Продукція > IMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMT-BT Office DockingADLINK TechnologyModules Accessories Office Docking No adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT rubber jacket boxADLINK TechnologyModules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT Vehicle DockingADLINK TechnologyModules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.448PBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.752S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.753SBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT.753S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.756.6S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02PHILIPS03+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02061Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02063Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02067Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02069Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1ROHM04+ SOT-23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT12PM.38HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHM09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHMSOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T208Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.97 грн
11+33.87 грн
100+22.01 грн
500+17.29 грн
1000+13.37 грн
3000+11.45 грн
9000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110ROHMSOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+7.92 грн
1656+7.65 грн
2500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.69 грн
38+24.24 грн
100+15.71 грн
500+10.92 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.73 грн
17+22.64 грн
100+12.57 грн
500+9.37 грн
1000+8.24 грн
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.23 грн
16+22.01 грн
100+13.93 грн
500+9.79 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1T109SOT163-T1ROHM
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2ROHM09+
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2/T2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-24-5BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-300-15BTC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-48-12MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT210-300-2.1BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AROHM09+
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.96 грн
11+31.93 грн
100+22.16 грн
500+16.24 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICIMT34076 Junction boxes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+481.64 грн
3+426.23 грн
8+403.22 грн
50+403.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICIMT34077 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+603.40 грн
3+509.27 грн
7+481.26 грн
50+481.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34127SCHNEIDER ELECTRICIMT34127 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1015.00 грн
2+877.47 грн
4+829.44 грн
50+828.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+705.76 грн
5+604.71 грн
10+546.29 грн
20+517.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Mounting: plaster embedded
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICIMT35021 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1285.46 грн
2+915.49 грн
4+865.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICIMT35023 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1370.58 грн
2+976.52 грн
4+923.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICIMT35026 Junction boxes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1614.10 грн
2+1145.61 грн
3+1082.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICIMT35027 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1221.65 грн
3+1154.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICIMT35031 Junction boxes
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1345.80 грн
2+954.51 грн
4+902.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICIMT35033 Junction boxes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1526.82 грн
3+1443.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICIMT35034 Junction boxes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+860.92 грн
2+610.33 грн
6+577.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICIMT35036 Conduits accessories
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.94 грн
10+127.07 грн
26+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICIMT35037 Conduits accessories
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.25 грн
10+131.07 грн
26+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICIMT35038 Conduits accessories
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+189.64 грн
9+134.07 грн
25+127.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICIMT35043 Measuring Tools
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+906.18 грн
2+802.43 грн
5+758.41 грн
50+757.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36154Schneider ElectricDescription: SEAL GLAND JPEM25
Packaging: Bulk
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36157Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36158Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36159Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM45M25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider ElectricDescription: PLUG GLAND TPEM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Plug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+55.67 грн
25+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.80 грн
25+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.20 грн
25+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+103.44 грн
25+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM32
Packaging: Bulk
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+362.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184APC by Schneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+435.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.20 грн
10+551.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+726.24 грн
10+686.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37303SCHNEIDER ELECTRICIMT37303 Grommets
на замовлення 610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+112.06 грн
15+80.04 грн
45+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT37311SCHNEIDER ELECTRICIMT37311 Grommets
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+142.23 грн
15+110.06 грн
30+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.17 грн
16+21.43 грн
100+10.79 грн
500+8.97 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3T108
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4ROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4 T108ROHMSOT173
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-12BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-24BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.67 грн
5+1157.41 грн
10+1009.26 грн
50+902.98 грн
100+801.20 грн
250+785.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.47 грн
10+763.91 грн
100+691.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1009.26 грн
50+902.98 грн
100+801.20 грн
250+785.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1217.72 грн
10+928.78 грн
100+747.60 грн
2000+654.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+586.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1133.17 грн
5+989.50 грн
10+845.84 грн
50+732.89 грн
100+627.26 грн
250+614.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.56 грн
10+741.92 грн
100+537.89 грн
500+479.46 грн
1000+478.66 грн
2000+406.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+845.84 грн
50+732.89 грн
100+627.26 грн
250+614.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.91 грн
10+652.85 грн
100+580.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.17 грн
10+609.37 грн
100+441.84 грн
500+393.81 грн
1000+350.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+661.76 грн
50+563.64 грн
100+472.56 грн
250+463.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+872.78 грн
5+767.72 грн
10+661.76 грн
50+563.64 грн
100+472.56 грн
250+463.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.17 грн
10+441.65 грн
100+351.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.29 грн
10+399.96 грн
25+369.93 грн
100+316.14 грн
250+301.36 грн
500+292.45 грн
1000+280.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+501.04 грн
50+426.90 грн
100+357.88 грн
250+350.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+284.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.34 грн
10+461.17 грн
100+334.58 грн
500+300.16 грн
2000+254.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.70 грн
5+595.32 грн
10+501.04 грн
50+426.90 грн
100+357.88 грн
250+350.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+460.63 грн
100+371.74 грн
500+306.83 грн
1000+243.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.71 грн
10+424.35 грн
100+297.76 грн
500+264.94 грн
1000+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.87 грн
10+364.03 грн
100+293.20 грн
500+252.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.26 грн
10+460.63 грн
100+371.74 грн
500+306.83 грн
1000+243.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesMOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.74 грн
10+572.55 грн
100+415.42 грн
500+371.40 грн
2000+315.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM - Japan2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.12 грн
15+24.95 грн
100+11.85 грн
1000+8.16 грн
3000+6.64 грн
9000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108
Код товару: 142443
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
14+25.51 грн
100+16.23 грн
500+11.44 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T4ROHM02+ SOT-163
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5ROHMSOT163
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-A1IMT0432+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-AZIMT0449+ QFP
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-B2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5T110
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1598.72 грн
10+1343.92 грн
100+1059.77 грн
2000+966.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1025.42 грн
50+916.32 грн
100+811.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1139.46 грн
10+773.66 грн
100+702.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1236.40 грн
10+943.51 грн
100+758.01 грн
2000+665.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.32 грн
5+1175.37 грн
10+1025.42 грн
50+916.32 грн
100+811.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.38 грн
10+626.75 грн
100+544.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.28 грн
10+744.68 грн
100+560.30 грн
500+530.68 грн
1000+529.88 грн
2000+450.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+811.72 грн
50+702.88 грн
100+601.86 грн
250+589.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.48 грн
5+949.10 грн
10+811.72 грн
50+702.88 грн
100+601.86 грн
250+589.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.65 грн
10+775.42 грн
100+591.15 грн
500+552.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1582.85 грн
10+1376.14 грн
25+1163.82 грн
50+1098.99 грн
100+1034.15 грн
250+1002.14 грн
500+937.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.24 грн
10+849.61 грн
25+689.17 грн
50+658.75 грн
100+631.54 грн
250+600.32 грн
500+573.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 81A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+869.18 грн
5+820.70 грн
10+770.41 грн
50+692.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551137
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+953.44 грн
10+653.55 грн
100+457.85 грн
250+457.04 грн
500+455.44 грн
1000+454.64 грн
2000+421.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+695.89 грн
50+594.48 грн
100+417.15 грн
250+408.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.25 грн
10+625.92 грн
100+475.50 грн
500+439.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.28 грн
5+848.53 грн
10+695.89 грн
50+594.48 грн
100+417.15 грн
250+408.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.59 грн
10+471.09 грн
100+381.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.23 грн
10+599.24 грн
100+434.63 грн
500+389.81 грн
2000+330.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.15 грн
5+671.64 грн
10+630.34 грн
50+566.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551138
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.13 грн
10+630.54 грн
100+457.04 грн
500+403.42 грн
1000+392.21 грн
2000+346.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+591.73 грн
50+505.27 грн
100+388.67 грн
250+380.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.50 грн
5+641.11 грн
10+591.73 грн
50+505.27 грн
100+388.67 грн
250+380.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716838
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.13 грн
10+565.72 грн
100+422.46 грн
500+371.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.24 грн
10+503.51 грн
100+365.00 грн
500+327.38 грн
2000+277.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 58.7A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.01 грн
5+563.89 грн
10+530.67 грн
50+476.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551139
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.34 грн
5+460.63 грн
10+378.92 грн
50+345.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+882.47 грн
10+622.25 грн
100+405.02 грн
500+397.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+378.92 грн
50+345.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.10 грн
10+405.94 грн
100+285.75 грн
500+253.74 грн
1000+246.53 грн
2000+208.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 48.1A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.75 грн
5+467.81 грн
10+439.08 грн
50+394.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+404.96 грн
50+346.02 грн
100+257.06 грн
250+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.05 грн
10+703.26 грн
25+554.70 грн
100+509.07 грн
250+479.46 грн
500+449.84 грн
1000+425.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.16 грн
5+492.06 грн
10+404.96 грн
50+346.02 грн
100+257.06 грн
250+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.19 грн
10+355.31 грн
100+249.73 грн
500+222.52 грн
1000+215.32 грн
2000+182.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.84 грн
5+391.49 грн
10+368.15 грн
50+329.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551141
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.63 грн
10+497.68 грн
100+414.72 грн
500+343.41 грн
1000+309.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.95 грн
10+434.47 грн
100+281.75 грн
2000+246.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.28 грн
10+443.57 грн
100+326.84 грн
500+302.66 грн
1000+273.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+443.57 грн
100+326.84 грн
500+302.66 грн
1000+273.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551142
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+396.88 грн
100+291.82 грн
500+230.12 грн
1000+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.15 грн
10+546.77 грн
25+431.43 грн
100+396.21 грн
250+373.00 грн
500+349.79 грн
1000+332.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.18 грн
10+396.88 грн
100+291.82 грн
500+230.12 грн
1000+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551144
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.97 грн
10+477.74 грн
25+377.00 грн
100+345.79 грн
250+325.77 грн
500+304.96 грн
1000+289.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.39 грн
10+280.73 грн
100+201.91 грн
500+186.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+168.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551146
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716855
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.49 грн
10+273.39 грн
100+169.69 грн
500+150.48 грн
1000+149.68 грн
2000+138.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.24 грн
10+290.32 грн
100+209.16 грн
500+163.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005551147
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesSP005716858
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.17 грн
10+246.47 грн
100+175.16 грн
500+135.84 грн
1000+129.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.53 грн
10+234.73 грн
100+144.88 грн
500+126.47 грн
1000+124.87 грн
2000+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.37 грн
10+868.95 грн
100+653.95 грн
500+618.73 грн
1000+613.13 грн
2000+525.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.29 грн
10+849.87 грн
100+781.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.14 грн
5+1281.33 грн
10+1199.62 грн
50+1048.06 грн
100+905.87 грн
250+861.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.60 грн
10+669.20 грн
100+484.26 грн
500+431.43 грн
2000+366.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+308.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.60 грн
10+542.17 грн
100+393.01 грн
500+352.19 грн
2000+298.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.62 грн
10+453.41 грн
100+363.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.10 грн
10+673.80 грн
25+514.68 грн
100+473.05 грн
250+449.04 грн
2000+383.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.03 грн
5+676.13 грн
10+630.34 грн
50+551.96 грн
100+450.24 грн
250+441.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.86 грн
10+560.47 грн
100+469.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.79 грн
5+528.87 грн
10+448.06 грн
50+392.71 грн
100+340.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.84 грн
10+464.42 грн
100+387.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+448.06 грн
50+392.71 грн
100+340.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.60 грн
10+377.40 грн
100+265.74 грн
500+236.13 грн
1000+228.92 грн
2000+193.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+468.71 грн
100+386.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.40 грн
10+376.48 грн
100+288.95 грн
500+249.73 грн
1000+243.33 грн
2000+206.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.11 грн
10+406.38 грн
100+333.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.14 грн
10+468.71 грн
100+386.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.