Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 385 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2EDF7275FXUMA2 2EDF7275FXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7275FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.22 грн
250+86.73 грн
500+83.95 грн
1000+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 2EDB9259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 2EDR8259XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.71 грн
10+95.52 грн
50+87.42 грн
100+73.06 грн
250+62.72 грн
500+60.29 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 2EDB8259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 2EDR8258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.75 грн
10+97.95 грн
50+89.04 грн
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 TLS203B0EJVXUMA1 INFINEON 2211716.pdf Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.04 грн
11+77.79 грн
50+70.91 грн
100+58.18 грн
250+50.51 грн
500+48.57 грн
1000+46.97 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TT320N16SOFHPSA1 TT320N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003370694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT320N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7351.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT340N22KOFXPSA1 TT340N22KOFXPSA1 INFINEON 4148551.pdf Description: INFINEON - TT340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16702.74 грн
5+16368.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGATMA1 INFINEON 3983233.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.28 грн
500+105.23 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1 IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON 3983237.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.08 грн
500+166.12 грн
1000+149.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1 IQD016N08NM5CGATMA1 INFINEON 3983239.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.18 грн
500+172.88 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1 IQD009N06NM5CGATMA1 INFINEON 3983237.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.84 грн
10+234.75 грн
100+195.08 грн
500+166.12 грн
1000+149.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1 IQD063N15NM5CGATMA1 INFINEON 3983241.pdf Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.84 грн
500+183.40 грн
1000+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 INFINEON 4018760.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.61 грн
10+128.71 грн
100+93.09 грн
500+68.85 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 INFINEON 4018760.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.09 грн
500+68.85 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1 IQD016N08NM5CGATMA1 INFINEON 3983239.pdf Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.36 грн
10+244.46 грн
100+203.18 грн
500+172.88 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1 IQD063N15NM5CGATMA1 INFINEON 3983241.pdf Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.08 грн
10+250.94 грн
100+208.84 грн
500+183.40 грн
1000+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGATMA1 INFINEON 3983233.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.70 грн
10+147.32 грн
100+126.28 грн
500+105.23 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON 4379494.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.249kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1744.42 грн
5+1586.57 грн
10+1427.92 грн
50+1248.50 грн
100+1081.00 грн
250+1059.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON 4379494.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.249kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1427.92 грн
50+1248.50 грн
100+1081.00 грн
250+1059.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-GTR FM25W256-GTR INFINEON CYPR-S-A0011126756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM25W256-GTR - FRAM, 256kB (32K x 8), SPI, 20MHz, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+545.59 грн
25+528.59 грн
50+480.31 грн
100+432.95 грн
250+417.00 грн
500+407.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DGTR FM25L16B-DGTR INFINEON INFN-S-A0013890957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM25L16B-DGTR - N.FLÜCHT. SPEICHER 16KBIT 20MHZ DFN-EP-8
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: DFN-EP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 2K x 8 Bit
Taktfrequenz: 20MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.75 грн
250+126.28 грн
500+123.50 грн
1000+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CY15B016Q-SXET INFINEON CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Speicherorganisation: 2K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+182.13 грн
25+176.47 грн
50+160.10 грн
100+144.32 грн
250+140.16 грн
500+137.38 грн
1000+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT INFINEON CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: 40MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.72 грн
10+676.72 грн
25+655.68 грн
50+594.56 грн
100+491.93 грн
250+487.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF IRFH3702TRPBF INFINEON irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76 Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON 4421046.pdf Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.38 грн
13+63.30 грн
100+41.85 грн
500+32.02 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON 4421046.pdf Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.85 грн
500+32.02 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1 IQDH45N04LM6ATMA1 INFINEON 4015295.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.65 грн
10+223.42 грн
100+161.90 грн
500+127.78 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSMFV013 S25FS512SDSMFV013 INFINEON 4092548.pdf Description: INFINEON - S25FS512SDSMFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.35 грн
10+551.25 грн
50+522.11 грн
200+434.46 грн
500+378.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM010 S28HS512TGABHM010 INFINEON 4092549.pdf Description: INFINEON - S28HS512TGABHM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.24 грн
10+780.34 грн
25+756.05 грн
50+684.76 грн
100+616.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSMFV013 S25FS512SDSMFV013 INFINEON 4092548.pdf Description: INFINEON - S25FS512SDSMFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+602.25 грн
50+601.44 грн
200+557.73 грн
500+514.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 INFINEON 3154687.pdf Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.30 грн
10+386.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.32 грн
25+32.38 грн
100+22.10 грн
500+15.03 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.10 грн
500+15.03 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHVB00 S25FL128SAGBHVB00 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SAGBHVB00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.22 грн
10+256.60 грн
25+249.32 грн
50+225.50 грн
100+203.99 грн
250+194.97 грн
500+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDC20H12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC20H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.32 грн
10+186.99 грн
25+170.80 грн
50+150.33 грн
100+131.14 грн
250+124.20 грн
500+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 1EDC20H12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC20H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.14 грн
250+124.20 грн
500+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAMECONTROLLERTOBO1 GAMECONTROLLERTOBO1 INFINEON Infineon-XENSIV_Game_Controller_User_Manual-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190dee4521070ee&da=t Description: INFINEON - GAMECONTROLLERTOBO1 - Evaluationsboard, drahtloser XENSIV-Bluetooth-Game-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Fernsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Drahtloser XENSIV-Bluetooth-Game-Controller
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth-Gamecontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12603.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 BTS70061EPPXUMA1 INFINEON 2774190.pdf Description: INFINEON - BTS70061EPPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, AEC-Q100, High-Side, Active-High, 13.5V, 89.5A, 6.6m mOhm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0066ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 89.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.99 грн
10+95.52 грн
50+87.42 грн
100+73.06 грн
250+64.32 грн
500+62.45 грн
1000+60.29 грн
2500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 BTS70061EPPXUMA1 INFINEON 2774190.pdf Description: INFINEON - BTS70061EPPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, AEC-Q100, High-Side, Active-High, 13.5V, 89.5A, 6.6m mOhm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0066ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 89.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.06 грн
250+64.32 грн
500+62.45 грн
1000+60.29 грн
2500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.57 грн
500+60.51 грн
1000+55.09 грн
5000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI041 S25FL064LABNFI041 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI041 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, USON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: USON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.28 грн
10+83.38 грн
50+81.76 грн
100+74.26 грн
250+66.54 грн
500+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10VXIT CY7C1041G-10VXIT INFINEON INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1041G-10VXIT - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.97 грн
10+404.74 грн
25+393.41 грн
50+354.03 грн
100+320.55 грн
250+313.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXCT CYUSB3014-BZXCT INFINEON INFN-S-A0016389984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXCT - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2393.62 грн
5+2166.16 грн
10+1937.89 грн
25+1692.73 грн
50+1531.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.32 грн
43+19.27 грн
100+18.54 грн
500+16.46 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.28 грн
250+61.60 грн
1000+37.73 грн
3000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.09 грн
50+92.28 грн
250+61.60 грн
1000+37.73 грн
3000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON 2334682.pdf Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.33 грн
10+83.38 грн
50+75.52 грн
100+56.90 грн
250+49.40 грн
500+47.53 грн
1000+45.93 грн
2500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.28 грн
250+111.71 грн
1000+87.19 грн
3000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.14 грн
12+72.04 грн
100+48.08 грн
500+32.32 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 INFINEON 3154687.pdf Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.08 грн
500+32.32 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 INFINEON INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.85 грн
10+143.28 грн
50+131.14 грн
100+99.97 грн
250+87.42 грн
500+83.95 грн
1000+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 INFINEON INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.97 грн
250+87.42 грн
500+83.95 грн
1000+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
10+105.23 грн
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON 1849684.html Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.98 грн
500+24.20 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CY8CMBR3110-SX2IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.99 грн
10+137.61 грн
25+125.47 грн
50+111.25 грн
100+97.14 грн
250+92.28 грн
500+88.81 грн
1000+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CY8CMBR3110-SX2IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.14 грн
250+92.28 грн
500+88.81 грн
1000+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 FS28MR12W1M1HB11HPSA1 INFINEON 4068205.pdf Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7333.05 грн
5+6663.61 грн
10+5993.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA2 2921642.pdf
2EDF7275FXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.22 грн
250+86.73 грн
500+83.95 грн
1000+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB9259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d
2EDR8259XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.71 грн
10+95.52 грн
50+87.42 грн
100+73.06 грн
250+62.72 грн
500+60.29 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR8258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.75 грн
10+97.95 грн
50+89.04 грн
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 2211716.pdf
TLS203B0EJVXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.04 грн
11+77.79 грн
50+70.91 грн
100+58.18 грн
250+50.51 грн
500+48.57 грн
1000+46.97 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TT320N16SOFHPSA1 INFN-S-A0003370694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT320N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT320N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 520A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 320A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7351.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT340N22KOFXPSA1 4148551.pdf
TT340N22KOFXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16702.74 грн
5+16368.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 3983233.pdf
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.28 грн
500+105.23 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1 3983237.pdf
IQD009N06NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.08 грн
500+166.12 грн
1000+149.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1 3983239.pdf
IQD016N08NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.18 грн
500+172.88 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGATMA1 3983237.pdf
IQD009N06NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 800 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+310.84 грн
10+234.75 грн
100+195.08 грн
500+166.12 грн
1000+149.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1 3983241.pdf
IQD063N15NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+208.84 грн
500+183.40 грн
1000+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 4018760.pdf
IQE004NE1LM7CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.61 грн
10+128.71 грн
100+93.09 грн
500+68.85 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 4018760.pdf
IQE004NE1LM7CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.09 грн
500+68.85 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGATMA1 3983239.pdf
IQD016N08NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 0.0014 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.36 грн
10+244.46 грн
100+203.18 грн
500+172.88 грн
1000+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGATMA1 3983241.pdf
IQD063N15NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.08 грн
10+250.94 грн
100+208.84 грн
500+183.40 грн
1000+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 3983233.pdf
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.70 грн
10+147.32 грн
100+126.28 грн
500+105.23 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 4379494.pdf
IPDQ60R007CM8XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.249kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1744.42 грн
5+1586.57 грн
10+1427.92 грн
50+1248.50 грн
100+1081.00 грн
250+1059.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 4379494.pdf
IPDQ60R007CM8XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.249kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1427.92 грн
50+1248.50 грн
100+1081.00 грн
250+1059.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-GTR CYPR-S-A0011126756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM25W256-GTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25W256-GTR - FRAM, 256kB (32K x 8), SPI, 20MHz, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+545.59 грн
25+528.59 грн
50+480.31 грн
100+432.95 грн
250+417.00 грн
500+407.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DGTR INFN-S-A0013890957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM25L16B-DGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25L16B-DGTR - N.FLÜCHT. SPEICHER 16KBIT 20MHZ DFN-EP-8
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: DFN-EP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 2K x 8 Bit
Taktfrequenz: 20MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.75 грн
250+126.28 грн
500+123.50 грн
1000+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B016Q-SXET
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Speicherorganisation: 2K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.08 грн
10+182.13 грн
25+176.47 грн
50+160.10 грн
100+144.32 грн
250+140.16 грн
500+137.38 грн
1000+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B256Q-SXAT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: 40MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+727.72 грн
10+676.72 грн
25+655.68 грн
50+594.56 грн
100+491.93 грн
250+487.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBF irfh3702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a25871e76
IRFH3702TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 4421046.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.38 грн
13+63.30 грн
100+41.85 грн
500+32.02 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 4421046.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.85 грн
500+32.02 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1 4015295.pdf
IQDH45N04LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.65 грн
10+223.42 грн
100+161.90 грн
500+127.78 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSMFV013 4092548.pdf
S25FS512SDSMFV013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SDSMFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.35 грн
10+551.25 грн
50+522.11 грн
200+434.46 грн
500+378.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHM010 4092549.pdf
S28HS512TGABHM010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S28HS512TGABHM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+840.24 грн
10+780.34 грн
25+756.05 грн
50+684.76 грн
100+616.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSMFV013 4092548.pdf
S25FS512SDSMFV013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SDSMFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+602.25 грн
50+601.44 грн
200+557.73 грн
500+514.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 3154687.pdf
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+572.30 грн
10+386.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.32 грн
25+32.38 грн
100+22.10 грн
500+15.03 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0909NSATMA1 INFNS27907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 36 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.10 грн
500+15.03 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHVB00 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SAGBHVB00
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHVB00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.22 грн
10+256.60 грн
25+249.32 грн
50+225.50 грн
100+203.99 грн
250+194.97 грн
500+191.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 2718597.pdf
1EDC20H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.32 грн
10+186.99 грн
25+170.80 грн
50+150.33 грн
100+131.14 грн
250+124.20 грн
500+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20H12AHXUMA1 2718597.pdf
1EDC20H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC20H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 3.5A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.14 грн
250+124.20 грн
500+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAMECONTROLLERTOBO1 Infineon-XENSIV_Game_Controller_User_Manual-UserManual-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190dee4521070ee&da=t
GAMECONTROLLERTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GAMECONTROLLERTOBO1 - Evaluationsboard, drahtloser XENSIV-Bluetooth-Game-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Fernsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Drahtloser XENSIV-Bluetooth-Game-Controller
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth-Gamecontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12603.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 2774190.pdf
BTS70061EPPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70061EPPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, AEC-Q100, High-Side, Active-High, 13.5V, 89.5A, 6.6m mOhm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0066ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 89.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.99 грн
10+95.52 грн
50+87.42 грн
100+73.06 грн
250+64.32 грн
500+62.45 грн
1000+60.29 грн
2500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 2774190.pdf
BTS70061EPPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70061EPPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, AEC-Q100, High-Side, Active-High, 13.5V, 89.5A, 6.6m mOhm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0066ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 89.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.06 грн
250+64.32 грн
500+62.45 грн
1000+60.29 грн
2500+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.57 грн
500+60.51 грн
1000+55.09 грн
5000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI041 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFI041
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI041 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, USON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: USON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.28 грн
10+83.38 грн
50+81.76 грн
100+74.26 грн
250+66.54 грн
500+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G-10VXIT INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1041G-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041G-10VXIT - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.97 грн
10+404.74 грн
25+393.41 грн
50+354.03 грн
100+320.55 грн
250+313.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXCT INFN-S-A0016389984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYUSB3014-BZXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXCT - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pin(s)
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2393.62 грн
5+2166.16 грн
10+1937.89 грн
25+1692.73 грн
50+1531.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS_G.pdf
BSC886N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.32 грн
43+19.27 грн
100+18.54 грн
500+16.46 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 3668057.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.28 грн
250+61.60 грн
1000+37.73 грн
3000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 3668057.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.09 грн
50+92.28 грн
250+61.60 грн
1000+37.73 грн
3000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 2334682.pdf
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.33 грн
10+83.38 грн
50+75.52 грн
100+56.90 грн
250+49.40 грн
500+47.53 грн
1000+45.93 грн
2500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.28 грн
250+111.71 грн
1000+87.19 грн
3000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.14 грн
12+72.04 грн
100+48.08 грн
500+32.32 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 3154687.pdf
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.08 грн
500+32.32 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.85 грн
10+143.28 грн
50+131.14 грн
100+99.97 грн
250+87.42 грн
500+83.95 грн
1000+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.97 грн
250+87.42 грн
500+83.95 грн
1000+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK02G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.90 грн
10+105.23 грн
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK02G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 1849684.html
BB439E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.98 грн
500+24.20 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3110-SX2IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.99 грн
10+137.61 грн
25+125.47 грн
50+111.25 грн
100+97.14 грн
250+92.28 грн
500+88.81 грн
1000+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3110-SX2IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.14 грн
250+92.28 грн
500+88.81 грн
1000+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 4068205.pdf
FS28MR12W1M1HB11HPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7333.05 грн
5+6663.61 грн
10+5993.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 380 381 382 383 384 385 386 387 388 389 390 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]