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IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 INFINEON 3732427.pdf Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 INFINEON 3732427.pdf Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLS810B1EJV33XUMA1 TLS810B1EJV33XUMA1 INFINEON 2354841.pdf Description: INFINEON - TLS810B1EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3.42V bis 42V, 250V Dropout, 3.3V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.42V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB80N04S4L04ATMA1 IPB80N04S4L04ATMA1 INFINEON 3542790.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB80N04S4L04ATMA1 IPB80N04S4L04ATMA1 INFINEON 3542790.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2118STRPBF IR2118STRPBF INFINEON IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3XX-MS2GO_User_Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193b9f4a5e30902 Description: INFINEON - TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 3D-Magnetsensor, 7 x 7 x 5mm-Ferrit-Blockmagnet
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 7x7x5mm-Ferrit-Blockmanget
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3D-Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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1EDI3028EVALBOARDTOBO1 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-1EDI3025-1EDI3026AS-1EDI3028AS-demoboard-UserManual-v01_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe59e436a87 Description: INFINEON - 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3028AS, IGBT-Gate-Treiber für hohe Spannungen
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3028AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3028AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALXDP710V2TOBO1 EVALXDP710V2TOBO1 INFINEON 4018461.pdf Description: INFINEON - EVALXDP710V2TOBO1 - Evaluationsboard, XDP710, PMBus-Schnittstelle, Hot-Swap-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard V2.0 XDP710
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hot-Swap-Controller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: XDP710
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EBN1001AEXUMA1 1EBN1001AEXUMA1 INFINEON 2820280.pdf Description: INFINEON - 1EBN1001AEXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, IGBT, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 10ns
Ausgabeverzögerung: 10ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 INFINEON Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY4500-EPR CY4500-EPR INFINEON Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8 Description: INFINEON - CY4500-EPR - Evaluationskit, CY4500 EZ-PD-Protokollanalysator, Dekodieren von USB-PD-Paketen, 48V, 5A
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Produkttyp: -
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TT370N18KOFHPSA1 TT370N18KOFHPSA1 INFINEON 4148550.pdf Description: INFINEON - TT370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON infineon-bat165-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON 1859075.pdf Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
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IGI60F5050A1LAUMA1 IGI60F5050A1LAUMA1 INFINEON 3961597.pdf Description: INFINEON - IGI60F5050A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F5050A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
MSL: -
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2727A1LAUMA1 IGI60F2727A1LAUMA1 INFINEON 3961596.pdf Description: INFINEON - IGI60F2727A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2727A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGI60F5050A1LAUMA1 IGI60F5050A1LAUMA1 INFINEON 3961597.pdf Description: INFINEON - IGI60F5050A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F5050A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
MSL: -
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGI60F2727A1LAUMA1 IGI60F2727A1LAUMA1 INFINEON 3961596.pdf Description: INFINEON - IGI60F2727A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2727A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2020A1LAUMA1 IGI60F2020A1LAUMA1 INFINEON 3961595.pdf Description: INFINEON - IGI60F2020A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2020A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2020A1LAUMA1 IGI60F2020A1LAUMA1 INFINEON 3961595.pdf Description: INFINEON - IGI60F2020A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2020A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 INFINEON 3154698.pdf Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISC028N04NM5ATMA1 ISC028N04NM5ATMA1 INFINEON 3154698.pdf Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPP023N03LF2SAKSA1 IPP023N03LF2SAKSA1 INFINEON 4384403.pdf Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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XMC1100T016X0064ABXUMA1 XMC1100T016X0064ABXUMA1 INFINEON Infineon-xmc1100_AB-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdaff9325bd&ack=t Description: INFINEON - XMC1100T016X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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1EDI3035ASXUMA1 1EDI3035ASXUMA1 INFINEON 1EDI3020ASXUMA1.pdf Description: INFINEON - 1EDI3035ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IM06B20AC1XKMA1 IM06B20AC1XKMA1 INFINEON 4426406.pdf Description: INFINEON - IM06B20AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 20 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 20A
Produktpalette: CIPOS Mini Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF600R12KE7BPSA1 FF600R12KE7BPSA1 INFINEON 3974506.pdf Description: INFINEON - FF600R12KE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLF35585QUS01XUMA2 TLF35585QUS01XUMA2 INFINEON Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d Description: INFINEON - TLF35585QUS01XUMA2 - Power-Management-IC, 2 LDO, 4 geregelte Ausgänge, 1 Abwärtswandler, 40V Versorgung, TQFN-EP-48
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 40V
IC-Typ: PMIC für funktionale Sicherheit
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 1
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 2
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLF35585QUS01XUMA2 TLF35585QUS01XUMA2 INFINEON Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d Description: INFINEON - TLF35585QUS01XUMA2 - Power-Management-IC, 2 LDO, 4 geregelte Ausgänge, 1 Abwärtswandler, 40V Versorgung, TQFN-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
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AUIRS2301STR AUIRS2301STR INFINEON auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be Description: INFINEON - AUIRS2301STR - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V bis 20V Versorgung, 0.2Aout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 INFINEON Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146 Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDWD30E120D7XKSA1 IDWD30E120D7XKSA1 INFINEON IDWD30E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf Description: INFINEON - IDWD30E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 52 A, Einfach, 3 V, 135 ns, 144 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 144A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 135ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F46MR20W3M1HB11BPSA1 F46MR20W3M1HB11BPSA1 INFINEON 4508759.pdf Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS810B1EJV50XUMA1 TLS810B1EJV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS810B1xxV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101592101695f3674 Description: INFINEON - TLS810B1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.2V bis 42V, 200V Dropout, 5V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421673.pdf Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON 4421049.pdf Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421673.pdf Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 86 шт
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421050.pdf Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421050.pdf Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON 4421049.pdf Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLE9251VSJXUMA1 TLE9251VSJXUMA1 INFINEON 2718737.pdf Description: INFINEON - TLE9251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 3 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
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IPB80R290C3AATMA2 IPB80R290C3AATMA2 INFINEON Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210 Description: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2 IPB80R290C3AATMA2 INFINEON Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210 Description: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
REF1KWPSU5GGANTOBO1 REF1KWPSU5GGANTOBO1 INFINEON 4327855.pdf Description: INFINEON - REF1KWPSU5GGANTOBO1 - Evaluationsboard, 12V, 1kW, Netzteil
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard REF1KWPSU5GGANTOBO1
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Stromversorgungseinheit
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IM06B30AC1XKMA1 IM06B30AC1XKMA1 INFINEON 4426407.pdf Description: INFINEON - IM06B30AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 30 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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DEMOBGT60UTR11AIPTOBO1 DEMOBGT60UTR11AIPTOBO1 INFINEON Infineon-AN699_Radar_Baseboard_MCU7_Plus-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888bb70e617c92 Description: INFINEON - DEMOBGT60UTR11AIPTOBO1 - Demoboard, BGT60UTR11AIP, Radarsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRL40S212ARMA1 3732427.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRL40S212ARMA1 3732427.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLS810B1EJV33XUMA1 2354841.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS810B1EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3.42V bis 42V, 250V Dropout, 3.3V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.42V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB80N04S4L04ATMA1 3542790.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB80N04S4L04ATMA1 3542790.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2118STRPBF IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 Infineon-TLE493D-P3XX-MS2GO_User_Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193b9f4a5e30902
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 3D-Magnetsensor, 7 x 7 x 5mm-Ferrit-Blockmagnet
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 7x7x5mm-Ferrit-Blockmanget
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3D-Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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1EDI3028EVALBOARDTOBO1 Infineon-1EDI3025-1EDI3026AS-1EDI3028AS-demoboard-UserManual-v01_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe59e436a87
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3028AS, IGBT-Gate-Treiber für hohe Spannungen
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3028AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3028AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALXDP710V2TOBO1 4018461.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDP710V2TOBO1 - Evaluationsboard, XDP710, PMBus-Schnittstelle, Hot-Swap-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard V2.0 XDP710
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Hot-Swap-Controller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: XDP710
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EBN1001AEXUMA1 2820280.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EBN1001AEXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, IGBT, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 10ns
Ausgabeverzögerung: 10ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FP50R12KT4GBOSA1 Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPL60R185CFD7AUMA1 INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY4500-EPR Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY4500-EPR - Evaluationskit, CY4500 EZ-PD-Protokollanalysator, Dekodieren von USB-PD-Paketen, 48V, 5A
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Produkttyp: -
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TT370N18KOFHPSA1 4148550.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT165E6327HTSA1 infineon-bat165-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB016N06L3GATMA1 INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB180N06S4H1ATMA2 1859075.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
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IGI60F5050A1LAUMA1 3961597.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F5050A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F5050A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
MSL: -
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2727A1LAUMA1 3961596.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F2727A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2727A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGI60F5050A1LAUMA1 3961597.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F5050A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F5050A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
MSL: -
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IGI60F2727A1LAUMA1 3961596.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F2727A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2727A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2020A1LAUMA1 3961595.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F2020A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2020A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: N
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IGI60F2020A1LAUMA1 3961595.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGI60F2020A1LAUMA1 - Integrierte Leistungsstufe, 3 bis 3.5Vin, 600V/6Aout, TIQFN-EP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TIQFN-EP
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: 600V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
IC-Nummer: IGI60F2020A1L
Schaltfrequenz, max.: 3MHz
isCanonical: Y
Eingangsspannung, max.: 3.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISC028N04NM5ATMA1 3154698.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISC028N04NM5ATMA1 3154698.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPP023N03LF2SAKSA1 4384403.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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XMC1100T016X0064ABXUMA1 Infineon-xmc1100_AB-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdaff9325bd&ack=t
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016X0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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1EDI3035ASXUMA1 1EDI3020ASXUMA1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3035ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, SiC­MOSFET, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IM06B20AC1XKMA1 4426406.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM06B20AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 20 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 20A
Produktpalette: CIPOS Mini Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF600R12KE7BPSA1 3974506.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12KE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 4421052.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 4421052.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 4421051.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA250250N04LMDSXTMA1 4421051.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLF35585QUS01XUMA2 Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLF35585QUS01XUMA2 - Power-Management-IC, 2 LDO, 4 geregelte Ausgänge, 1 Abwärtswandler, 40V Versorgung, TQFN-EP-48
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 40V
IC-Typ: PMIC für funktionale Sicherheit
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 1
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 2
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLF35585QUS01XUMA2 Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLF35585QUS01XUMA2 - Power-Management-IC, 2 LDO, 4 geregelte Ausgänge, 1 Abwärtswandler, 40V Versorgung, TQFN-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
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AUIRS2301STR auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS2301STR - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 5V bis 20V Versorgung, 0.2Aout, 200ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDWD30E120D7XKSA1 IDWD30E120D7_Rev1.00_12-15-23.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD30E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 52 A, Einfach, 3 V, 135 ns, 144 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 144A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 135ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F46MR20W3M1HB11BPSA1 4508759.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F46MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS810B1EJV50XUMA1 Infineon-TLS810B1xxV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101592101695f3674
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS810B1EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 5.2V bis 42V, 200V Dropout, 5V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA250300C04LMDSXTMA1 4421673.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISA150233C03LMDSXTMA 4421049.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISA250300C04LMDSXTMA1 4421673.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 4421050.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 4421050.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA 4421049.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VSJXUMA1 2718737.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 3 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 INFN-S-A0002955467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2 Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2 Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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REF1KWPSU5GGANTOBO1 4327855.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF1KWPSU5GGANTOBO1 - Evaluationsboard, 12V, 1kW, Netzteil
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard REF1KWPSU5GGANTOBO1
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Stromversorgungseinheit
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IM06B30AC1XKMA1 4426407.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM06B30AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 30 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
usEccn: EAR99
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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DEMOBGT60UTR11AIPTOBO1 Infineon-AN699_Radar_Baseboard_MCU7_Plus-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01888bb70e617c92
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBGT60UTR11AIPTOBO1 - Demoboard, BGT60UTR11AIP, Radarsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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