Продукція > IMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMT-BT Office DockingADLINK TechnologyModules Accessories Office Docking No adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT rubber jacket boxADLINK TechnologyModules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT Vehicle DockingADLINK TechnologyModules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.448PBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.752S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.753SBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT.753S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.756.6S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02PHILIPS03+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02061Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02063Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02067Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02069Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1ROHM04+ SOT-23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT12PM.38HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHMSOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHM09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T208Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.76 грн
11+32.85 грн
100+21.35 грн
500+16.77 грн
1000+12.96 грн
3000+11.10 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110ROHMSOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.59 грн
17+21.96 грн
100+12.19 грн
500+9.08 грн
1000+8.00 грн
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
16+21.35 грн
100+13.51 грн
500+9.49 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+7.77 грн
1656+7.51 грн
2500+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.22 грн
49+18.11 грн
100+10.19 грн
500+8.73 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1T109SOT163-T1ROHM
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2ROHM09+
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2/T2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-24-5BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-300-15BTC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-48-12MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT210-300-2.1BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AROHM09+
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.79 грн
11+30.97 грн
100+21.49 грн
500+15.75 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Cover colour: white
Body colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 39mm
Dimension X: 87mm
Dimension Y: 87mm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Cover colour: white
Body colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 39mm
Dimension X: 87mm
Dimension Y: 87mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+407.57 грн
5+386.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Cover colour: white
Body colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 45mm
Dimension X: 65mm
Dimension Y: 75mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.03 грн
5+462.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Cover colour: white
Body colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 45mm
Dimension X: 65mm
Dimension Y: 75mm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+425.86 грн
5+371.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34127SCHNEIDER ELECTRICIMT34127 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+976.08 грн
2+843.29 грн
4+797.68 грн
50+796.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+683.47 грн
5+585.49 грн
10+528.87 грн
20+500.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1088.95 грн
5+933.16 грн
10+842.32 грн
50+801.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.46 грн
5+748.83 грн
10+701.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Dimension Z: 49mm
Diameter: 71mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+968.42 грн
5+799.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Mounting: plaster embedded
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Dimension Z: 49mm
Diameter: 71mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1162.11 грн
5+996.65 грн
10+899.57 грн
50+854.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1367.98 грн
5+1172.00 грн
10+1058.72 грн
50+1002.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1139.98 грн
5+940.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1215.75 грн
5+1003.57 грн
10+940.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Kit contents: cover
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1458.90 грн
5+1250.60 грн
10+1128.59 грн
50+1068.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.39 грн
5+783.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1138.07 грн
5+976.50 грн
10+881.13 грн
50+834.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 286mm; Z: 47mm; IP40; Sockets: 4
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 47mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 286mm
Number of sockets: 4
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1821.54 грн
5+1560.98 грн
10+1409.04 грн
50+1334.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 286mm; Z: 47mm; IP40; Sockets: 4
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 47mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 286mm
Number of sockets: 4
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1517.95 грн
5+1252.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 88mm; Z: 47mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 88mm
Dimension Z: 47mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.00 грн
5+501.38 грн
10+469.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 88mm; Z: 47mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 88mm
Dimension Z: 47mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+728.41 грн
5+624.80 грн
10+563.81 грн
50+533.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 16mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 16mm
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.53 грн
5+130.00 грн
10+117.42 грн
100+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 16mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 16mm
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.28 грн
5+104.32 грн
10+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 20mm
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.76 грн
5+107.55 грн
10+100.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 20mm
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.71 грн
5+134.03 грн
10+120.33 грн
100+114.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 25mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 25mm
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.24 грн
5+109.98 грн
10+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; Multifix Air; 25mm
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Diameter: 25mm
Manufacturer series: Multifix Air
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.89 грн
5+137.05 грн
10+124.21 грн
100+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICCategory: Measuring Tools
Description: Pattern; installation of junction box
Tools application: installation of junction box
Type of tool: pattern
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+784.84 грн
5+729.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICCategory: Measuring Tools
Description: Pattern; installation of junction box
Tools application: installation of junction box
Type of tool: pattern
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.03 грн
5+585.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36154Schneider ElectricDescription: SEAL GLAND JPEM25
Packaging: Bulk
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36157Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM24M16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36158Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM34M20
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36159Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM45M25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider ElectricDescription: PLUG GLAND TPEM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Plug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM12
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
25+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM16
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.99 грн
25+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM20
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.73 грн
25+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+99.28 грн
25+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM32
Packaging: Bulk
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM40
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184APC by Schneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+700.19 грн
10+664.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.49 грн
10+532.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37303SCHNEIDER ELECTRICIMT37303 Grommets
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+107.64 грн
15+76.66 грн
45+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37311SCHNEIDER ELECTRICIMT37311 Grommets
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+136.90 грн
10+121.30 грн
30+114.51 грн
50+113.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
16+20.78 грн
100+10.46 грн
500+8.70 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3T108
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4ROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4 T108ROHMSOT173
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-12BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-24BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1265.39 грн
5+1122.57 грн
10+978.87 грн
50+875.80 грн
100+777.08 грн
250+761.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.55 грн
10+740.91 грн
100+670.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+978.87 грн
50+875.80 грн
100+777.08 грн
250+761.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1181.06 грн
10+900.81 грн
100+725.09 грн
2000+635.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+569.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+895.75 грн
10+719.58 грн
100+521.69 грн
500+465.02 грн
1000+464.24 грн
2000+394.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+820.37 грн
50+710.83 грн
100+608.37 грн
250+596.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.66 грн
10+633.19 грн
100+562.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.05 грн
5+959.71 грн
10+820.37 грн
50+710.83 грн
100+608.37 грн
250+596.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+846.50 грн
5+744.60 грн
10+641.84 грн
50+546.67 грн
100+458.33 грн
250+449.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.99 грн
10+428.36 грн
100+340.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.60 грн
10+591.02 грн
100+428.53 грн
500+381.95 грн
1000+340.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+641.84 грн
50+546.67 грн
100+458.33 грн
250+449.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+485.95 грн
50+414.04 грн
100+347.11 грн
250+340.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+276.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.95 грн
10+447.28 грн
100+324.51 грн
500+291.12 грн
2000+246.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.97 грн
5+577.40 грн
10+485.95 грн
50+414.04 грн
100+347.11 грн
250+340.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.02 грн
10+387.92 грн
25+358.79 грн
100+306.62 грн
250+292.28 грн
500+283.64 грн
1000+272.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.17 грн
10+411.57 грн
100+288.79 грн
500+256.97 грн
1000+220.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.14 грн
10+353.07 грн
100+284.37 грн
500+244.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.52 грн
10+446.76 грн
100+360.55 грн
500+297.59 грн
1000+235.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.76 грн
100+360.55 грн
500+297.59 грн
1000+235.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesMOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.69 грн
10+555.31 грн
100+402.91 грн
500+360.22 грн
2000+305.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.16 грн
15+24.19 грн
100+11.49 грн
1000+7.92 грн
3000+6.44 грн
9000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108
Код товару: 142443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.99 грн
14+24.75 грн
100+15.74 грн
500+11.10 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM - Japan2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T4ROHM02+ SOT-163
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5ROHMSOT163
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-A1IMT0432+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-AZIMT0449+ QFP
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-B2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5T110
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1550.59 грн
10+1303.46 грн
100+1027.86 грн
2000+937.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+994.55 грн
50+888.74 грн
100+787.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.15 грн
10+750.37 грн
100+681.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.17 грн
10+915.10 грн
100+735.18 грн
2000+645.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1285.42 грн
5+1139.98 грн
10+994.55 грн
50+888.74 грн
100+787.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 105A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.67 грн
5+964.07 грн
10+904.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.08 грн
10+619.04 грн
100+538.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.80 грн
10+722.26 грн
100+543.43 грн
500+514.71 грн
1000+513.93 грн
2000+437.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.19 грн
10+752.07 грн
100+573.35 грн
500+535.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1535.19 грн
10+1334.70 грн
25+1128.78 грн
50+1065.90 грн
100+1003.02 грн
250+971.96 грн
500+909.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 81A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+843.01 грн
5+795.99 грн
10+747.22 грн
50+671.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1037.05 грн
10+824.03 грн
25+668.42 грн
50+638.92 грн
100+612.52 грн
250+582.25 грн
500+555.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551137
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.12 грн
10+607.07 грн
100+461.19 грн
500+426.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+674.93 грн
50+576.59 грн
100+404.59 грн
250+396.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.16 грн
5+822.98 грн
10+674.93 грн
50+576.59 грн
100+404.59 грн
250+396.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.74 грн
10+633.87 грн
100+444.06 грн
250+443.28 грн
500+441.73 грн
1000+440.96 грн
2000+409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.74 грн
5+651.42 грн
10+611.36 грн
50+549.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.14 грн
10+456.90 грн
100+369.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.11 грн
10+581.20 грн
100+421.55 грн
500+378.07 грн
2000+320.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551138
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+573.91 грн
50+490.06 грн
100+376.97 грн
250+369.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.71 грн
5+621.81 грн
10+573.91 грн
50+490.06 грн
100+376.97 грн
250+369.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.50 грн
10+548.69 грн
100+409.74 грн
500+360.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.67 грн
10+611.55 грн
100+443.28 грн
500+391.27 грн
1000+380.40 грн
2000+336.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716838
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.10 грн
10+488.35 грн
100+354.01 грн
500+317.52 грн
2000+269.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 58.7A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.01 грн
5+546.91 грн
10+514.69 грн
50+461.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551139
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+367.51 грн
50+334.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.01 грн
5+446.76 грн
10+367.51 грн
50+334.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.90 грн
10+603.52 грн
100+392.82 грн
500+385.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.15 грн
10+393.72 грн
100+277.15 грн
500+246.10 грн
1000+239.11 грн
2000+202.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 48.1A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.86 грн
5+453.73 грн
10+425.86 грн
50+382.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.77 грн
50+335.60 грн
100+249.32 грн
250+244.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.99 грн
10+682.08 грн
25+538.00 грн
100+493.75 грн
250+465.02 грн
500+436.30 грн
1000+413.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.72 грн
5+477.24 грн
10+392.77 грн
50+335.60 грн
100+249.32 грн
250+244.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.35 грн
5+379.70 грн
10+357.06 грн
50+319.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.82 грн
10+344.61 грн
100+242.21 грн
500+215.82 грн
1000+208.83 грн
2000+177.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551141
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.38 грн
10+421.39 грн
100+273.27 грн
2000+239.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.81 грн
10+430.22 грн
100+317.00 грн
500+293.55 грн
1000+265.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.49 грн
10+482.70 грн
100+402.24 грн
500+333.07 грн
1000+299.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+430.22 грн
100+317.00 грн
500+293.55 грн
1000+265.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551142
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.93 грн
100+283.04 грн
500+223.19 грн
1000+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.01 грн
10+384.93 грн
100+283.04 грн
500+223.19 грн
1000+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.66 грн
10+530.31 грн
25+418.44 грн
100+384.28 грн
250+361.77 грн
500+339.26 грн
1000+322.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551144
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.96 грн
10+463.35 грн
25+365.65 грн
100+335.37 грн
250+315.97 грн
500+295.78 грн
1000+281.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.25 грн
10+272.28 грн
100+195.83 грн
500+180.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+163.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551146
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716855
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.95 грн
10+265.16 грн
100+164.58 грн
500+145.95 грн
1000+145.17 грн
2000+134.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.69 грн
10+281.58 грн
100+202.86 грн
500+158.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551147
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.54 грн
10+239.04 грн
100+169.89 грн
500+131.75 грн
1000+125.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716858
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.70 грн
10+227.66 грн
100+140.52 грн
500+122.66 грн
1000+121.11 грн
2000+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1144.83 грн
10+842.78 грн
100+634.26 грн
500+600.10 грн
1000+594.67 грн
2000+510.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.92 грн
10+824.28 грн
100+757.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.13 грн
5+1242.75 грн
10+1163.50 грн
50+1016.51 грн
100+878.60 грн
250+835.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+840.51 грн
10+649.05 грн
100+469.68 грн
500+418.44 грн
2000+355.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.33 грн
10+525.85 грн
100+381.18 грн
500+341.58 грн
2000+289.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.95 грн
10+439.76 грн
100+352.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+299.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.32 грн
5+655.77 грн
10+611.36 грн
50+535.34 грн
100+436.69 грн
250+427.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.32 грн
10+543.59 грн
100+455.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.50 грн
10+653.51 грн
25+499.18 грн
100+458.81 грн
250+435.52 грн
2000+371.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.46 грн
5+512.95 грн
10+434.57 грн
50+380.89 грн
100+330.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.56 грн
10+366.04 грн
100+257.74 грн
500+229.02 грн
1000+222.03 грн
2000+187.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+434.57 грн
50+380.89 грн
100+330.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.79 грн
10+450.43 грн
100+375.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+454.60 грн
100+374.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.75 грн
10+454.60 грн
100+374.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.28 грн
10+365.15 грн
100+280.25 грн
500+242.21 грн
1000+236.00 грн
2000+200.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.25 грн
10+394.15 грн
100+323.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.