+37.30 грн
1000+26.39 грн
5000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.07 грн
10+124.68 грн
100+107.94 грн
500+80.03 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0062 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.05 грн
12+72.13 грн
100+55.56 грн
500+46.62 грн
1000+42.96 грн
5000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.19 грн
12+70.29 грн
100+53.55 грн
500+44.06 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1 INFINEON 2820337.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.91 грн
500+29.14 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4 Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.43 грн
11+76.82 грн
100+58.07 грн
500+46.31 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8444SLXUMA1 TLE8444SLXUMA1 INFINEON Infineon-TLE8444SL-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060afb566617a Description: INFINEON - TLE8444SLXUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, Schrittmotor & DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 8-18V, 40V/1Aout, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Brushed DC, Stepper
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.20 грн
250+177.88 грн
500+159.23 грн
1000+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 INFINEON 4162917.pdf Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.99 грн
10+171.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 629972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.82 грн
500+28.21 грн
1000+22.02 грн
5000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68014A-56PVXC CY7C68014A-56PVXC INFINEON 43447.pdf Description: INFINEON - CY7C68014A-56PVXC - Anwendungsspezifische MCU, 8 Bit, 8051, 48MHz, 16kB RAM/16kB Programmspeicher, 3V-3.6Vin, SSOP-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-USB
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: FX2LP
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: EZ-USB Family FX2LP Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1829.20 грн
10+1441.77 грн
25+1349.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 INFINEON BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.64 грн
10+89.54 грн
100+62.26 грн
500+48.95 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 TLE4207GXUMA2 INFINEON INFN-S-A0003107025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4207GXUMA2 - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.29 грн
10+106.27 грн
50+101.25 грн
100+88.58 грн
250+76.74 грн
500+73.88 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 TLE4207GXUMA2 INFINEON INFN-S-A0003107025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4207GXUMA2 - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.58 грн
250+76.74 грн
500+73.88 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1 ISZ0803NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd2bd1bf6d7d Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.72 грн
11+79.16 грн
100+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1 ISZ0803NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd2bd1bf6d7d Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON INFNS16589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.62 грн
10+84.51 грн
100+63.26 грн
500+46.39 грн
1000+36.08 грн
5000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 INFINEON Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.48 грн
500+28.90 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.58 грн
50+87.03 грн
100+73.72 грн
500+58.04 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 IPD18DP10LMATMA1 INFINEON Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43 Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.72 грн
500+58.04 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001303655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.41 грн
500+76.07 грн
1000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DCSHIELDBTN9960LVTOBO1 DCSHIELDBTN9960LVTOBO1 INFINEON Infineon-User_Manual_BTN9960_BTN9970_BTN9990_Motor_control_shield-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188e2e795766aae Description: INFINEON - DCSHIELDBTN9960LVTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, BTN9960LV, DC-Bürstenmotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTN9960LV
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board BTN9960LV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: DC Brushed Motor Driver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5345.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5PBPSA1 FF1800XTR17T2P5PBPSA1 INFINEON 4127740.pdf Description: INFINEON - FF1800XTR17T2P5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.53 kA, 1.8 V, 1800 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.53kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1800kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103258.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUXUMA1 TLE9015DQUXUMA1 INFINEON 3704053.pdf Description: INFINEON - TLE9015DQUXUMA1 - Batterie-/Akkuwächter, UART, 4.75V bis 45V, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Anzahl der Batterien/Akkus: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: UART
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Batterie-IC: TQFP
Versorgungsspannung, max.: 45V
Schnittstellen: UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUXUMA1 TLE9015DQUXUMA1 INFINEON 3704053.pdf Description: INFINEON - TLE9015DQUXUMA1 - Batterie-/Akkuwächter, UART, 4.75V bis 45V, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 45V
Schnittstellen: UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FS03MR12A6MA1BBPSA1 FS03MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON Infineon-FS03MR12A6MA1B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501787e48f6ef330c Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+172042.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 FS03MR12A6MA1LBBPSA1 INFINEON Infineon-FS03MR12A6MA1LB-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e001788ce9d7125011 Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1LBBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+182502.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS660R08A6P2FBBPSA1 FS660R08A6P2FBBPSA1 INFINEON Infineon-FS660R08A6P2FB-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f98f163372 Description: INFINEON - FS660R08A6P2FBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 1.053kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.053kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30512.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS950R08A6P2BBPSA1 FS950R08A6P2BBPSA1 INFINEON INFN-S-A0009362837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS950R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 870 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1150R08A8P3LMCHPSA1 FS1150R08A8P3LMCHPSA1 INFINEON Infineon-FS1150R08A8P3LMC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f15854bae0098 Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LMCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55643.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS650R08A4P2BPSA1 FS650R08A4P2BPSA1 INFINEON Infineon-FS650R08A4P2-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351f435eb5977 Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V
Dauer-Kollektorstrom: 375A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 488W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30448.81 грн
5+30420.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 INFINEON 4256779.pdf Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+149783.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 INFINEON Infineon-FS1150R08A8P3LBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f157c21bb0095 Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53355.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2314ELXUMA1 TLD2314ELXUMA1 INFINEON Infineon-TLD2314EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e53b8e13acf Description: INFINEON - TLD2314ELXUMA1 - LED-Treiber, 3 Ausgänge, linear, High-Side-Stromquelle, 5.5V bis 40Vin, 40V/60mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 60mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB45N06S4L08ATMA3 INFNS14118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB45N06S4L08ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.68 грн
10+92.88 грн
100+65.44 грн
500+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.16 грн
10+181.58 грн
100+143.09 грн
500+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 2712220.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920829M2EVK-02 4152254.pdf
CYW920829M2EVK-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920829M2EVK-02 - Evaluationsboard, CYW20829, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20829
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW9BTM2BASE3, CYW920829M2IPA2, USB-A/Micro-B-Kabel, 6 Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4491.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7749L1TRPBF INFN-S-A0007570019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7749L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7749L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 0.0015 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+206.69 грн
500+169.39 грн
1000+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A132LQXQTXUMA1 4130670.pdf
CYPAS213A132LQXQTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPAS213A132LQXQTXUMA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, 3.15V bis 30V, 105°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.06 грн
250+113.32 грн
500+110.46 грн
1000+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPAS213A124SXQTXUMA1 4130670.pdf
CYPAS213A124SXQTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPAS213A124SXQTXUMA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, 3.15V bis 30V, -40°C bis 105°C, SOIC-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.0, 3.0, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.06 грн
250+112.61 грн
500+109.02 грн
1000+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALBDPSDRIVERTOBO1 Infineon-Bidirectional_protection_switch_evaluation_kit_EVAL_BDPS_DD_TOLL_G_EVAL_BDAPS_DRIVER-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182395772123baf
EVALBDPSDRIVERTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALBDPSDRIVERTOBO1 - Evaluationskit, 2EDF7175F, Batterieschalter, Power-Management - Batterie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2EDF7175F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDF7175F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Batterieschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10188.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGBHVB00 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGBHVB00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHVB00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+471.11 грн
10+384.92 грн
25+381.57 грн
50+351.99 грн
100+322.04 грн
250+306.26 грн
500+294.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABNFI103 4092545.pdf
S25FL127SABNFI103
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFI103 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.04 грн
10+262.75 грн
25+253.54 грн
50+227.66 грн
100+202.26 грн
250+201.54 грн
500+194.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABNFI103 4092545.pdf
S25FL127SABNFI103
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFI103 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.26 грн
250+201.54 грн
500+194.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SAGNFI000 3797077.pdf
S25FS128SAGNFI000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.44 грн
10+224.26 грн
25+220.07 грн
50+200.47 грн
100+180.74 грн
250+177.16 грн
500+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101J2-SXI 4092534.pdf
CY14B101J2-SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101J2-SXI - NVSRAM, 128K x 8Bit, 1Mbit, I2C, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SOIC-8
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Zugriffszeit für Schreiben: -
Zugriffszeit für Lesen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+892.01 грн
10+792.43 грн
25+755.61 грн
50+666.68 грн
100+593.88 грн
250+536.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-ZS25XI 4092535.pdf
CY14B256LA-ZS25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B256LA-ZS25XI - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.86 грн
10+1254.34 грн
25+1166.47 грн
50+1050.52 грн
100+938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-SP45XIT 4092535.pdf
CY14B256LA-SP45XIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B256LA-SP45XIT - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 45ns
Zugriffszeit für Lesen: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1205.80 грн
10+1118.78 грн
25+1083.63 грн
50+982.14 грн
100+848.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-BA25XI CYPR-S-A0003066685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B104NA-BA25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3360.51 грн
5+3172.24 грн
10+2983.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B108M-ZSP25XI CYPR-S-A0005222749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B108M-ZSP25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B108M-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 512K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5916.88 грн
5+5177.17 грн
10+4289.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B116N-ZSP25XI 3796976.pdf
CY14B116N-ZSP25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 1M x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11091.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XIT CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101LA-SP25XIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XIT - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2678.54 грн
5+2527.92 грн
10+2377.30 грн
25+2104.92 грн
50+1874.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XIT CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101LA-SP25XIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XIT - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2678.54 грн
5+2527.92 грн
10+2377.30 грн
25+2104.92 грн
50+1874.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101LA-SP25XI CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101LA-SP25XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2588.17 грн
5+2481.89 грн
10+2375.62 грн
25+1870.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101I-SFXI CYPR-S-A0011123129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY14B101I-SFXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101I-SFXI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, I2C, 2.7V bis 3.6V, SOIC-16
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Zugriffszeit für Schreiben: -
Zugriffszeit für Lesen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.39 грн
10+1004.97 грн
25+958.95 грн
50+868.70 грн
100+755.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-SP45XIT 4092535.pdf
CY14B256LA-SP45XIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B256LA-SP45XIT - NVSRAM, 32K x 8Bit, 256kbit, parallel, 2.7V bis 3.6V, Oberflächenmontage, -40°C bis 85°C, SSOP-48
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 45ns
Zugriffszeit für Lesen: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1118.78 грн
25+1083.63 грн
50+982.14 грн
100+848.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4266GHTMA1 1651349.pdf
TLE4266GHTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4266GHTMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 120mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 120mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.15 грн
10+153.13 грн
50+147.27 грн
100+132.09 грн
250+114.76 грн
500+77.46 грн
1000+64.55 грн
2500+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.68 грн
50+48.45 грн
250+38.16 грн
1000+27.89 грн
3000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 3983704.pdf
BSZ084N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.89 грн
15+56.98 грн
100+50.37 грн
500+41.41 грн
1000+35.72 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 2820337.pdf
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.67 грн
16+54.98 грн
100+37.91 грн
500+29.14 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-5R4-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660122db4898
IPZ40N04S55R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.35 грн
14+62.76 грн
100+46.61 грн
500+37.30 грн
1000+26.39 грн
5000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.07 грн
10+124.68 грн
100+107.94 грн
500+80.03 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0062 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.05 грн
12+72.13 грн
100+55.56 грн
500+46.62 грн
1000+42.96 грн
5000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.19 грн
12+70.29 грн
100+53.55 грн
500+44.06 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 2820337.pdf
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.91 грн
500+29.14 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.43 грн
11+76.82 грн
100+58.07 грн
500+46.31 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8444SLXUMA1 Infineon-TLE8444SL-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060afb566617a
TLE8444SLXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8444SLXUMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, Schrittmotor & DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 8-18V, 40V/1Aout, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
Motortyp: Brushed DC, Stepper
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.20 грн
250+177.88 грн
500+159.23 грн
1000+134.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1 4162917.pdf
BSC009N04LSSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.99 грн
10+171.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 629972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.82 грн
500+28.21 грн
1000+22.02 грн
5000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68014A-56PVXC 43447.pdf
CY7C68014A-56PVXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C68014A-56PVXC - Anwendungsspezifische MCU, 8 Bit, 8051, 48MHz, 16kB RAM/16kB Programmspeicher, 3V-3.6Vin, SSOP-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-USB
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: FX2LP
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: EZ-USB Family FX2LP Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1829.20 грн
10+1441.77 грн
25+1349.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.64 грн
10+89.54 грн
100+62.26 грн
500+48.95 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 INFN-S-A0003107025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4207GXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4207GXUMA2 - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.29 грн
10+106.27 грн
50+101.25 грн
100+88.58 грн
250+76.74 грн
500+73.88 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 INFN-S-A0003107025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4207GXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4207GXUMA2 - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.58 грн
250+76.74 грн
500+73.88 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1 Infineon-ISZ0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd2bd1bf6d7d
ISZ0803NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.72 грн
11+79.16 грн
100+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1 Infineon-ISZ0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd2bd1bf6d7d
ISZ0803NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1 INFNS16589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N10S3L34ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.62 грн
10+84.51 грн
100+63.26 грн
500+46.39 грн
1000+36.08 грн
5000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
IPD78CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.48 грн
500+28.90 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.58 грн
50+87.03 грн
100+73.72 грн
500+58.04 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD18DP10LMATMA1 Infineon-IPD18DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bddd1558c1a43
IPD18DP10LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.1403 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1403ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.72 грн
500+58.04 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S406ATMA1 INFN-S-A0001303655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N10S406ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.41 грн
500+76.07 грн
1000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DCSHIELDBTN9960LVTOBO1 Infineon-User_Manual_BTN9960_BTN9970_BTN9990_Motor_control_shield-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188e2e795766aae
DCSHIELDBTN9960LVTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DCSHIELDBTN9960LVTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, BTN9960LV, DC-Bürstenmotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTN9960LV
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board BTN9960LV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: DC Brushed Motor Driver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5345.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800XTR17T2P5PBPSA1 4127740.pdf
FF1800XTR17T2P5PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800XTR17T2P5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.53 kA, 1.8 V, 1800 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 1.53kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1800kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+103258.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUXUMA1 3704053.pdf
TLE9015DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9015DQUXUMA1 - Batterie-/Akkuwächter, UART, 4.75V bis 45V, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Anzahl der Batterien/Akkus: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: UART
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Batterie-IC: TQFP
Versorgungsspannung, max.: 45V
Schnittstellen: UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+217.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015DQUXUMA1 3704053.pdf
TLE9015DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9015DQUXUMA1 - Batterie-/Akkuwächter, UART, 4.75V bis 45V, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Zellen: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 45V
Schnittstellen: UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon-FS03MR12A6MA1B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501787e48f6ef330c
FS03MR12A6MA1BBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+172042.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon-FS03MR12A6MA1LB-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e001788ce9d7125011
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1LBBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+182502.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS660R08A6P2FBBPSA1 Infineon-FS660R08A6P2FB-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f98f163372
FS660R08A6P2FBBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS660R08A6P2FBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 1.053kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.053kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30512.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS950R08A6P2BBPSA1 INFN-S-A0009362837-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS950R08A6P2BBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS950R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 870 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1150R08A8P3LMCHPSA1 Infineon-FS1150R08A8P3LMC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f15854bae0098
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LMCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55643.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS650R08A4P2BPSA1 Infineon-FS650R08A4P2-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351f435eb5977
FS650R08A4P2BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V
Dauer-Kollektorstrom: 375A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 488W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30448.81 грн
5+30420.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 4256779.pdf
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+149783.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon-FS1150R08A8P3LBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f157c21bb0095
FS1150R08A8P3LBCHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+53355.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2314ELXUMA1 Infineon-TLD2314EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e53b8e13acf
TLD2314ELXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD2314ELXUMA1 - LED-Treiber, 3 Ausgänge, linear, High-Side-Stromquelle, 5.5V bis 40Vin, 40V/60mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 60mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]