Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 256 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+535.20 грн
4+333.22 грн
10+315.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+420.37 грн
6+220.47 грн
15+200.88 грн
100+193.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2 IXTP460P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.63 грн
3+313.41 грн
6+204.69 грн
15+194.22 грн
100+187.56 грн
500+186.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.74 грн
6+219.93 грн
14+208.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.41 грн
10+120.62 грн
27+111.39 грн
50+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.00 грн
9+138.41 грн
24+126.62 грн
300+125.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.65 грн
5+235.30 грн
14+214.21 грн
500+205.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.05 грн
4+296.60 грн
11+270.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10P IXTP52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf IXTP56N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.73 грн
10+124.57 грн
26+113.30 грн
100+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.17 грн
4+341.09 грн
10+310.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+417.29 грн
5+235.16 грн
14+222.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+803.83 грн
3+572.44 грн
6+521.73 грн
50+513.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+690.02 грн
3+435.02 грн
8+397.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2 IXTP70N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4403F7996D820&compId=IXTA(P)70N075T2.pdf?ci_sign=0656d3eaf9da3cd72c5ad6e6291c34f2e42cafa2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10P IXTP75N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D5A933743E27&compId=IXTA75N10P-DTE.pdf?ci_sign=29c5960ed4596421bc0557caba4ef533fa0ac975 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTP76N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+544.43 грн
4+333.22 грн
10+315.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+659.26 грн
3+463.69 грн
7+421.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.93 грн
7+184.88 грн
18+168.51 грн
500+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_80n12t2_datasheet.pdf?assetguid=179b90c7-53dd-480f-a46b-1d7b2ae9347e IXTP80N12T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.87 грн
6+201.84 грн
16+190.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2M THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.64 грн
7+159.95 грн
20+151.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.96 грн
10+121.61 грн
27+110.44 грн
500+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+531.10 грн
4+332.27 грн
10+313.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXTQ10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+677.72 грн
3+415.24 грн
8+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10P IXTQ110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf IXTQ120N15P THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+783.32 грн
3+495.07 грн
7+468.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+829.46 грн
2+703.94 грн
5+639.78 грн
120+615.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+861.25 грн
3+543.63 грн
6+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXTQ14N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF3FD8C429820&compId=IXTA(P%2CQ)14N60P.pdf?ci_sign=6554e46a5935d8c3dafc1333256ae865a9571c1d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+579.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1035.55 грн
2+655.97 грн
5+619.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13D3820&compId=IXTQ18N60P.pdf?ci_sign=451a7a0d0279ef24fd00f72f013c8b54076ab464 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+765.89 грн
3+412.28 грн
8+376.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+512.65 грн
4+312.42 грн
11+284.67 грн
510+283.71 грн
1020+273.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P IXYS Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf IXTQ22N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P IXTQ26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.91 грн
3+437.00 грн
8+397.96 грн
30+390.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60P IXTQ26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+642.86 грн
3+413.27 грн
8+376.06 грн
120+364.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L IXTQ30N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC3D89D624D820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L.pdf?ci_sign=148e8656aef61e8e89994d694bfbdce963d3e1bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50P IXTQ30N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDAF0724A63820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N50P_S.pdf?ci_sign=b0a2a8b28d29ba2fa3f8f325d68e4d8a519a9217 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf IXTQ32N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+828.44 грн
2+583.32 грн
3+560.76 грн
6+530.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30P IXTQ36N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF906B09D5DD9E27&compId=IXTA36N30P-DTE.pdf?ci_sign=efd75c498f499d820170bf97b7322d8ea4c63184 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P IXTQ36N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC503657D27820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)36N50P_S.pdf?ci_sign=17f0299f0cfe8dfdd510cfa36f130136758aa83f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+881.75 грн
2+759.30 грн
5+691.19 грн
10+664.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 IXTQ36P15P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150M IXTQ3N150M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2 IXTQ40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.20 грн
4+333.22 грн
10+315.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.37 грн
6+220.47 грн
15+200.88 грн
100+193.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6
IXTP460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6
IXTP48N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.63 грн
3+313.41 грн
6+204.69 грн
15+194.22 грн
100+187.56 грн
500+186.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
Виробник: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.74 грн
6+219.93 грн
14+208.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.41 грн
10+120.62 грн
27+111.39 грн
50+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.00 грн
9+138.41 грн
24+126.62 грн
300+125.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.65 грн
5+235.30 грн
14+214.21 грн
500+205.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.05 грн
4+296.60 грн
11+270.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTP52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
Виробник: IXYS
IXTP56N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.73 грн
10+124.57 грн
26+113.30 грн
100+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.17 грн
4+341.09 грн
10+310.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.29 грн
5+235.16 грн
14+222.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+803.83 грн
3+572.44 грн
6+521.73 грн
50+513.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.02 грн
3+435.02 грн
8+397.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4403F7996D820&compId=IXTA(P)70N075T2.pdf?ci_sign=0656d3eaf9da3cd72c5ad6e6291c34f2e42cafa2
IXTP70N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D5A933743E27&compId=IXTA75N10P-DTE.pdf?ci_sign=29c5960ed4596421bc0557caba4ef533fa0ac975
IXTP75N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Виробник: IXYS
IXTP76N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.43 грн
4+333.22 грн
10+315.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.26 грн
3+463.69 грн
7+421.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.93 грн
7+184.88 грн
18+168.51 грн
500+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_80n12t2_datasheet.pdf?assetguid=179b90c7-53dd-480f-a46b-1d7b2ae9347e
Виробник: IXYS
IXTP80N12T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.87 грн
6+201.84 грн
16+190.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: IXYS
IXTP8N70X2M THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.64 грн
7+159.95 грн
20+151.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.96 грн
10+121.61 грн
27+110.44 грн
500+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.10 грн
4+332.27 грн
10+313.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTQ10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.72 грн
3+415.24 грн
8+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033
IXTQ110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ120N15P THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.32 грн
3+495.07 грн
7+468.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+829.46 грн
2+703.94 грн
5+639.78 грн
120+615.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.25 грн
3+543.63 грн
6+514.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd
IXTQ140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDF3FD8C429820&compId=IXTA(P%2CQ)14N60P.pdf?ci_sign=6554e46a5935d8c3dafc1333256ae865a9571c1d
IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTQ16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1035.55 грн
2+655.97 грн
5+619.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13D3820&compId=IXTQ18N60P.pdf?ci_sign=451a7a0d0279ef24fd00f72f013c8b54076ab464
IXTQ18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.89 грн
3+412.28 грн
8+376.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTQ22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.65 грн
4+312.42 грн
11+284.67 грн
510+283.71 грн
1020+273.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ22N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTQ26N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.91 грн
3+437.00 грн
8+397.96 грн
30+390.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e
IXTQ26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.86 грн
3+413.27 грн
8+376.06 грн
120+364.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC3D89D624D820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L.pdf?ci_sign=148e8656aef61e8e89994d694bfbdce963d3e1bd
IXTQ30N50L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00
IXTQ30N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDAF0724A63820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N50P_S.pdf?ci_sign=b0a2a8b28d29ba2fa3f8f325d68e4d8a519a9217
IXTQ30N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ32N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ32N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.44 грн
2+583.32 грн
3+560.76 грн
6+530.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF906B09D5DD9E27&compId=IXTA36N30P-DTE.pdf?ci_sign=efd75c498f499d820170bf97b7322d8ea4c63184
IXTQ36N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC503657D27820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)36N50P_S.pdf?ci_sign=17f0299f0cfe8dfdd510cfa36f130136758aa83f
IXTQ36N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.75 грн
2+759.30 грн
5+691.19 грн
10+664.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
Виробник: IXYS
IXTQ36P15P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ3N150M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f
IXTQ3N150M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTQ40N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]