Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25680) > Сторінка 420 з 428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 INFINEON 3671357.pdf Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+744.96 грн
5+628.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS710336ESAXUMA1 BTS710336ESAXUMA1 INFINEON 3171282.pdf Description: INFINEON - BTS710336ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5Vin, 3A, 0.07 Ohm, TSDSO-EP, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.64 грн
10+230.99 грн
25+215.65 грн
50+189.95 грн
100+163.65 грн
250+154.88 грн
500+149.04 грн
1000+137.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 INFINEON INFNS27899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.74 грн
26+33.50 грн
100+27.79 грн
500+23.27 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR AUIRS21271STR INFINEON 1904426.pdf Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.01 грн
250+114.70 грн
500+111.78 грн
1000+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR AUIRS21271STR INFINEON 1904426.pdf Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.03 грн
10+186.67 грн
25+171.32 грн
50+146.42 грн
100+122.01 грн
250+114.70 грн
500+111.78 грн
1000+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYT2B97CACQ0AZEGS CYT2B97CACQ0AZEGS INFINEON 3968614.pdf Description: INFINEON - CYT2B97CACQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 54Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 122I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.38 грн
10+914.57 грн
25+881.33 грн
50+752.69 грн
100+669.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.89 грн
500+46.70 грн
1000+42.89 грн
5000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF524KPMC-G-MNE2 CY9BF524KPMC-G-MNE2 INFINEON Infineon-CY9B520M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb80555e92 Description: INFINEON - CY9BF524KPMC-G-MNE2 - MCU, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 72MHz, 32kB RAM / 288kB Programmspeicher, 2.7V bis 5.5Vin, LQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 14Kanäle
Programmspeichergröße: 288KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 72MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM3
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY9B520M
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 35I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM3 Family CY9B520M Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.88 грн
10+427.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF524LPMC1-G-MNE2 CY9BF524LPMC1-G-MNE2 INFINEON Infineon-CY9B520M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb80555e92 Description: INFINEON - CY9BF524LPMC1-G-MNE2 - MCU, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 72MHz, 32kB RAM / 288kB Programmspeicher, 2.7V bis 5.5Vin, LQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 23Kanäle
Programmspeichergröße: 288KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 72MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM3
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY9B520M
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM3 Family CY9B520M Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 INFINEON Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138 Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.55 грн
500+22.00 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 BSP171IATMA1 INFINEON Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138 Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.42 грн
21+41.08 грн
100+28.55 грн
500+22.00 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.53 грн
40+21.82 грн
100+21.56 грн
500+19.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 BSP170IATMA1 INFINEON Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.56 грн
500+19.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRS2108STRPBF INFINEON IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.94 грн
14+62.82 грн
50+56.77 грн
100+46.46 грн
250+40.18 грн
500+38.50 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRS2108STRPBF INFINEON IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.94 грн
14+62.82 грн
50+56.77 грн
100+46.46 грн
250+40.18 грн
500+38.50 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 IAUC45N04S6L063HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5 Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.01 грн
500+37.83 грн
1000+29.00 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RLXECATV21TOBO1 KITXMC48RLXECATV21TOBO1 INFINEON 4146095.pdf Description: INFINEON - KITXMC48RLXECATV21TOBO1 - Evaluationsboard, XMC4800-F144F2048, Familie XMC4000, 32 Bit, ARM Cortex-M4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4800-F144F2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4800-F144F2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 INFINEON Infineon-UG143158_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195a2f0bcac09f9 Description: INFINEON - EVAL60UTR11WINGTOBO1 - Wing-Board, BGT60UTR11AIP, FMCW-Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Wing-Board
Lieferumfang des Kits: Wing-Board BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: FMCW-Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2145.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFCAV250KMT7INVTOBO1 REFCAV250KMT7INVTOBO1 INFINEON Infineon-KIT_XMC14_2GO-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801915a63408673fe Description: INFINEON - REFCAV250KMT7INVTOBO1 - EVAL BOARD
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+132029.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 INFINEON 4180406.pdf Description: INFINEON - EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 - Evaluationsboard, FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3890MC12M
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26307.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e Description: INFINEON - 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11338.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 BGA123N6E6327XTSA1 INFINEON 3199841.pdf Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.65 грн
31+27.96 грн
100+24.12 грн
500+19.95 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 BGA123N6E6327XTSA1 INFINEON 3199841.pdf Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.12 грн
500+19.95 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 IPF048N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192 Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.45 грн
500+159.09 грн
1000+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+415.95 грн
10+358.84 грн
100+315.37 грн
500+265.93 грн
1000+227.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 IPF048N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192 Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.24 грн
10+251.44 грн
100+199.45 грн
500+159.09 грн
1000+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+315.37 грн
500+265.93 грн
1000+227.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+259.97 грн
500+219.24 грн
1000+187.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.65 грн
10+295.77 грн
100+259.97 грн
500+219.24 грн
1000+187.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801 Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.89 грн
250+128.58 грн
500+124.20 грн
1000+115.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.64 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON 4421076.pdf Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.23 грн
5+820.82 грн
10+741.55 грн
50+622.10 грн
100+509.22 грн
250+493.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.15 грн
5+1223.98 грн
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON 4421068.pdf Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.46 грн
10+294.06 грн
100+237.81 грн
500+196.28 грн
1000+154.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+717.68 грн
10+578.75 грн
100+463.68 грн
500+387.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+582.16 грн
100+508.00 грн
500+425.02 грн
1000+363.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.20 грн
10+248.03 грн
100+197.75 грн
500+154.34 грн
1000+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.25 грн
5+819.11 грн
10+767.12 грн
50+654.55 грн
100+568.40 грн
250+550.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.15 грн
5+1223.98 грн
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+578.75 грн
100+463.68 грн
500+387.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+753.48 грн
5+652.90 грн
10+561.70 грн
50+466.97 грн
100+391.60 грн
250+383.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.95 грн
5+867.70 грн
10+810.59 грн
50+691.75 грн
100+600.54 грн
250+582.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+767.12 грн
50+654.55 грн
100+568.40 грн
250+550.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+741.55 грн
50+622.10 грн
100+509.22 грн
250+493.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+838.72 грн
50+693.33 грн
100+612.96 грн
250+583.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+810.59 грн
50+691.75 грн
100+600.54 грн
250+582.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+825.93 грн
5+724.50 грн
10+631.59 грн
50+527.91 грн
100+452.96 грн
250+444.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+561.70 грн
50+466.97 грн
100+391.60 грн
250+383.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.75 грн
500+154.34 грн
1000+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 INFINEON 4508763.pdf Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+458.57 грн
100+400.61 грн
500+334.79 грн
1000+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP EVAL_PMG1_S3_DUALDRP INFINEON Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14045.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 INFINEON Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090 Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15991.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1 REF5GR4780AG6W1TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7821.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 INFINEON 3770271.pdf Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7057.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 1ED3320MC12NXUMA1 INFINEON 4098588.pdf Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.89 грн
250+128.58 грн
500+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 EVALISSI20R02HCSTOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13264.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 AIMW120R060M1HXKSA1 INFINEON 3215551.pdf Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2245.95 грн
5+2234.87 грн
10+2223.79 грн
50+1352.62 грн
100+1234.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 KITMOTORDC250W24VTOBO1 INFINEON Infineon-AN_250W_DriveCard-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169a10447b76f33 Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9173.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.94 грн
10+164.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R048M1HXTMA1 3671357.pdf
IMBG65R048M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+744.96 грн
5+628.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS710336ESAXUMA1 3171282.pdf
BTS710336ESAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS710336ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 13.5Vin, 3A, 0.07 Ohm, TSDSO-EP, 24 Pins
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.64 грн
10+230.99 грн
25+215.65 грн
50+189.95 грн
100+163.65 грн
250+154.88 грн
500+149.04 грн
1000+137.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 INFNS27899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.74 грн
26+33.50 грн
100+27.79 грн
500+23.27 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR 1904426.pdf
AUIRS21271STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.01 грн
250+114.70 грн
500+111.78 грн
1000+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21271STR 1904426.pdf
AUIRS21271STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21271STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 290mAout, 175ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 175ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.03 грн
10+186.67 грн
25+171.32 грн
50+146.42 грн
100+122.01 грн
250+114.70 грн
500+111.78 грн
1000+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYT2B97CACQ0AZEGS 3968614.pdf
CYT2B97CACQ0AZEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT2B97CACQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 54Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 122I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1152.38 грн
10+914.57 грн
25+881.33 грн
50+752.69 грн
100+669.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.89 грн
500+46.70 грн
1000+42.89 грн
5000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF524KPMC-G-MNE2 Infineon-CY9B520M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb80555e92
CY9BF524KPMC-G-MNE2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY9BF524KPMC-G-MNE2 - MCU, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 72MHz, 32kB RAM / 288kB Programmspeicher, 2.7V bis 5.5Vin, LQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 14Kanäle
Programmspeichergröße: 288KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 72MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM3
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY9B520M
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 35I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM3 Family CY9B520M Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+554.88 грн
10+427.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF524LPMC1-G-MNE2 Infineon-CY9B520M_SERIES_32_BIT_ARM_CORTEX_M3_FM3_MICROCONTROLLER-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb80555e92
CY9BF524LPMC1-G-MNE2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY9BF524LPMC1-G-MNE2 - MCU, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 72MHz, 32kB RAM / 288kB Programmspeicher, 2.7V bis 5.5Vin, LQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 23Kanäle
Programmspeichergröße: 288KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 72MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM3
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: CY9B520M
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM3 Family CY9B520M Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+588.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138
BSP171IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.55 грн
500+22.00 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171IATMA1 Infineon-BSP171I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627be5365138
BSP171IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP171IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.42 грн
21+41.08 грн
100+28.55 грн
500+22.00 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e
BSP170IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.53 грн
40+21.82 грн
100+21.56 грн
500+19.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170IATMA1 Infineon-BSP170I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627333df512e
BSP170IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170IATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.56 грн
500+19.79 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.94 грн
14+62.82 грн
50+56.77 грн
100+46.46 грн
250+40.18 грн
500+38.50 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.94 грн
14+62.82 грн
50+56.77 грн
100+46.46 грн
250+40.18 грн
500+38.50 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5
IAUC45N04S6L063HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0052 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.01 грн
500+37.83 грн
1000+29.00 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RLXECATV21TOBO1 4146095.pdf
KITXMC48RLXECATV21TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC48RLXECATV21TOBO1 - Evaluationsboard, XMC4800-F144F2048, Familie XMC4000, 32 Bit, ARM Cortex-M4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4800-F144F2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4800-F144F2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 Infineon-UG143158_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195a2f0bcac09f9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL60UTR11WINGTOBO1 - Wing-Board, BGT60UTR11AIP, FMCW-Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Wing-Board
Lieferumfang des Kits: Wing-Board BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: FMCW-Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2145.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFCAV250KMT7INVTOBO1 Infineon-KIT_XMC14_2GO-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801915a63408673fe
REFCAV250KMT7INVTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFCAV250KMT7INVTOBO1 - EVAL BOARD
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+132029.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 4180406.pdf
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 - Evaluationsboard, FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3890MC12M
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26307.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11338.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 3199841.pdf
BGA123N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.65 грн
31+27.96 грн
100+24.12 грн
500+19.95 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 3199841.pdf
BGA123N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.12 грн
500+19.95 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192
IPF048N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+199.45 грн
500+159.09 грн
1000+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+415.95 грн
10+358.84 грн
100+315.37 грн
500+265.93 грн
1000+227.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192
IPF048N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.24 грн
10+251.44 грн
100+199.45 грн
500+159.09 грн
1000+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+315.37 грн
500+265.93 грн
1000+227.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+259.97 грн
500+219.24 грн
1000+187.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.65 грн
10+295.77 грн
100+259.97 грн
500+219.24 грн
1000+187.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF Infineon-IR2110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e&redirId=119801
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.89 грн
250+128.58 грн
500+124.20 грн
1000+115.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.64 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 4421076.pdf
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.23 грн
5+820.82 грн
10+741.55 грн
50+622.10 грн
100+509.22 грн
250+493.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1396.15 грн
5+1223.98 грн
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 4421068.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+349.46 грн
10+294.06 грн
100+237.81 грн
500+196.28 грн
1000+154.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+717.68 грн
10+578.75 грн
100+463.68 грн
500+387.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+582.16 грн
100+508.00 грн
500+425.02 грн
1000+363.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+345.20 грн
10+248.03 грн
100+197.75 грн
500+154.34 грн
1000+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+870.25 грн
5+819.11 грн
10+767.12 грн
50+654.55 грн
100+568.40 грн
250+550.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1396.15 грн
5+1223.98 грн
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+578.75 грн
100+463.68 грн
500+387.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+753.48 грн
5+652.90 грн
10+561.70 грн
50+466.97 грн
100+391.60 грн
250+383.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+923.95 грн
5+867.70 грн
10+810.59 грн
50+691.75 грн
100+600.54 грн
250+582.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+767.12 грн
50+654.55 грн
100+568.40 грн
250+550.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+741.55 грн
50+622.10 грн
100+509.22 грн
250+493.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+838.72 грн
50+693.33 грн
100+612.96 грн
250+583.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+810.59 грн
50+691.75 грн
100+600.54 грн
250+582.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+825.93 грн
5+724.50 грн
10+631.59 грн
50+527.91 грн
100+452.96 грн
250+444.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+561.70 грн
50+466.97 грн
100+391.60 грн
250+383.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.75 грн
500+154.34 грн
1000+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 4508763.pdf
IGLD65R080D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+458.57 грн
100+400.61 грн
500+334.79 грн
1000+287.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1068.00 грн
50+892.78 грн
100+765.66 грн
250+750.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14045.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15991.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1
REF5GR4780AG6W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7821.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 3770271.pdf
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7057.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 4098588.pdf
1ED3320MC12NXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.89 грн
250+128.58 грн
500+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e
EVALISSI20R02HCSTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13264.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 3215551.pdf
AIMW120R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2245.95 грн
5+2234.87 грн
10+2223.79 грн
50+1352.62 грн
100+1234.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 Infineon-AN_250W_DriveCard-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169a10447b76f33
KITMOTORDC250W24VTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9173.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.94 грн
10+164.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 428  [ Наступна Сторінка >> ]