Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYH12N250C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH12N250CV1HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH16N170C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH16N170CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH16N250C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH16N250CV1HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH20N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 96A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 0.22µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH20N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 88A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 0.22µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXYH20N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH24N170C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH24N170CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH24N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 110A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Power dissipation: 240W Gate charge: 40nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH24N90C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Power dissipation: 200W Gate charge: 40nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH25N250CHV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH30N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 145A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH30N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 133A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH30N170C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH30N450HV | IXYS | IXYH30N450HV THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH30N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH30N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-off time: 411ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-off time: 411ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Pulsed collector current: 175A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-off time: 303ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-off time: 303ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 195A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Turn-off time: 350ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 160ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH40N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH40N90C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH40N90C3D1 | IXYS | IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors |
на замовлення 216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXYH50N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH50N120C3D1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXYH50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH50N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH50N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXYH60N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 310A Turn-on time: 104ns Turn-off time: 268ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYH75N120B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.15kW Kind of package: tube Gate charge: 157nC Technology: GenX4™; XPT™ Case: TO247; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH75N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYH75N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 750W Gate charge: 123nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH80N90C3 | IXYS | IXYH80N90C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYH82N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH85N120A4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.15kW Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: GenX4™; Trench™; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 85A Pulsed collector current: 520A Turn-on time: 73ns Turn-off time: 990ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYH8N250C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYH8N250CHV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 70A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 328ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 280W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 45nC Technology: XPT™ Mounting: THT Case: TO247HV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYH8N250CV1HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYJ20N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 105W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 21A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 20ns Turn-off time: 90ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYK100N120C3 | IXYS | IXYK100N120C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYK120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYK140N90C3 | IXYS | IXYK140N90C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYK200N65B3 | IXYS | IXYK200N65B3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYL40N250CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYL60N450 | IXYS | IXYL60N450 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN100N120B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN100N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYN100N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 62A Pulsed collector current: 440A Power dissipation: 690W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYN100N65A3 | IXYS | IXYN100N65A3 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN100N65B3D1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN100N65C3H1 | IXYS | IXYN100N65C3H1 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYN120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 1.2kW Case: SOT227B Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYN150N60B3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 830W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 750A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYN30N170CV1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B Technology: XPT™ Power dissipation: 680W Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 275A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXYH12N250C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH12N250C THT IGBT transistors
IXYH12N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH12N250CV1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH16N170C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH16N170C THT IGBT transistors
IXYH16N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH16N170CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH16N250C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH16N250C THT IGBT transistors
IXYH16N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH16N250CV1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH20N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 781.49 грн |
2+ | 698.62 грн |
5+ | 635.97 грн |
30+ | 628.80 грн |
120+ | 611.75 грн |
IXYH20N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH24N170C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH24N170C THT IGBT transistors
IXYH24N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH24N170CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH24N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH24N90C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH25N250CHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N170C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N170C THT IGBT transistors
IXYH30N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N450HV |
Виробник: IXYS
IXYH30N450HV THT IGBT transistors
IXYH30N450HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N90C3D1 |
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 886.79 грн |
2+ | 565.11 грн |
6+ | 533.72 грн |
IXYH50N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1284.78 грн |
2+ | 810.89 грн |
4+ | 766.94 грн |
IXYH50N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 882.92 грн |
2+ | 610.13 грн |
5+ | 555.24 грн |
IXYH60N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 938.95 грн |
2+ | 563.56 грн |
6+ | 513.08 грн |
120+ | 508.60 грн |
IXYH75N120B4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH75N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH75N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH80N90C3 |
Виробник: IXYS
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH82N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH85N120A4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH8N250C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250C THT IGBT transistors
IXYH8N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH8N250CHV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1691.47 грн |
2+ | 1542.56 грн |
IXYH8N250CV1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYJ20N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK100N120C3 |
Виробник: IXYS
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2522.23 грн |
2+ | 2299.87 грн |
IXYK140N90C3 |
Виробник: IXYS
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK200N65B3 |
Виробник: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYL40N250CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYL60N450 |
Виробник: IXYS
IXYL60N450 THT IGBT transistors
IXYL60N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3 IGBT modules
IXYN100N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3787.69 грн |
IXYN100N65A3 |
Виробник: IXYS
IXYN100N65A3 IGBT modules
IXYN100N65A3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N65C3H1 |
Виробник: IXYS
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN150N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN30N170CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.