Продукція > IMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMT-BT Office DockingADLINK TechnologyModules Accessories Office Docking No adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT rubber jacket boxADLINK TechnologyModules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT Vehicle DockingADLINK TechnologyModules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.448PBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.752S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.753SBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT.753S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.756.6S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02PHILIPS03+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02061Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02063Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02067Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02069Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1ROHM04+ SOT-23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT12PM.38HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHM09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHMSOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T208Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SEMICONDUCTORIMT18T110 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.21 грн
11+32.38 грн
100+21.04 грн
500+16.53 грн
1000+12.78 грн
3000+10.94 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110ROHMSOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SEMICONDUCTORIMT1AT110 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.32 грн
21+17.07 грн
100+8.49 грн
1000+7.35 грн
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+7.57 грн
1656+7.32 грн
2500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.59 грн
16+21.04 грн
100+13.32 грн
500+9.36 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.81 грн
49+17.85 грн
100+10.04 грн
500+8.61 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1T109SOT163-T1ROHM
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2ROHM09+
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2/T2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-24-5BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-300-15BTC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-48-12MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT210-300-2.1BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AROHM09+
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.25 грн
11+30.53 грн
100+21.18 грн
500+15.52 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65
Manufacturer series: Mureva U56
Mounting: wall mount
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 39mm
Dimension X: 87mm
Dimension Y: 87mm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65
Manufacturer series: Mureva U56
Mounting: wall mount
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 39mm
Dimension X: 87mm
Dimension Y: 87mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+430.54 грн
5+378.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 45mm
Dimension X: 65mm
Dimension Y: 75mm
Manufacturer series: Mureva U56
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+537.66 грн
5+460.85 грн
10+434.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 45mm
Dimension X: 65mm
Dimension Y: 75mm
Manufacturer series: Mureva U56
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.05 грн
5+369.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34127SCHNEIDER ELECTRICIMT34127 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1193.77 грн
2+846.44 грн
4+800.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICIMT35000 Junction boxes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+758.08 грн
3+537.51 грн
6+508.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICIMT35021 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1511.01 грн
2+1072.16 грн
3+1013.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICIMT35023 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1142.93 грн
3+1080.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Manufacturer series: Multifix Air
Version: with lighting plug
Kit contents: cover
Type of enclosure: junction box
IP rating: IP40
Mounting: plaster embedded
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1446.12 грн
2+1121.34 грн
3+1020.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Manufacturer series: Multifix Air
Version: with lighting plug
Kit contents: cover
Type of enclosure: junction box
IP rating: IP40
Mounting: plaster embedded
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.10 грн
2+899.84 грн
3+850.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Manufacturer series: Multifix Air
Kit contents: cover
Version: with lighting plug
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Dimension Z: 40mm
Diameter: 71mm
Number of sockets: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1244.24 грн
3+1134.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Manufacturer series: Multifix Air
Kit contents: cover
Version: with lighting plug
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Dimension Z: 40mm
Diameter: 71mm
Number of sockets: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.87 грн
3+910.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Manufacturer series: Multifix Air
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1204.07 грн
2+934.61 грн
4+850.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Manufacturer series: Multifix Air
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1003.39 грн
2+750.00 грн
4+708.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35032SCHNEIDER ELECTRICIMT35032 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.35 грн
7+178.85 грн
18+169.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICIMT35033 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1434.64 грн
3+1357.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICIMT35034 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+809.58 грн
2+573.86 грн
6+543.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICIMT35036 Conduits accessories
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.92 грн
10+119.55 грн
26+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 20mm
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.19 грн
5+113.18 грн
10+102.82 грн
26+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 20mm
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.83 грн
5+141.04 грн
10+123.38 грн
26+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICIMT35038 Conduits accessories
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.19 грн
9+126.25 грн
25+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICIMT35043 Measuring Tools
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+756.54 грн
5+715.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36154Schneider ElectricDescription: SEAL GLAND JPEM25
Packaging: Bulk
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36157Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM24M16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36158Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM34M20
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36159Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM45M25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider ElectricDescription: PLUG GLAND TPEM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Plug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.13 грн
25+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM12
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.94 грн
25+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.22 грн
25+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.07 грн
25+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.28 грн
25+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM20
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.23 грн
25+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.84 грн
25+79.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+110.21 грн
25+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.84 грн
10+207.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM32
Packaging: Bulk
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.70 грн
10+166.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.81 грн
4+345.64 грн
10+314.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM40
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184APC by Schneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+366.51 грн
4+277.36 грн
10+262.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.47 грн
2+573.06 грн
5+541.98 грн
10+533.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+774.56 грн
2+714.12 грн
5+650.37 грн
10+639.85 грн
25+625.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37303SCHNEIDER ELECTRICIMT37303 Grommets
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+103.00 грн
20+72.69 грн
45+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37311SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 29mm; EPDM; grey
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 29mm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+132.18 грн
10+98.83 грн
30+93.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37311SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 29mm; EPDM; grey
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 29mm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+158.62 грн
10+123.16 грн
30+111.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.80 грн
16+20.48 грн
100+10.31 грн
500+8.57 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3T108
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4ROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4 T108ROHMSOT173
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-12BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-24BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1039.44 грн
50+863.97 грн
100+765.14 грн
250+727.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.24 грн
10+859.83 грн
100+803.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1255.09 грн
10+990.78 грн
100+745.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1259.18 грн
5+1149.31 грн
10+1039.44 грн
50+863.97 грн
100+765.14 грн
250+727.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+810.27 грн
50+670.30 грн
100+592.25 грн
250+562.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.28 грн
10+745.29 грн
100+560.85 грн
500+531.01 грн
1000+462.15 грн
2000+451.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.25 грн
5+907.26 грн
10+810.27 грн
50+670.30 грн
100+592.25 грн
250+562.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.60 грн
10+731.51 грн
100+613.23 грн
500+529.84 грн
1000+515.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.74 грн
5+669.50 грн
10+597.40 грн
50+501.33 грн
100+409.79 грн
250+392.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+597.40 грн
50+501.33 грн
100+409.79 грн
250+392.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.15 грн
10+531.61 грн
25+493.52 грн
100+423.86 грн
250+405.13 грн
500+393.84 грн
1000+378.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.19 грн
10+582.50 грн
100+422.36 грн
500+376.45 грн
1000+335.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+272.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.94 грн
10+440.84 грн
100+319.83 грн
500+286.93 грн
2000+243.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.10 грн
5+522.72 грн
10+457.49 грн
50+382.57 грн
100+312.68 грн
250+294.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+457.49 грн
50+382.57 грн
100+312.68 грн
250+294.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.47 грн
10+382.33 грн
25+353.62 грн
100+302.20 грн
250+288.07 грн
500+279.55 грн
1000+268.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.02 грн
10+405.64 грн
100+284.63 грн
500+253.26 грн
1000+217.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.82 грн
10+440.32 грн
100+355.35 грн
500+293.30 грн
1000+232.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.37 грн
10+347.98 грн
100+280.27 грн
500+240.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+440.32 грн
100+355.35 грн
500+293.30 грн
1000+232.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.38 грн
14+24.39 грн
100+15.52 грн
500+10.94 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108
Код товару: 142443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM - Japan2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.71 грн
15+23.85 грн
100+11.32 грн
1000+7.80 грн
3000+6.35 грн
9000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T4ROHM02+ SOT-163
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5ROHMSOT163
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-A1IMT0432+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-AZIMT0449+ QFP
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-B2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5T110
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1653.22 грн
10+1332.19 грн
100+1070.43 грн
2000+981.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 131A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1365.61 грн
5+1289.22 грн
10+1211.11 грн
50+1086.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1321.15 грн
10+1042.70 грн
100+830.95 грн
2000+742.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.53 грн
10+768.17 грн
100+577.68 грн
500+547.08 грн
1000+524.89 грн
2000+464.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 105A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.97 грн
5+950.18 грн
10+891.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1094.19 грн
10+741.23 грн
100+565.09 грн
500+528.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1513.07 грн
10+1315.47 грн
25+1112.52 грн
50+1050.54 грн
100+988.56 грн
250+957.96 грн
500+895.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1022.10 грн
10+812.16 грн
25+658.79 грн
50+629.71 грн
100+603.70 грн
250+573.86 грн
500+547.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 81A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+830.87 грн
5+784.52 грн
10+736.45 грн
50+661.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551137
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.18 грн
5+811.12 грн
10+665.21 грн
50+568.28 грн
100+398.76 грн
250+390.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.41 грн
10+624.74 грн
100+437.66 грн
250+436.90 грн
500+435.37 грн
1000+434.60 грн
2000+403.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+665.21 грн
50+568.28 грн
100+398.76 грн
250+390.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.07 грн
10+598.33 грн
100+454.54 грн
500+420.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.80 грн
5+642.03 грн
10+602.55 грн
50+541.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.91 грн
10+572.82 грн
100+415.47 грн
500+372.62 грн
2000+316.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551138
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.24 грн
10+602.74 грн
100+436.90 грн
500+385.63 грн
1000+374.92 грн
2000+331.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+621.43 грн
50+530.82 грн
100+409.06 грн
250+400.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.29 грн
5+673.79 грн
10+621.43 грн
50+530.82 грн
100+409.06 грн
250+400.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.61 грн
10+540.78 грн
100+403.84 грн
500+354.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716838
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 58.7A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.65 грн
5+539.03 грн
10+507.28 грн
50+455.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.29 грн
10+481.31 грн
100+348.91 грн
500+312.94 грн
2000+265.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551139
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.57 грн
10+594.82 грн
100+387.16 грн
500+380.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.09 грн
10+398.60 грн
100+289.22 грн
500+259.38 грн
2000+219.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 48.1A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.94 грн
5+447.19 грн
10+419.72 грн
50+376.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+448.91 грн
50+383.37 грн
100+261.18 грн
250+256.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.37 грн
10+672.25 грн
25+530.24 грн
100+486.63 грн
250+458.32 грн
500+430.01 грн
1000+407.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.48 грн
5+553.62 грн
10+448.91 грн
50+383.37 грн
100+261.18 грн
250+256.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.04 грн
10+365.16 грн
100+256.32 грн
500+228.01 грн
1000+221.13 грн
2000+186.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.55 грн
5+374.23 грн
10+351.92 грн
50+314.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551141
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+424.02 грн
100+312.43 грн
500+289.32 грн
1000+261.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.06 грн
10+475.74 грн
100+396.44 грн
500+328.27 грн
1000+295.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.30 грн
10+415.32 грн
100+269.33 грн
2000+235.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.24 грн
10+424.02 грн
100+312.43 грн
500+289.32 грн
1000+261.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551142
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+379.38 грн
100+278.96 грн
500+219.98 грн
1000+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.62 грн
10+522.67 грн
25+412.41 грн
100+378.75 грн
250+356.56 грн
500+334.37 грн
1000+317.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.04 грн
10+379.38 грн
100+278.96 грн
500+219.98 грн
1000+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551144
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.40 грн
10+294.42 грн
100+214.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+181.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.06 грн
10+456.68 грн
25+360.38 грн
100+330.54 грн
250+311.41 грн
500+291.52 грн
1000+276.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551146
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.13 грн
10+261.33 грн
100+162.21 грн
500+143.85 грн
1000+143.08 грн
2000+132.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716855
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.39 грн
10+277.52 грн
100+199.94 грн
500+156.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551147
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+343.68 грн
10+224.38 грн
100+138.49 грн
500+120.89 грн
1000+119.36 грн
2000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.14 грн
10+235.60 грн
100+167.44 грн
500+129.85 грн
1000+124.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716858
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT82BPSM3SELSIMT8-2B-PS-M3 AC Cylindrical Inductive Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.43 грн
10+812.41 грн
100+746.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1128.33 грн
10+830.64 грн
100+625.12 грн
500+591.46 грн
1000+586.10 грн
2000+502.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.09 грн
5+1224.84 грн
10+1146.73 грн
50+1001.86 грн
100+865.94 грн
250+823.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+944.44 грн
10+757.61 грн
100+548.61 грн
500+489.69 грн
1000+469.80 грн
2000+415.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.83 грн
10+616.82 грн
100+447.61 грн
500+401.70 грн
2000+340.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.24 грн
5+646.32 грн
10+602.55 грн
50+527.63 грн
100+430.39 грн
250+421.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.08 грн
10+644.10 грн
25+491.99 грн
100+452.20 грн
250+429.25 грн
2000+366.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.39 грн
10+535.76 грн
100+448.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.95 грн
5+505.56 грн
10+428.31 грн
50+375.40 грн
100+325.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.68 грн
10+535.87 грн
25+421.59 грн
100+373.39 грн
250+355.03 грн
2000+300.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+428.31 грн
50+375.40 грн
100+325.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.48 грн
10+443.94 грн
100+369.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+448.05 грн
100+369.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.34 грн
10+465.47 грн
25+347.37 грн
100+322.89 грн
250+303.76 грн
2000+257.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.15 грн
10+448.05 грн
100+369.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.96 грн
10+388.47 грн
100+319.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.