НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT0036-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.5°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 49.56 / 350
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 720
товар відсутній
GT0043Marathon MotorsDescription: 1800RPM, 75HP, 3PH, 230/460V, 36
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 208 ~ 230/460VAC
Function: Standard
RPM: 1800 RPM
Type: AC Motor
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376184.91 грн
GT0072-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.25°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 99.1 / 700
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 1440
товар відсутній
GT01-C100R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C100R4-8P - RS-422-KABEL, 10M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C10R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C10R4-8P - RS-422-KABEL, 1M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2424.62 грн
GT01-C30R2-6PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R2-6P - RS-232-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-232
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C30R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R4-8P - RS-422-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
tariffCode: 85444290
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
usEccn: EAR99
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4913.96 грн
GT0100N/A00+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0100-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.18°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 141.63 / 1000
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 2000
товар відсутній
GT013N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
товар відсутній
GT013N04TIGoford SemiconductorDescription: N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3986 pF @ 20 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.25 грн
10+ 77.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.06 грн
10+ 211.06 грн
100+ 170.78 грн
500+ 142.46 грн
1000+ 121.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+127.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+105.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.07 грн
10+ 43.92 грн
100+ 30.43 грн
500+ 23.86 грн
1000+ 20.31 грн
2000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товар відсутній
GT019N04D5
Код товару: 200326
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.68 грн
15000+ 15.62 грн
30000+ 13.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT02-110-019ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.1 грн
10+ 256.18 грн
25+ 202.22 грн
100+ 145.86 грн
250+ 137.9 грн
500+ 128.62 грн
1000+ 120.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0200-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Packaging: Bulk
Features: Flatted Shaft
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.09°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 4000
товар відсутній
GT020Z-2POWER ONE07+
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.02 грн
10+ 176.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+94.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.09 грн
10+ 188.54 грн
100+ 152.57 грн
500+ 127.28 грн
1000+ 108.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.9 грн
10+ 93.1 грн
100+ 74.1 грн
500+ 58.84 грн
1000+ 49.93 грн
2000+ 47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.58 грн
15000+ 38.77 грн
30000+ 34.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+52.11 грн
8000+ 48.63 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.6 грн
10+ 90.2 грн
100+ 71.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AM6Goford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.75 грн
10+ 91.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.89 грн
15000+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.49 грн
10+ 96.2 грн
100+ 76.62 грн
500+ 60.84 грн
1000+ 51.62 грн
2000+ 49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
товар відсутній
GT03-111-034-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 169-178 дні (днів)
2+307.08 грн
10+ 247.8 грн
100+ 159.12 грн
500+ 134.59 грн
5000+ 128.62 грн
10000+ 123.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-052-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT03-111-069-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.12 грн
10+ 242.46 грн
100+ 151.16 грн
1000+ 127.96 грн
5000+ 125.97 грн
10000+ 121.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-110-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.21 грн
10+ 274.48 грн
25+ 216.8 грн
100+ 155.8 грн
250+ 147.19 грн
500+ 138.57 грн
1000+ 129.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-122-055-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Xfmr 1:2.5:2.5
товар відсутній
GT0300-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.06°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 6000
товар відсутній
GT030N08TGoford SemiconductorDescription: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-120Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN RCPT MALE 4POS SILVER SCREW
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 80 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT0312-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0312 DIA. X 9IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.031" Dia x 9.000" L (0.78mm x 228.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.28 грн
5+ 549.05 грн
10+ 524.88 грн
25+ 475.08 грн
50+ 463.41 грн
GT035N06TGoford SemiconductorDescription: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.15 грн
10+ 124.93 грн
100+ 100.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.45 грн
10+ 145.24 грн
100+ 115.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
товар відсутній
GT035N10QGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.74 грн
10+ 176.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10TGoford SemiconductorDescription: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.3 грн
10+ 143.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-063-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.74 грн
10+ 232.55 грн
120+ 144.53 грн
240+ 141.22 грн
600+ 135.25 грн
1080+ 131.27 грн
2880+ 126.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-126-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 179-188 дні (днів)
1+309.4 грн
10+ 250.08 грн
100+ 155.14 грн
250+ 152.49 грн
500+ 146.52 грн
1000+ 141.88 грн
2880+ 135.92 грн
GT04-111-126-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.4 грн
10+ 250.08 грн
120+ 155.14 грн
240+ 151.83 грн
600+ 145.86 грн
1080+ 141.22 грн
2880+ 135.92 грн
GT04-111-189-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.3 грн
10+ 279.82 грн
100+ 174.37 грн
250+ 171.05 грн
500+ 163.76 грн
1000+ 158.46 грн
2000+ 153.15 грн
GT04-111-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.26 грн
10+ 318.7 грн
120+ 198.9 грн
240+ 194.26 грн
600+ 186.97 грн
1080+ 181 грн
2880+ 174.37 грн
GT04-111-252-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.3 грн
10+ 313.37 грн
120+ 195.58 грн
240+ 190.94 грн
600+ 183.65 грн
1080+ 177.68 грн
2880+ 171.72 грн
GT04-111-315-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-111-315-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.92 грн
10+ 337 грн
100+ 210.17 грн
250+ 205.53 грн
500+ 197.57 грн
1000+ 190.94 грн
2000+ 184.31 грн
GT04-111-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.97 грн
10+ 344.63 грн
100+ 214.81 грн
1000+ 182.32 грн
5000+ 179.67 грн
10000+ 172.38 грн
GT04-111-378-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.22 грн
10+ 324.8 грн
120+ 202.22 грн
240+ 197.57 грн
600+ 189.62 грн
1080+ 183.65 грн
2880+ 177.68 грн
GT04-122-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-122-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT0410EMFAIRCHIL..09+ SOP14
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0410EMFairchild04+05+ SOIC-14
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0416AMarathon MotorsDescription: MOTOR 7.5HP 1750RPM 213JM DPPE 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товар відсутній
GT042P06TGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 130
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.64 грн
10+ 97.79 грн
100+ 77.87 грн
500+ 61.84 грн
1000+ 52.47 грн
2000+ 49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.49 грн
10+ 96.2 грн
100+ 76.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.9 грн
10+ 93.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0468-60Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0468 DIA. X 6IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.046" Dia x 6.000" L (1.18mm x 152.40mm)
Part Status: Active
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.29 грн
5+ 520.04 грн
10+ 497.25 грн
25+ 450.45 грн
GT05-14SAmphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Rcpt 14S Shell Rvs Bay Cpling Conn
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6990.89 грн
5+ 6700.41 грн
10+ 5640.14 грн
25+ 5464.45 грн
GT05-20(025)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Receptacle
товар відсутній
GT05AIDTQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT05AIDTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT06-111-049ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.55 грн
10+ 292.02 грн
25+ 230.72 грн
100+ 165.75 грн
250+ 156.47 грн
400+ 147.19 грн
800+ 137.9 грн
GT06-111-100ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 17587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.15 грн
10+ 301.17 грн
25+ 238.02 грн
100+ 172.38 грн
250+ 161.77 грн
500+ 152.49 грн
1200+ 143.21 грн
GT06-122-053ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.5 грн
10+ 209.67 грн
100+ 127.3 грн
250+ 109.4 грн
500+ 103.43 грн
1200+ 94.15 грн
2400+ 90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.1 грн
15000+ 10.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3GOFORD SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 13550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.03 грн
10+ 36.12 грн
100+ 25.04 грн
500+ 19.63 грн
1000+ 16.71 грн
2000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.6 грн
10000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
10+ 34.26 грн
100+ 23.7 грн
500+ 18.58 грн
1000+ 15.81 грн
2000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
товар відсутній
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.49 грн
10+ 41.3 грн
100+ 28.62 грн
500+ 22.44 грн
1000+ 19.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.66 грн
10+ 44.61 грн
100+ 34.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.6 грн
10+ 89.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0625-180Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 18IN LG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.34 грн
5+ 1021.99 грн
10+ 976.68 грн
GT0625-240Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 24IN LG
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1633.04 грн
5+ 1415.78 грн
10+ 1353.14 грн
25+ 1225.32 грн
GT0625-30Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 3IN LG
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.08 грн
5+ 230.81 грн
10+ 220.31 грн
25+ 199.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0625-360Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 36IN LG
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT0625-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 5IN LG
товар відсутній
GT0625-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 9IN LG
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.3 грн
5+ 462.86 грн
10+ 442.69 грн
25+ 401.03 грн
50+ 391.22 грн
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товар відсутній
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.12 грн
10+ 81.01 грн
100+ 64.51 грн
500+ 51.22 грн
1000+ 43.46 грн
2000+ 41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT065P06TGoford SemiconductorDescription: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.45 грн
10+ 87.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT06PCM32-ARS-120(36OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 30 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 30A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12218.72 грн
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 40A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 40 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 50 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 70 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 70A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT07-110-013ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 100uH 1:1 6250Vac
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.72 грн
10+ 244.75 грн
25+ 193.6 грн
100+ 139.23 грн
250+ 137.24 грн
500+ 116.69 грн
1000+ 115.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT07-110-027ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 340uH 1:1.1 6250Vac
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.26 грн
10+ 320.23 грн
25+ 252.6 грн
100+ 182.32 грн
250+ 172.38 грн
500+ 161.11 грн
1000+ 151.16 грн
GT0781-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0781 DIA. X 5IN LG
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.97 грн
5+ 483.85 грн
10+ 462.17 грн
25+ 418.69 грн
GT080N08D5Goford SemiconductorDescription: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.99 грн
10+ 81.77 грн
100+ 63.57 грн
500+ 50.57 грн
1000+ 41.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.41 грн
10+ 80.46 грн
100+ 64.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2257 pF @ 50 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.41 грн
10+ 80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT080N10TIGoford SemiconductorDescription: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товар відсутній
GT08885PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08885 - Heizgerät rohrförmig 1ft, 45W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 45W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 1ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1336.52 грн
3+ 1229.42 грн
GT08886PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08886 - Heizgerät rohrförmig 2ft, 80W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 80W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 2ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1608.73 грн
3+ 1475.6 грн
GT08887/GT08609PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08887/GT08609 - Heizgerät rohrförmig 3ft, 135W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 135W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 3ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2155.39 грн
3+ 1975.4 грн
GT08892PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08892 - Schutz für Heizung 2ft
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
HLK-Typ: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2087.71 грн
3+ 1999.2 грн
GT088N06TGoford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 30 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.13 грн
10+ 59.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06D52GOFORD SemiconductorDual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.3 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.44 грн
500+ 36.94 грн
1000+ 30.09 грн
2000+ 28.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
товар відсутній
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.09 грн
15000+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.94 грн
10+ 46.89 грн
100+ 32.46 грн
500+ 25.46 грн
1000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товар відсутній
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.89 грн
15000+ 14.16 грн
30000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT090N06SGoford SemiconductorDescription: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товар відсутній
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.25 грн
13+ 22.24 грн
100+ 15.45 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 9.2 грн
2000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.45 грн
10+ 32.11 грн
100+ 22.31 грн
500+ 16.35 грн
1000+ 13.29 грн
2000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.6 грн
10000+ 26.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.72 грн
15000+ 19.33 грн
30000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5GOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 14841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.15 грн
10+ 57.18 грн
100+ 44.49 грн
500+ 35.39 грн
1000+ 28.83 грн
2000+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.89 грн
10+ 68.1 грн
100+ 53.09 грн
500+ 41.15 грн
1000+ 32.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10SGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.88 грн
16000+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000