Продукція > IMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMT-BT Office DockingADLINK TechnologyModules Accessories Office Docking No adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT rubber jacket boxADLINK TechnologyModules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT Vehicle DockingADLINK TechnologyModules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.448PBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.752S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.753SBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT.753S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.756.6S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02PHILIPS03+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02061Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02063Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02067Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02069Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1ROHM04+ SOT-23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT12PM.38HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHM09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHMSOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T208Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
11+28.89 грн
100+18.78 грн
500+14.75 грн
1000+11.40 грн
3000+9.76 грн
9000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110ROHMSOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.08 грн
1656+7.81 грн
2500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.69 грн
37+21.75 грн
100+13.86 грн
500+9.62 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
17+19.32 грн
100+10.72 грн
500+7.99 грн
1000+7.03 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
16+19.53 грн
100+12.36 грн
500+8.68 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1T109SOT163-T1ROHM
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2ROHM09+
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2/T2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-24-5BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-300-15BTC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-48-12MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT210-300-2.1BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AROHM09+
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
11+28.33 грн
100+19.66 грн
500+14.40 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICIMT34076 Junction boxes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+472.62 грн
3+418.15 грн
8+395.47 грн
50+395.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICIMT34077 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+488.55 грн
7+471.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34127SCHNEIDER ELECTRICIMT34127 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+842.22 грн
4+813.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+686.10 грн
5+587.86 грн
10+530.58 грн
20+501.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.53 грн
5+682.95 грн
10+669.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+993.03 грн
5+851.06 грн
10+803.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1165.09 грн
5+998.53 грн
10+901.39 грн
50+858.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.91 грн
5+801.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1372.19 грн
5+1176.73 грн
10+1062.14 грн
50+1005.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.49 грн
5+944.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1463.53 грн
5+1254.57 грн
10+1133.15 грн
50+1072.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1219.61 грн
5+1006.75 грн
10+944.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1143.85 грн
5+980.10 грн
10+885.61 грн
50+838.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+953.21 грн
5+786.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 286mm; Z: 47mm; IP40; Sockets: 4
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 47mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 286mm
Number of sockets: 4
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1524.95 грн
5+1258.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 286mm; Z: 47mm; IP40; Sockets: 4
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 47mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 286mm
Number of sockets: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1829.94 грн
5+1567.96 грн
10+1416.19 грн
50+1340.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 88mm; Z: 47mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 88mm
Dimension Z: 47mm
Number of sockets: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+731.77 грн
5+627.80 грн
10+566.08 грн
50+536.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 88mm; Z: 47mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 88mm
Dimension Z: 47mm
Number of sockets: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.80 грн
5+503.79 грн
10+471.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 16mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 16mm
Type of cable accessories: conduit end cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+151.88 грн
5+131.09 грн
10+118.34 грн
100+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 16mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 16mm
Type of cable accessories: conduit end cover
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.56 грн
5+105.20 грн
10+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 20mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+156.12 грн
5+134.16 грн
10+121.30 грн
100+114.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 20mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.10 грн
5+107.66 грн
10+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 25mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 25mm
Type of cable accessories: conduit end cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+160.37 грн
5+138.26 грн
10+124.26 грн
100+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 25mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 25mm
Type of cable accessories: conduit end cover
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.64 грн
5+110.95 грн
10+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICCategory: Measuring Tools
Description: Pattern; installation of junction box
Tools application: installation of junction box
Type of tool: pattern
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.92 грн
5+587.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICCategory: Measuring Tools
Description: Pattern; installation of junction box
Tools application: installation of junction box
Type of tool: pattern
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+823.10 грн
5+732.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36154Schneider ElectricDescription: SEAL GLAND JPEM25
Packaging: Bulk
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36157Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36158Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36159Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM45M25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider ElectricDescription: PLUG GLAND TPEM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Plug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICIMT36180 Grommets
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.59 грн
20+58.19 грн
55+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICIMT36181 Grommets
на замовлення 249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+86.03 грн
19+64.10 грн
51+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICIMT36182 Grommets
на замовлення 364 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+120.01 грн
13+91.72 грн
36+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICIMT36183 Grommets
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+257.02 грн
6+232.74 грн
14+219.92 грн
50+219.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM32
Packaging: Bulk
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICIMT36184 Grommets
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+481.12 грн
3+435.90 грн
8+412.23 грн
25+411.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184APC by Schneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICIMT36185 Grommets
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+699.90 грн
5+675.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37303SCHNEIDER ELECTRICIMT37303 Grommets
на замовлення 610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+110.46 грн
15+77.91 грн
45+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37311SCHNEIDER ELECTRICIMT37311 Grommets
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+139.13 грн
15+115.39 грн
30+108.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
16+19.01 грн
100+9.57 грн
500+7.96 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3T108
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4ROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4 T108ROHMSOT173
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-12BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-24BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1038.70 грн
10+792.24 грн
100+637.70 грн
2000+558.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.30 грн
10+677.67 грн
100+613.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.39 грн
5+1026.76 грн
10+895.32 грн
50+801.05 грн
100+710.75 грн
250+696.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+520.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+895.32 грн
50+801.05 грн
100+710.75 грн
250+696.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.25 грн
5+877.80 грн
10+750.35 грн
50+650.16 грн
100+556.45 грн
250+545.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.79 грн
10+632.85 грн
100+458.81 грн
500+408.97 грн
1000+408.29 грн
2000+346.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.48 грн
10+579.15 грн
100+514.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+750.35 грн
50+650.16 грн
100+556.45 грн
250+545.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.19 грн
10+519.78 грн
100+376.88 грн
500+335.92 грн
1000+299.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+587.06 грн
50+500.01 грн
100+419.21 грн
250+411.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.51 грн
10+391.80 грн
100+311.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+774.25 грн
5+681.05 грн
10+587.06 грн
50+500.01 грн
100+419.21 грн
250+411.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.30 грн
10+354.81 грн
25+328.17 грн
100+280.45 грн
250+267.34 грн
500+259.43 грн
1000+248.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.96 грн
5+528.11 грн
10+444.48 грн
50+378.70 грн
100+317.48 грн
250+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+252.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+444.48 грн
50+378.70 грн
100+317.48 грн
250+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.62 грн
10+393.37 грн
100+285.39 грн
500+256.03 грн
2000+217.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.12 грн
10+322.93 грн
100+260.10 грн
500+223.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+408.63 грн
100+329.77 грн
500+272.19 грн
1000+215.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.05 грн
10+361.96 грн
100+253.99 грн
500+225.99 грн
1000+193.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.01 грн
10+408.63 грн
100+329.77 грн
500+272.19 грн
1000+215.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesMOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.17 грн
10+488.38 грн
100+354.35 грн
500+316.80 грн
2000+269.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM - Japan2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108
Код товару: 142443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.40 грн
15+21.28 грн
100+10.10 грн
1000+6.96 грн
3000+5.67 грн
9000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
14+22.63 грн
100+14.40 грн
500+10.15 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T4ROHM02+ SOT-163
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5ROHMSOT163
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-A1IMT0432+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-AZIMT0449+ QFP
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-B2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5T110
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1363.70 грн
10+1146.35 грн
100+903.97 грн
2000+824.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 681W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 681W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.94 грн
10+898.09 грн
100+867.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+909.66 грн
50+812.88 грн
100+720.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.82 грн
10+686.33 грн
100+623.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.63 грн
10+804.80 грн
100+646.57 грн
2000+568.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.71 грн
5+1042.69 грн
10+909.66 грн
50+812.88 грн
100+720.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.83 грн
5+841.96 грн
10+720.08 грн
50+623.53 грн
100+533.92 грн
250+522.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.02 грн
10+556.00 грн
100+483.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.46 грн
10+635.20 грн
100+477.93 грн
500+452.67 грн
1000+451.99 грн
2000+384.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+720.08 грн
50+623.53 грн
100+533.92 грн
250+522.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.43 грн
10+687.88 грн
100+524.42 грн
500+489.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1350.16 грн
10+1173.83 грн
25+992.73 грн
50+937.43 грн
100+882.12 грн
250+854.81 грн
500+799.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.05 грн
10+724.71 грн
25+587.86 грн
50+561.91 грн
100+538.70 грн
250+512.07 грн
500+488.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 81A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+771.06 грн
5+728.05 грн
10+683.44 грн
50+613.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.28 грн
10+557.47 грн
100+390.54 грн
250+389.86 грн
500+388.49 грн
1000+387.81 грн
2000+359.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+617.33 грн
50+527.37 грн
100+370.06 грн
250+362.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.78 грн
10+555.26 грн
100+421.83 грн
500+389.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.36 грн
5+752.74 грн
10+617.33 грн
50+527.37 грн
100+370.06 грн
250+362.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.87 грн
5+595.82 грн
10+559.18 грн
50+502.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.60 грн
10+458.96 грн
100+340.57 грн
500+316.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.44 грн
10+511.15 грн
100+370.74 грн
500+332.50 грн
2000+281.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+755.05 грн
10+501.86 грн
100+374.77 грн
500+329.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.44 грн
10+537.84 грн
100+389.86 грн
500+344.11 грн
1000+334.55 грн
2000+295.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+524.93 грн
50+448.23 грн
100+344.79 грн
250+337.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.55 грн
5+568.74 грн
10+524.93 грн
50+448.23 грн
100+344.79 грн
250+337.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.01 грн
10+429.49 грн
100+311.34 грн
500+279.25 грн
2000+236.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 58.7A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.50 грн
5+500.23 грн
10+470.76 грн
50+422.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+336.14 грн
50+306.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.12 грн
5+408.63 грн
10+336.14 грн
50+306.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.74 грн
10+530.78 грн
100+345.48 грн
500+339.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.32 грн
10+346.26 грн
100+243.74 грн
500+216.43 грн
1000+210.29 грн
2000+178.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 48.1A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.90 грн
5+415.00 грн
10+389.51 грн
50+349.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.24 грн
50+306.96 грн
100+228.04 грн
250+223.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.73 грн
10+599.87 грн
25+473.15 грн
100+434.23 грн
250+408.97 грн
500+383.71 грн
1000+363.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.78 грн
5+436.51 грн
10+359.24 грн
50+306.96 грн
100+228.04 грн
250+223.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.04 грн
10+303.08 грн
100+213.02 грн
500+189.81 грн
1000+183.66 грн
2000+155.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.01 грн
5+347.30 грн
10+326.59 грн
50+292.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.60 грн
10+441.50 грн
100+367.90 грн
500+304.64 грн
1000+274.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.40 грн
10+370.60 грн
100+240.33 грн
2000+210.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.04 грн
10+393.50 грн
100+289.94 грн
500+268.49 грн
1000+242.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+393.50 грн
100+289.94 грн
500+268.49 грн
1000+242.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+352.08 грн
100+258.88 грн
500+204.14 грн
1000+184.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.01 грн
10+466.39 грн
25+368.01 грн
100+337.97 грн
250+318.17 грн
500+298.37 грн
1000+283.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.81 грн
10+352.08 грн
100+258.88 грн
500+204.14 грн
1000+184.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.91 грн
10+407.50 грн
25+321.58 грн
100+294.95 грн
250+277.88 грн
500+260.13 грн
1000+247.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.12 грн
10+249.04 грн
100+179.11 грн
500+165.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.26 грн
10+233.20 грн
100+144.74 грн
500+128.36 грн
1000+127.68 грн
2000+118.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.41 грн
10+257.55 грн
100+185.55 грн
500+145.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.57 грн
10+218.64 грн
100+155.39 грн
500+120.50 грн
1000+115.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.67 грн
10+200.22 грн
100+123.58 грн
500+107.88 грн
1000+106.51 грн
2000+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.84 грн
10+741.20 грн
100+557.81 грн
500+527.77 грн
1000+522.99 грн
2000+448.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.17 грн
10+753.93 грн
100+692.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.37 грн
5+1136.68 грн
10+1064.19 грн
50+929.75 грн
100+803.61 грн
250+764.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.20 грн
10+570.82 грн
100+413.07 грн
500+368.01 грн
2000+312.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.87 грн
10+462.47 грн
100+335.23 грн
500+300.41 грн
2000+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.79 грн
10+441.65 грн
100+326.97 грн
500+302.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.60 грн
10+497.20 грн
100+416.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.98 грн
10+574.75 грн
25+439.01 грн
100+403.51 грн
250+383.03 грн
2000+327.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.63 грн
5+599.80 грн
10+559.18 грн
50+489.65 грн
100+399.41 грн
250+391.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.06 грн
5+469.17 грн
10+397.48 грн
50+348.38 грн
100+302.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.67 грн
10+411.99 грн
100+343.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+397.48 грн
50+348.38 грн
100+302.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.16 грн
10+321.92 грн
100+226.68 грн
500+201.41 грн
1000+195.27 грн
2000+165.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+415.80 грн
100+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.54 грн
10+321.14 грн
100+246.48 грн
500+213.02 грн
1000+207.56 грн
2000+176.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.15 грн
10+360.51 грн
100+296.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.71 грн
10+415.80 грн
100+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.