Продукція > IMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMT-BT Office DockingADLINK TechnologyModules Accessories Office Docking No adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT rubber jacket boxADLINK TechnologyModules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT Vehicle DockingADLINK TechnologyModules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN10-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81ADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-LTEADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT-BT-WIN81-MADLINK TechnologyEmbedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.448PBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.752S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.753SBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT.753S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT.756.6S-HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT00062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02PHILIPS03+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02060Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02061Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02062Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02063Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02067Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT02069Red Lion ControlsDescription: TEMP METER LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1ROHM04+ SOT-23-6
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT12PM.38HTBanner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17ROHM09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT17T208Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT18T110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.82 грн
11+29.51 грн
100+19.17 грн
500+15.06 грн
1000+11.64 грн
3000+9.97 грн
9000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1A T110ROHMSOT23-6
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.06 грн
1656+7.80 грн
2500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.44 грн
37+22.21 грн
100+14.15 грн
500+9.82 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
16+19.94 грн
100+12.62 грн
500+8.87 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 718
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.86 грн
17+19.72 грн
100+10.95 грн
500+8.16 грн
1000+7.18 грн
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1AT110ROHMDescription: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.15 грн
500+9.82 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT1T109SOT163-T1ROHM
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2ROHM09+
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2/T2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-24-5BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-300-15BTC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT200-48-12MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT210-300-2.1BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AROHM09+
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
11+28.93 грн
100+20.08 грн
500+14.71 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT2T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34076SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 39mm
Dimension X: 87mm
Dimension Y: 87mm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+369.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT34077SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65
Mounting: wall mount
Manufacturer series: Mureva U56
IP rating: IP65
Type of enclosure: junction box
Body colour: white
Cover colour: white
Operating temperature: -25...60°C
Dimension Z: 45mm
Dimension X: 65mm
Dimension Y: 75mm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+413.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35000SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2
IP rating: IP20
Mounting: plaster embedded
Type of enclosure: junction box
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 142mm
Number of sockets: 2
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35021SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+845.08 грн
5+697.43 грн
10+684.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35023SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Version: with lighting plug
Diameter: 71mm
Dimension Z: 49mm
Number of sockets: 1
Enclosures application: ceiling
Kit contents: cover
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+991.49 грн
5+818.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35026SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Kit contents: cover
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Version: with lighting plug
Mounting: plaster embedded
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1180.39 грн
5+974.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35027SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40
Kit contents: cover
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Version: with lighting plug
Mounting: plaster embedded
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 71mm
Dimension Z: 40mm
Number of sockets: 1
Manufacturer series: Multifix Air
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1259.03 грн
5+1039.01 грн
10+974.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35031SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 215mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 3
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP20
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 40mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 215mm
Number of sockets: 3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+973.42 грн
5+803.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35033SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 286mm; Z: 47mm; IP40; Sockets: 4
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Dimension Z: 47mm
Dimension X: 71mm
Dimension Y: 286mm
Number of sockets: 4
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1557.29 грн
5+1284.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35034SCHNEIDER ELECTRICCategory: Junction boxes
Description: Enclosure: junction box; Ø: 88mm; Z: 47mm; plaster embedded; IP40
Mounting: plaster embedded
Manufacturer series: Multifix Air
IP rating: IP40
Type of enclosure: junction box
Enclosure material: polypropylene PP; TPE
Diameter: 88mm
Dimension Z: 47mm
Number of sockets: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+622.73 грн
5+514.47 грн
10+481.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35036SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 16mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 16mm
Type of cable accessories: conduit end cover
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.25 грн
5+107.43 грн
10+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35037SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 20mm; Multifix Air
Type of cable accessories: conduit end cover
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 20mm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.67 грн
5+110.78 грн
10+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35038SCHNEIDER ELECTRICCategory: Conduits accessories
Description: Conduit end cover; 25mm; Multifix Air
Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes
Application - series/manufacturer: Multifix Air
Diameter: 25mm
Type of cable accessories: conduit end cover
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.48 грн
5+113.30 грн
10+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT35043SCHNEIDER ELECTRICCategory: Measuring Tools
Description: Pattern; installation of junction box
Tools application: installation of junction box
Type of tool: pattern
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+700.46 грн
5+600.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36154Schneider ElectricDescription: SEAL GLAND JPEM25
Packaging: Bulk
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36157Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36158Schneider ElectricDescription: MULTI CABLE DISC MUREVA BOX
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36159Schneider ElectricDescription: MULTICABLE GASKET JM45M25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Multi Cable Disc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider Electric Mureva BOX - blanking plug - grey - M25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36164Schneider ElectricDescription: PLUG GLAND TPEM25
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Mureva BOX
Accessory Type: Plug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 3...5mm
Panel cutout diameter: 13mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M12
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36179Schneider Electric Grommet, Thorsman TET, ISO M12, diameter 3 to 5, grey
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 5...7mm
Panel cutout diameter: 17mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M16
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.75 грн
25+48.68 грн
50+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36180Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 7...10mm
Panel cutout diameter: 21mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M20
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.27 грн
25+52.87 грн
50+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36181Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 10...14mm
Panel cutout diameter: 24mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M25
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.48 грн
25+73.86 грн
50+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36182Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 14...20mm
Panel cutout diameter: 30mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M32
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.51 грн
10+160.30 грн
50+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36183Schneider ElectricDescription: MEMBRANA GLAND ECIBM32
Packaging: Bulk
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 20...26mm
Panel cutout diameter: 38mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M40
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider ElectricDescription: GROMMET THORSMAN TET
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Thorsman TET
Accessory Type: Grommet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184APC by Schneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36184Schneider Electric Grommet, Thorsman TET,ISO M40, diameter 20 to 26, grey
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT36185SCHNEIDER ELECTRICCategory: Grommets
Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50
Grommet version: with bulkhead
Cable external diameter: 26...35mm
Panel cutout diameter: 48mm
Body material: EPDM
Body colour: grey
Type of cable accessories: grommet
Size: M50
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
16+19.41 грн
100+9.77 грн
500+8.13 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT3T108
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4ROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4 T108ROHMSOT173
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-12BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT400-48-24BTC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1303.95 грн
5+1183.56 грн
10+1062.35 грн
50+904.90 грн
100+759.29 грн
250+743.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.49 грн
10+692.04 грн
100+626.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1062.35 грн
50+904.90 грн
100+759.29 грн
250+743.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+531.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1144.51 грн
10+812.24 грн
100+582.89 грн
2000+543.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+662.95 грн
50+558.95 грн
100+463.66 грн
250+454.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.88 грн
10+591.43 грн
100+525.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.30 грн
10+588.54 грн
100+417.64 грн
500+416.95 грн
1000+402.30 грн
2000+389.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.66 грн
5+805.31 грн
10+662.95 грн
50+558.95 грн
100+463.66 грн
250+454.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.95 грн
10+530.81 грн
100+384.87 грн
500+343.04 грн
1000+305.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.22 грн
5+612.52 грн
10+497.83 грн
50+414.68 грн
100+338.86 грн
250+331.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.12 грн
10+400.10 грн
100+318.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+497.83 грн
50+414.68 грн
100+338.86 грн
250+331.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.08 грн
50+317.24 грн
100+248.91 грн
250+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+257.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.17 грн
5+485.62 грн
10+392.08 грн
50+317.24 грн
100+248.91 грн
250+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.46 грн
10+362.34 грн
25+335.13 грн
100+286.40 грн
250+273.01 грн
500+264.93 грн
1000+254.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.27 грн
10+401.71 грн
100+291.44 грн
500+261.46 грн
2000+221.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.81 грн
10+331.88 грн
100+239.15 грн
500+211.49 грн
1000+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.59 грн
10+369.64 грн
100+259.37 грн
500+230.78 грн
1000+198.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+239.15 грн
500+211.49 грн
1000+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.58 грн
10+329.78 грн
100+265.61 грн
500+228.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R011M2HXTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1242.94 грн
5+1060.73 грн
10+878.52 грн
50+782.53 грн
100+691.66 грн
250+677.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2INFINEONDescription: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.75 грн
5+871.20 грн
10+715.83 грн
50+608.80 грн
100+509.68 грн
250+499.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R025M2HXTMA2Infineon TechnologiesMOSFETs SIC-MOS
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.02 грн
10+498.73 грн
100+361.87 грн
500+323.52 грн
2000+274.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108
Код товару: 142443
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.22 грн
14+23.11 грн
100+14.71 грн
500+10.37 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457
на замовлення 32245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.98 грн
15+21.73 грн
100+10.32 грн
1000+7.11 грн
3000+5.79 грн
9000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108ROHM - Japan2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT4T4ROHM02+ SOT-163
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5ROHMSOT163
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-A1IMT0432+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-AZIMT0449+ QFP
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5123-B2
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT5T110
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 681W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1586.21 грн
10+1167.45 грн
100+904.31 грн
2000+840.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1553.67 грн
5+1336.48 грн
10+1118.48 грн
50+1021.22 грн
100+926.63 грн
250+907.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1118.48 грн
50+1021.22 грн
100+926.63 грн
250+907.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 681W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.16 грн
10+985.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+928.95 грн
50+830.12 грн
100+735.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1200.64 грн
5+1064.79 грн
10+928.95 грн
50+830.12 грн
100+735.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.77 грн
10+648.67 грн
100+488.06 грн
500+462.27 грн
1000+461.57 грн
2000+392.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+735.35 грн
50+636.75 грн
100+545.24 грн
250+534.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.26 грн
5+859.81 грн
10+735.35 грн
50+636.75 грн
100+545.24 грн
250+534.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.05 грн
10+605.78 грн
100+491.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+848.42 грн
50+722.86 грн
100+607.29 грн
250+595.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.96 грн
10+702.46 грн
100+535.53 грн
500+500.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1378.78 грн
10+1198.72 грн
25+1013.78 грн
50+957.30 грн
100+900.83 грн
250+872.94 грн
500+816.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.21 грн
5+999.72 грн
10+848.42 грн
50+722.86 грн
100+607.29 грн
250+595.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.39 грн
10+740.08 грн
25+600.32 грн
50+573.82 грн
100+550.12 грн
250+522.93 грн
500+499.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.38 грн
5+736.98 грн
10+602.76 грн
50+515.90 грн
100+435.77 грн
250+427.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.00 грн
10+536.52 грн
100+423.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+602.76 грн
50+515.90 грн
100+435.77 грн
250+427.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+630.42 грн
50+538.56 грн
100+377.90 грн
250+370.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+830.52 грн
10+569.29 грн
100+398.82 грн
250+398.12 грн
500+396.73 грн
1000+396.03 грн
2000+367.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.17 грн
5+768.70 грн
10+630.42 грн
50+538.56 грн
100+377.90 грн
250+370.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.36 грн
10+567.03 грн
100+430.77 грн
500+398.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R030M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+555.58 грн
50+476.62 грн
100+403.70 грн
250+395.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.08 грн
5+692.24 грн
10+555.58 грн
50+476.62 грн
100+403.70 грн
250+395.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.11 грн
10+462.12 грн
100+351.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.93 грн
10+521.99 грн
100+378.60 грн
500+339.55 грн
2000+287.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.94 грн
10+549.25 грн
100+398.12 грн
500+351.41 грн
1000+341.65 грн
2000+301.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+567.78 грн
50+483.42 грн
100+405.09 грн
250+396.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+805.31 грн
5+686.54 грн
10+567.78 грн
50+483.42 грн
100+405.09 грн
250+396.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.06 грн
10+512.50 грн
100+382.71 грн
500+336.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.55 грн
5+533.62 грн
10+427.87 грн
50+353.50 грн
100+285.17 грн
250+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.71 грн
10+438.60 грн
100+317.94 грн
500+285.17 грн
2000+241.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+427.87 грн
50+353.50 грн
100+285.17 грн
250+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.57 грн
5+549.07 грн
10+446.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+768.70 грн
10+542.03 грн
100+352.80 грн
500+346.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+362.79 грн
100+313.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.51 грн
10+353.60 грн
100+248.91 грн
500+221.02 грн
1000+214.75 грн
2000+181.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.91 грн
10+362.79 грн
100+313.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.25 грн
10+405.09 грн
100+305.04 грн
500+275.70 грн
1000+250.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.78 грн
10+612.59 грн
25+483.18 грн
100+443.44 грн
250+417.64 грн
500+391.85 грн
1000+370.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+405.09 грн
100+305.04 грн
500+275.70 грн
1000+250.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.67 грн
10+309.50 грн
100+217.54 грн
500+193.83 грн
1000+187.56 грн
2000+158.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+343.27 грн
100+248.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.71 грн
10+343.27 грн
100+248.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+401.84 грн
100+296.09 грн
500+274.19 грн
1000+247.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.16 грн
10+378.46 грн
100+245.43 грн
2000+214.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.58 грн
10+401.84 грн
100+296.09 грн
500+274.19 грн
1000+247.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R072M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.94 грн
10+450.86 грн
100+375.71 грн
500+311.10 грн
1000+279.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.69 грн
10+325.54 грн
100+204.99 грн
500+193.13 грн
1000+186.16 грн
2000+179.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+344.09 грн
100+249.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.52 грн
10+344.09 грн
100+249.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.95 грн
10+362.79 грн
100+267.62 грн
500+219.80 грн
1000+180.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.13 грн
10+416.14 грн
25+328.40 грн
100+301.21 грн
250+283.77 грн
500+265.65 грн
1000+252.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+267.62 грн
500+219.80 грн
1000+180.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.33 грн
10+254.32 грн
100+182.91 грн
500+168.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.44 грн
10+243.75 грн
100+165.24 грн
500+138.75 грн
1000+132.47 грн
2000+119.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R163M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.88 грн
10+263.01 грн
100+189.48 грн
500+148.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.84 грн
10+223.28 грн
100+158.68 грн
500+123.06 грн
1000+117.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.36 грн
10+202.06 грн
100+124.81 грн
500+105.98 грн
2000+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R260M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+290.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT7057-10N/ASOP-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901Nanotec
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT901
Код товару: 61176
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери двигунів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1233.99 грн
5+1160.78 грн
10+1086.76 грн
50+949.46 грн
100+820.65 грн
250+780.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.99 грн
10+682.35 грн
100+494.34 грн
500+447.63 грн
1000+440.65 грн
2000+411.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.02 грн
10+769.92 грн
100+707.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+584.05 грн
50+525.72 грн
100+469.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+841.10 грн
5+712.57 грн
10+584.05 грн
50+525.72 грн
100+469.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.87 грн
10+582.92 грн
100+421.83 грн
500+375.81 грн
2000+319.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V G2
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.25 грн
10+472.27 грн
100+342.34 грн
500+306.78 грн
2000+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+492.95 грн
50+412.41 грн
100+338.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.99 грн
10+451.01 грн
100+333.90 грн
500+308.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+717.46 грн
5+605.20 грн
10+492.95 грн
50+412.41 грн
100+338.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.76 грн
10+586.93 грн
25+448.32 грн
100+412.07 грн
250+391.15 грн
2000+333.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.30 грн
10+507.74 грн
100+425.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.43 грн
5+579.98 грн
10+515.72 грн
50+432.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+515.72 грн
50+432.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.20 грн
10+420.72 грн
100+350.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.05 грн
5+399.40 грн
10+323.75 грн
50+277.21 грн
100+234.97 грн
250+213.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.19 грн
10+328.75 грн
100+231.48 грн
500+205.68 грн
1000+199.41 грн
2000+168.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+323.75 грн
50+277.21 грн
100+234.97 грн
250+213.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.71 грн
10+321.31 грн
100+221.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.63 грн
10+327.94 грн
100+251.70 грн
500+217.54 грн
1000+211.96 грн
2000+179.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.31 грн
10+368.15 грн
100+302.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+321.31 грн
100+221.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.