Результат пошуку "nm60" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF34NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF9NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STI13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL26NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL3NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP10NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60FD | ST |
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60FDFP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60ND | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP11NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP13NM60ND | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60FD | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60FD | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60FP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP20NM60FP | ST |
N-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FP кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP22NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP22NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STP22NM60N | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A STP22NM60N TSTP22NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP24NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP26NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP28NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP34NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP9NM60N | ST |
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU10NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STU7NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW20NM60 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW20NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW25NM60ND | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW26NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
STF34NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 431.04 грн |
3+ | 374.59 грн |
4+ | 287.42 грн |
10+ | 271.78 грн |
STF7NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.52 грн |
10+ | 121.99 грн |
25+ | 92.24 грн |
100+ | 83.67 грн |
500+ | 81.04 грн |
STF7NM60N |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.9 грн |
STF9NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.08 грн |
10+ | 162.9 грн |
100+ | 112.66 грн |
250+ | 111.35 грн |
500+ | 94.87 грн |
1000+ | 80.38 грн |
2000+ | 76.43 грн |
STI13NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.59 грн |
10+ | 109.86 грн |
100+ | 77.74 грн |
250+ | 71.81 грн |
500+ | 65.56 грн |
1000+ | 55.67 грн |
2000+ | 52.97 грн |
STL26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 359.73 грн |
10+ | 297.01 грн |
25+ | 244.43 грн |
100+ | 209.51 грн |
250+ | 197.66 грн |
500+ | 186.45 грн |
1000+ | 159.44 грн |
STL3NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.25 грн |
10+ | 72.59 грн |
100+ | 61.67 грн |
STP10NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.31 грн |
10+ | 175.78 грн |
25+ | 119.25 грн |
100+ | 108.71 грн |
250+ | 98.17 грн |
500+ | 94.22 грн |
1000+ | 90.26 грн |
STP11NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 167.77 грн |
5+ | 140.01 грн |
8+ | 107.75 грн |
21+ | 101.57 грн |
STP11NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.33 грн |
5+ | 174.47 грн |
8+ | 129.3 грн |
21+ | 121.89 грн |
STP11NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 291.32 грн |
10+ | 241.7 грн |
25+ | 206.22 грн |
100+ | 170.64 грн |
250+ | 167.35 грн |
500+ | 154.17 грн |
1000+ | 128.48 грн |
STP11NM60FD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.91 грн |
9+ | 97.46 грн |
23+ | 91.96 грн |
STP11NM60FD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.16 грн |
3+ | 155.65 грн |
9+ | 116.95 грн |
23+ | 110.36 грн |
STP11NM60FD |
Виробник: ST
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 102.26 грн |
STP11NM60FDFP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 252.12 грн |
10+ | 247 грн |
25+ | 205.56 грн |
1000+ | 162.08 грн |
STP11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.99 грн |
9+ | 88.53 грн |
25+ | 83.73 грн |
STP11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.85 грн |
3+ | 144.54 грн |
9+ | 106.24 грн |
25+ | 100.47 грн |
STP11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.4 грн |
STP11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.22 грн |
10+ | 188.66 грн |
25+ | 156.15 грн |
100+ | 140.99 грн |
250+ | 135.06 грн |
500+ | 129.79 грн |
1000+ | 129.13 грн |
STP13NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.47 грн |
10+ | 76.87 грн |
13+ | 65.89 грн |
34+ | 62.45 грн |
STP13NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.76 грн |
10+ | 92.24 грн |
13+ | 79.06 грн |
34+ | 74.94 грн |
STP13NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 236.75 грн |
10+ | 232.61 грн |
25+ | 176.57 грн |
100+ | 160.1 грн |
250+ | 158.78 грн |
500+ | 133.75 грн |
STP13NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 83.78 грн |
STP13NM60N |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.24 грн |
STP13NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.89 грн |
STP18NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.32 грн |
10+ | 116.68 грн |
100+ | 90.92 грн |
500+ | 81.7 грн |
1000+ | 75.11 грн |
2000+ | 72.47 грн |
5000+ | 70.5 грн |
STP20NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 408.16 грн |
10+ | 387.93 грн |
25+ | 283.96 грн |
100+ | 253.66 грн |
250+ | 249.7 грн |
500+ | 225.33 грн |
1000+ | 203.58 грн |
STP20NM60FD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 218.77 грн |
3+ | 175.69 грн |
6+ | 140.01 грн |
16+ | 131.77 грн |
STP20NM60FD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.05 грн |
STP20NM60FD |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 448.13 грн |
10+ | 378.08 грн |
25+ | 259.59 грн |
100+ | 245.09 грн |
250+ | 236.53 грн |
500+ | 225.99 грн |
1000+ | 212.15 грн |
STP20NM60FP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.41 грн |
10+ | 465.21 грн |
25+ | 284.62 грн |
100+ | 262.22 грн |
250+ | 260.25 грн |
500+ | 239.82 грн |
1000+ | 224.67 грн |
STP20NM60FP |
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 151.69 грн |
STP22NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 276.72 грн |
10+ | 214.42 грн |
25+ | 152.85 грн |
100+ | 137.04 грн |
500+ | 126.5 грн |
1000+ | 114.64 грн |
STP22NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STP22NM60N |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 109.45 грн |
STP24NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.48 грн |
9+ | 92.65 грн |
STP24NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.84 грн |
3+ | 151.38 грн |
9+ | 111.18 грн |
24+ | 104.59 грн |
STP24NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 226.75 грн |
10+ | 194.72 грн |
25+ | 135.06 грн |
100+ | 120.57 грн |
500+ | 119.91 грн |
1000+ | 100.8 грн |
2000+ | 94.22 грн |
STP26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.43 грн |
3+ | 160.59 грн |
7+ | 122.16 грн |
18+ | 115.99 грн |
STP26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.71 грн |
3+ | 200.13 грн |
7+ | 146.59 грн |
18+ | 139.18 грн |
STP26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 437.37 грн |
10+ | 369.75 грн |
100+ | 268.15 грн |
500+ | 236.53 грн |
1000+ | 202.93 грн |
STP26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.8 грн |
STP28NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 460.43 грн |
10+ | 434.91 грн |
25+ | 315.59 грн |
100+ | 282.65 грн |
250+ | 266.18 грн |
500+ | 254.32 грн |
1000+ | 222.03 грн |
STP34NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 324.46 грн |
3+ | 271.09 грн |
4+ | 226.48 грн |
10+ | 214.13 грн |
STP34NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 389.36 грн |
3+ | 337.82 грн |
4+ | 271.78 грн |
10+ | 256.95 грн |
250+ | 247.07 грн |
STP34NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 375.87 грн |
STP34NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 689.49 грн |
10+ | 582.65 грн |
25+ | 459.88 грн |
100+ | 422.32 грн |
250+ | 397.29 грн |
500+ | 372.25 грн |
1000+ | 335.36 грн |
STP34NM60N |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.53 грн |
STP34NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 601.09 грн |
10+ | 587.96 грн |
25+ | 449.34 грн |
100+ | 421.66 грн |
250+ | 418.37 грн |
500+ | 361.71 грн |
STP9NM60N |
Виробник: ST
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n
кількість в упаковці: 10 шт
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET STP9NM60N TSTP9nm60n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.38 грн |
STU10NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 88.69 грн |
5+ | 57.3 грн |
25+ | 39.61 грн |
67+ | 37.47 грн |
STU10NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STU7NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.57 грн |
10+ | 105.32 грн |
100+ | 82.36 грн |
250+ | 80.38 грн |
500+ | 72.47 грн |
1000+ | 63.71 грн |
3000+ | 62.59 грн |
STW20NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 274.94 грн |
3+ | 237.76 грн |
6+ | 175.42 грн |
15+ | 165.54 грн |
STW20NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.41 грн |
STW20NM60 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 336.67 грн |
10+ | 331.11 грн |
25+ | 251.02 грн |
100+ | 233.89 грн |
250+ | 218.74 грн |
600+ | 202.27 грн |
STW25NM60ND |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 248.83 грн |
STW26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 497.56 грн |
3+ | 413.08 грн |
4+ | 262.72 грн |
10+ | 248.72 грн |
STW26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 494.25 грн |
10+ | 481.13 грн |
25+ | 341.94 грн |
100+ | 308.34 грн |
250+ | 284.62 грн |
600+ | 239.16 грн |
STW26NM60N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.32 грн |