Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25912) > Сторінка 420 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+326.76 грн
500+275.54 грн
1000+235.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+433.62 грн
10+317.93 грн
100+256.99 грн
500+213.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.80 грн
250+133.23 грн
500+128.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.85 грн
500+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON 4421076.pdf Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.71 грн
5+850.46 грн
10+768.33 грн
50+644.57 грн
100+527.61 грн
250+511.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.58 грн
5+1268.19 грн
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON 4421068.pdf Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.09 грн
10+304.68 грн
100+246.40 грн
500+203.37 грн
1000+160.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.60 грн
10+599.65 грн
100+480.43 грн
500+401.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+603.18 грн
100+526.35 грн
500+440.37 грн
1000+376.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.67 грн
10+256.99 грн
100+204.89 грн
500+159.91 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.69 грн
5+848.70 грн
10+794.83 грн
50+678.19 грн
100+588.93 грн
250+570.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1446.58 грн
5+1268.19 грн
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+599.65 грн
100+480.43 грн
500+401.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.70 грн
5+676.48 грн
10+581.99 грн
50+483.83 грн
100+405.74 грн
250+397.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.32 грн
5+899.04 грн
10+839.87 грн
50+716.73 грн
100+622.23 грн
250+603.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+794.83 грн
50+678.19 грн
100+588.93 грн
250+570.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+768.33 грн
50+644.57 грн
100+527.61 грн
250+511.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+869.01 грн
50+718.37 грн
100+635.10 грн
250+604.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+839.87 грн
50+716.73 грн
100+622.23 грн
250+603.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+855.76 грн
5+750.67 грн
10+654.41 грн
50+546.98 грн
100+469.33 грн
250+460.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+581.99 грн
50+483.83 грн
100+405.74 грн
250+397.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.89 грн
500+159.91 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 INFINEON 4508763.pdf Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+265.82 грн
500+219.78 грн
1000+174.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP EVAL_PMG1_S3_DUALDRP INFINEON Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14552.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 INFINEON Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090 Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16569.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1 REF5GR4780AG6W1TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8103.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 INFINEON Infineon-Engineering_Report_Evaluation_board_EVAL_5BR3995BZ_BUCK1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f5fb11157e Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7312.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 1ED3320MC12NXUMA1 INFINEON 4098588.pdf Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.80 грн
250+133.23 грн
500+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 EVALISSI20R02HCSTOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13743.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 AIMW120R060M1HXKSA1 INFINEON 3215551.pdf Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2327.07 грн
5+2315.59 грн
10+2304.11 грн
50+1401.48 грн
100+1279.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 KITMOTORDC250W24VTOBO1 INFINEON 4146093.pdf Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9504.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.67 грн
10+170.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.80 грн
500+54.12 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 IGB03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.87 грн
500+65.85 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+654.41 грн
50+546.98 грн
100+469.33 грн
250+460.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 INFINEON 4406520.pdf Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.20 грн
500+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON 4520238.pdf Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.85 грн
10+114.81 грн
100+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.29 грн
10+88.31 грн
100+68.80 грн
500+54.12 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.46 грн
10+132.47 грн
100+105.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.60 грн
500+167.29 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB070S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e29d6f6e Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.28 грн
10+177.51 грн
100+142.19 грн
500+110.71 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 IGB03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.07 грн
10+101.56 грн
100+81.87 грн
500+65.85 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+241.10 грн
500+198.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.33 грн
10+269.36 грн
100+214.60 грн
500+167.29 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.97 грн
10+603.18 грн
100+526.35 грн
500+440.37 грн
1000+376.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 INFINEON 4406520.pdf Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.71 грн
10+194.29 грн
100+157.20 грн
500+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC142GOTOBO1 KITXMC142GOTOBO1 INFINEON 4421671.pdf Description: INFINEON - KITXMC142GOTOBO1 - Evaluationsboard, XMC1404-Q040X0200, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: XMC1404-Q040X0200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1400
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC1404-Q040X0200
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.31 грн
5+1057.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20829B0-P4TAI100 CYW20829B0-P4TAI100 INFINEON Infineon-CYW20829B0-P4TAI100_CYW20829B0-P4EPI100_AIROC_Bluetooth_LE_module-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d5df5d7d635e4 Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
Empfangsempfindlichkeit: -106dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+778.05 грн
5+729.47 грн
10+680.90 грн
50+597.00 грн
100+508.69 грн
250+484.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA2XTMA1 TLI493DW2BWA2XTMA1 INFINEON 3166332.pdf Description: INFINEON - TLI493DW2BWA2XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.41 грн
250+64.19 грн
500+61.32 грн
1000+58.97 грн
2500+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1 FP100R12KT4PBPSA1 INFINEON INFNS28442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP100R12KT4PBPSA1 - IGBT-Modul, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11166.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F144K1024AAXQMA1 XMC4800F144K1024AAXQMA1 INFINEON 3981003.pdf Description: INFINEON - XMC4800F144K1024AAXQMA1 - MCU, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 144MHz, 200kB RAM / 1MB Programmspeicher, 3.13V bis 3.63Vin, LQFP-144
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 144MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 200KB
MCU-Baureihe: XMC4800
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 119I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4800 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1988.83 грн
10+1662.07 грн
25+1577.29 грн
50+1413.78 грн
100+1256.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 ICL5102XUMA2 INFINEON icl5102 Description: INFINEON - ICL5102XUMA2 - LED-TREIBER, HALBBRÜCKE, 1.3MHZ, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 17.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.5V
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.89 грн
250+90.84 грн
500+87.81 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.91 грн
500+74.79 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1 IQE004NE1LM7SCATMA1 INFINEON 4018761.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.81 грн
10+134.24 грн
100+101.56 грн
500+80.53 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.81 грн
10+131.59 грн
100+98.91 грн
500+74.79 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1 IQE004NE1LM7SCATMA1 INFINEON 4018761.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.56 грн
500+80.53 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.53 грн
500+47.73 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBTQFPTOBO1 TLE989XEVALBTQFPTOBO1 INFINEON 4334661.pdf Description: INFINEON - TLE989XEVALBTQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE989x, 32 Bit, ARM Cortex-M3
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: TLE989x
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: TLE989x
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE989x mit Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25436.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+326.76 грн
500+275.54 грн
1000+235.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+433.62 грн
10+317.93 грн
100+256.99 грн
500+213.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113SPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.80 грн
250+133.23 грн
500+128.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.85 грн
500+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 4421076.pdf
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.71 грн
5+850.46 грн
10+768.33 грн
50+644.57 грн
100+527.61 грн
250+511.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1446.58 грн
5+1268.19 грн
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 4421068.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.09 грн
10+304.68 грн
100+246.40 грн
500+203.37 грн
1000+160.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+743.60 грн
10+599.65 грн
100+480.43 грн
500+401.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+603.18 грн
100+526.35 грн
500+440.37 грн
1000+376.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.67 грн
10+256.99 грн
100+204.89 грн
500+159.91 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+901.69 грн
5+848.70 грн
10+794.83 грн
50+678.19 грн
100+588.93 грн
250+570.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1446.58 грн
5+1268.19 грн
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+599.65 грн
100+480.43 грн
500+401.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+780.70 грн
5+676.48 грн
10+581.99 грн
50+483.83 грн
100+405.74 грн
250+397.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.32 грн
5+899.04 грн
10+839.87 грн
50+716.73 грн
100+622.23 грн
250+603.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+794.83 грн
50+678.19 грн
100+588.93 грн
250+570.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+768.33 грн
50+644.57 грн
100+527.61 грн
250+511.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+869.01 грн
50+718.37 грн
100+635.10 грн
250+604.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+839.87 грн
50+716.73 грн
100+622.23 грн
250+603.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+855.76 грн
5+750.67 грн
10+654.41 грн
50+546.98 грн
100+469.33 грн
250+460.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+581.99 грн
50+483.83 грн
100+405.74 грн
250+397.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+204.89 грн
500+159.91 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 4508763.pdf
IGLD65R080D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+265.82 грн
500+219.78 грн
1000+174.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14552.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16569.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1
REF5GR4780AG6W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8103.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 Infineon-Engineering_Report_Evaluation_board_EVAL_5BR3995BZ_BUCK1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f5fb11157e
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7312.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 4098588.pdf
1ED3320MC12NXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.80 грн
250+133.23 грн
500+132.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e
EVALISSI20R02HCSTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13743.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 3215551.pdf
AIMW120R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2327.07 грн
5+2315.59 грн
10+2304.11 грн
50+1401.48 грн
100+1279.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 4146093.pdf
KITMOTORDC250W24VTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9504.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.67 грн
10+170.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.80 грн
500+54.12 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf
IGB03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.87 грн
500+65.85 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1
IGT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+654.41 грн
50+546.98 грн
100+469.33 грн
250+460.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 4406520.pdf
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.20 грн
500+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 4520238.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.85 грн
10+114.81 грн
100+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.29 грн
10+88.31 грн
100+68.80 грн
500+54.12 грн
1000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 4520237.pdf
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.46 грн
10+132.47 грн
100+105.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.60 грн
500+167.29 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1 Infineon-IGB070S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e29d6f6e
IGB070S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.28 грн
10+177.51 грн
100+142.19 грн
500+110.71 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf
IGB03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.07 грн
10+101.56 грн
100+81.87 грн
500+65.85 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+241.10 грн
500+198.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.33 грн
10+269.36 грн
100+214.60 грн
500+167.29 грн
1000+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+687.97 грн
10+603.18 грн
100+526.35 грн
500+440.37 грн
1000+376.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 4406520.pdf
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.71 грн
10+194.29 грн
100+157.20 грн
500+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC142GOTOBO1 4421671.pdf
KITXMC142GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC142GOTOBO1 - Evaluationsboard, XMC1404-Q040X0200, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: XMC1404-Q040X0200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1400
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC1404-Q040X0200
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.31 грн
5+1057.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20829B0-P4TAI100 Infineon-CYW20829B0-P4TAI100_CYW20829B0-P4EPI100_AIROC_Bluetooth_LE_module-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d5df5d7d635e4
CYW20829B0-P4TAI100
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
Empfangsempfindlichkeit: -106dBm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+778.05 грн
5+729.47 грн
10+680.90 грн
50+597.00 грн
100+508.69 грн
250+484.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1106.57 грн
50+925.03 грн
100+793.31 грн
250+777.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA2XTMA1 3166332.pdf
TLI493DW2BWA2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA2XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.41 грн
250+64.19 грн
500+61.32 грн
1000+58.97 грн
2500+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4PBPSA1 INFNS28442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FP100R12KT4PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12KT4PBPSA1 - IGBT-Modul, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11166.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F144K1024AAXQMA1 3981003.pdf
XMC4800F144K1024AAXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4800F144K1024AAXQMA1 - MCU, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 144MHz, 200kB RAM / 1MB Programmspeicher, 3.13V bis 3.63Vin, LQFP-144
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 144MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 200KB
MCU-Baureihe: XMC4800
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 119I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4800 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1988.83 грн
10+1662.07 грн
25+1577.29 грн
50+1413.78 грн
100+1256.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5102XUMA2 icl5102
ICL5102XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL5102XUMA2 - LED-TREIBER, HALBBRÜCKE, 1.3MHZ, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 17.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.5V
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.89 грн
250+90.84 грн
500+87.81 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 4018759.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.91 грн
500+74.79 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1 4018761.pdf
IQE004NE1LM7SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.81 грн
10+134.24 грн
100+101.56 грн
500+80.53 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 4018759.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.81 грн
10+131.59 грн
100+98.91 грн
500+74.79 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1 4018761.pdf
IQE004NE1LM7SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.56 грн
500+80.53 грн
1000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.53 грн
500+47.73 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBTQFPTOBO1 4334661.pdf
TLE989XEVALBTQFPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE989XEVALBTQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE989x, 32 Bit, ARM Cortex-M3
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: TLE989x
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: TLE989x
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE989x mit Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25436.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 415 416 417 418 419 420 421 422 423 424 425 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]