Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16263) > Сторінка 256 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXFA220N06T3 IXYS IXxx220N06T3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXFH220N06T3 IXYS IXxx220N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRL IXTA120P065T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 65V; 298W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 298W
Polarisation: P
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS IXGK(X)72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA25P1600TA IXYS PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 25A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Gate current: 55/80mA
Max. forward voltage: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA425P1600PT-PC IXYS Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.6kV; 425A; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 425A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+621.74 грн
3+358.29 грн
8+338.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+849.41 грн
2+636.76 грн
5+601.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+638.20 грн
3+372.72 грн
8+352.34 грн
30+338.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS IXY_20N120C3_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRL IXYA20N120A4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS IXYT20N120C3D1HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL IXGA20N120A3-TRL IXYS PdfFile111734.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL IXGA20N120B3-TRL IXYS PdfFile534321.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV IXYA20N120A4HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV IXYA20N120B4HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO263HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRL IXYA20N120C3HV-TRL IXYS DS100484BIXYHPA20N120C3HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 278W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRL IXYA20N120C4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4 IXYP20N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4 IXYP20N120B4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4 IXYP20N120C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120c4-datasheet?assetguid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-120n120b3-datasheet?assetguid=18553f1c-eef0-4d23-a446-4aba83b01353 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 320A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3 IXGK120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS IXYN120N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G120N120A3V1 IXYS MMIX1G120N120A3V1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.06 грн
5+142.63 грн
25+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50N30L2 IXTH50N30L2 IXYS IXTH50N30L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXYS IXBOD2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; 2nd Gen; 400V; bulk
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD16130S-DKM2MM IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9a102cdc-ebef-4b54-afd4-1c80071a8ed8&filename=littelfuse_power_semiconductor_rectifier_module_circuit_package_s_datasheet.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.6kV; If: 130A; package S
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3.5kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 130A
Max. load current: 204A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: package S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS IXTH(T)10N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D IXTT10N100D IXYS IXTH(T)10N100D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2 IXTT10N100D2 IXYS IXTH(T)10N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+688.49 грн
3+565.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2760.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P IXFN32N80P IXYS IXFN32N80P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3 IXYS IXFN62N80Q3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P IXFK32N80P IXYS IXFK(X)32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80P IXFR32N80P IXYS IXFR32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.29Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80Q3 IXFR32N80Q3 IXYS IXFR32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFX32N80P IXYS IXFK(X)32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3 IXFX32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 CS19-12HO1 IXYS CS19-12HO1.pdf description Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.01 грн
3+185.93 грн
10+153.67 грн
50+123.11 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL CLA5E1200UC-TRL IXYS CLA5E1200UC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Gate current: 30/50mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.75 грн
10+138.39 грн
25+135.84 грн
100+126.50 грн
250+120.56 грн
500+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-12IO1M CS22-12IO1M IXYS CS22-12IO1M-DTE.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30mA; TO220FP; THT
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.3kA
Gate current: 30mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA15E1200NPB CLA15E1200NPB IXYS CLA15E1200NPB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 33A; 15A; Igt: 40mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 33A
Max. forward impulse current: 185A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: two gate polarities
Gate current: 40mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.75 грн
10+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127G IX2127G IXYS IX2127.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2 IXTK90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393GR CPC1393GR IXYS CPC1393.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
On-state resistance: 50Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.33 грн
10+243.67 грн
100+221.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GR CPC1394GR IXYS CPC1394.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+449.85 грн
5+237.72 грн
12+224.99 грн
500+219.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333GR IXYS CPC1333.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
On-state resistance: 30Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NC
Turn-on time: 2ms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.50 грн
10+216.50 грн
100+188.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GV CPC1394GV IXYS CPC1394.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Case: DIP4
Max. operating current: 90mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 40Ω
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+449.85 грн
100+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG450PF1700TSF IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 435A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SimBus F
Collector current: 435A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 253nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+616.26 грн
3+427.90 грн
7+404.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXxx220N06T3-DTE.pdf
IXFA220N06T3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXxx220N06T3-DTE.pdf
IXFH220N06T3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTA120P065T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 65V; 298W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 298W
Polarisation: P
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK(X)72N60B3H1.pdf
IXGK72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA25P1600TA PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 25A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Gate current: 55/80mA
Max. forward voltage: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA425P1600PT-PC
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.6kV; 425A; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 425A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGA20N120A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+621.74 грн
3+358.29 грн
8+338.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1.pdf
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+849.41 грн
2+636.76 грн
5+601.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGH20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+638.20 грн
3+372.72 грн
8+352.34 грн
30+338.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGA20N120B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXY_20N120C3_HV.pdf
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRL
IXYA20N120A4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV.pdf
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL PdfFile111734.pdf
IXGA20N120A3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL PdfFile534321.pdf
IXGA20N120B3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25
IXYA20N120A4HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e
IXYA20N120B4HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO263HV
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRL DS100484BIXYHPA20N120C3HV.pdf
IXYA20N120C3HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 278W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRL
IXYA20N120C4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYH20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25
IXYP20N120A4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e
IXYP20N120B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120c4-datasheet?assetguid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d
IXYP20N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-120n120b3-datasheet?assetguid=18553f1c-eef0-4d23-a446-4aba83b01353
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 320A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGK120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3.pdf
IXYN120N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G120N120A3V1 MMIX1G120N120A3V1.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTU4N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+170.06 грн
5+142.63 грн
25+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50N30L2 IXTH50N30L2.pdf
IXTH50N30L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; 2nd Gen; 400V; bulk
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD16130S-DKM2MM media?resourcetype=datasheets&itemid=9a102cdc-ebef-4b54-afd4-1c80071a8ed8&filename=littelfuse_power_semiconductor_rectifier_module_circuit_package_s_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.6kV; If: 130A; package S
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3.5kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 130A
Max. load current: 204A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: package S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH(T)10N100D2.pdf
IXTH10N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D IXTH(T)10N100D.pdf
IXTT10N100D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2 IXTH(T)10N100D2.pdf
IXTT10N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+688.49 грн
3+565.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXFB62N80Q3.pdf
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2760.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P IXFN32N80P.pdf
IXFN32N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3.pdf
IXFN62N80Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P IXFK(X)32N80P.pdf
IXFK32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80P IXFR32N80P.pdf
IXFR32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.29Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80Q3 IXFR32N80Q3.pdf
IXFR32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFK(X)32N80P.pdf
IXFX32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFX32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 description CS19-12HO1.pdf
CS19-12HO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.01 грн
3+185.93 грн
10+153.67 грн
50+123.11 грн
100+121.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL CLA5E1200UC.pdf
CLA5E1200UC-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Gate current: 30/50mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.75 грн
10+138.39 грн
25+135.84 грн
100+126.50 грн
250+120.56 грн
500+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-12IO1M CS22-12IO1M-DTE.pdf
CS22-12IO1M
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30mA; TO220FP; THT
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.3kA
Gate current: 30mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA15E1200NPB CLA15E1200NPB.pdf
CLA15E1200NPB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 33A; 15A; Igt: 40mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 33A
Max. forward impulse current: 185A
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: two gate polarities
Gate current: 40mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.75 грн
10+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX2127G IX2127.pdf
IX2127G
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -500÷250mA; Ch: 1; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...12V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTK90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393GR CPC1393.pdf
CPC1393GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 5ms
On-state resistance: 50Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.33 грн
10+243.67 грн
100+221.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GR CPC1394.pdf
CPC1394GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
Kind of output: MOSFET
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+449.85 грн
5+237.72 грн
12+224.99 грн
500+219.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333.pdf
CPC1333GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
On-state resistance: 30Ω
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Contacts configuration: SPST-NC
Turn-on time: 2ms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.50 грн
10+216.50 грн
100+188.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1394GV CPC1394.pdf
CPC1394GV
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Case: DIP4
Max. operating current: 90mA
Turn-off time: 3ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 40Ω
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+449.85 грн
100+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG450PF1700TSF
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 435A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SimBus F
Collector current: 435A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 253nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.26 грн
3+427.90 грн
7+404.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.